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| ブランド名: | ZMSH |
| モデル番号: | LNOI ウェーファー |
| 価格: | by case |
| 配達時間: | 2-4weeks |
| 支払条件: | T/T |
LNOI（絶縁体上のリチウムニオブ）ウェーハは、超薄型リチウムニオブ（LiNbO₃）薄膜（300～900 nm）を絶縁基板（シリコン、サファイア、ガラスなど）にイオン注入と直接接合技術を介して接合した高度なフォトニックプラットフォームです。
主な利点：
• フレキシブルサイズ：調整可能な膜厚（標準600 nm、マイクロスケールまで拡張可能）のカスタム4～8インチウェーハ。
• ヘテロジニアスインテグレーション：電気光学変調器、量子光源などのモノリシックインテグレーションに、シリコン、窒化物、ガラスと互換性があります。
• ZMSHサービス：ウェーハ設計、接合プロセス最適化、ウェーハレベル製造（フォトリソグラフィー、エッチング、メタライゼーション）、プロトタイピングから量産までのターンキーソリューション。
| S.N | パラメータ | 仕様 |
| 1 | LNOIウェーハの一般仕様 | |
| 1.1 | 構造 | LiNbO₃ / 酸化物 / Si |
| 1.2 | 直径 | Φ100 ± 0.2 mm |
| 1.3 | 厚さ | 525 ± 25 μm |
| 1.4 | 一次フラット長 | 32.5 ± 2 mm |
| 1.5 | ウェーハベベリング | Rタイプ |
| 1.6 | LTV | <1.5 μm (5×5 mm²)/95% |
| 1.7 | 反り | +/-50 μm |
| 1.8 | ワープ | <50 μm |
| 1.9 | エッジトリミング | 2 ± 0.5 mm |
| 2 | リチウムニオブ層の仕様 | |
| 2.1 | 平均厚さ | 400 nm ± 10 nm |
| 2.2 | 配向 | X軸 ±0.5° |
| 2.3 | 一次フラット配向 | Z軸 ±1° |
| 2.4 | 表面粗さ（Ra） | <1 nm |
| 2.5 | 接合欠陥 | >1 mm なし；≤1 mm 合計80以内 |
| 2.6 | 表面スクラッチ | >1 cm なし；≤1 cm 合計≤3以内 |
| 3 | 酸化物（SiO2）層の仕様 | |
| 3.1 | 厚さ | 4700 ± 150 nm |
| 3.2 | 均一性 | ±5% |
| 4 | Si層の仕様 | |
| 4.1 | 材料 | Si |
| 4.2 | 配向 | <100>±1° |
| 4.3 | 一次フラット配向 | <110>±1° |
| 4.4 | 抵抗率 | >10 kΩ・cm |
| 4.5 | 裏面 | エッチング |
| 注：OEMからの有効/最新の承認が必要です | ||
：並列AI処理用の超低遅延ロジックゲートとスイッチ。:- フォトニックIC
• 超低導波路損失（
<0.3 dB/cm）と高速変調と量子周波数変換のための高い非線形性。2.
プロセスの利点:- フォトニックIC
• 接合界面エンジニアリング（例：アモルファスシリコン層）による熱膨張ミスマッチの緩和。
：並列AI処理用の超低遅延ロジックゲートとスイッチ。:- フォトニックIC
20 dB）、フットプリントが50%小さい。<3 V half-wave voltage), higher extinction ratio (>LNOIウェーハの主な用途
:- - フォトニックIC
：航空宇宙用の高精度慣性航法。- コヒーレントモジュール
：並列AI処理用の超低遅延ロジックゲートとスイッチ。2. 量子情報システム
：並列AI処理用の超低遅延ロジックゲートとスイッチ。- フォトニックIC
：並列AI処理用の超低遅延ロジックゲートとスイッチ。- 量子コンピューティングチップ
：航空宇宙用の高精度慣性航法。3. センシングとイメージング
：並列AI処理用の超低遅延ロジックゲートとスイッチ。- フォトニックIC
：並列AI処理用の超低遅延ロジックゲートとスイッチ。- 光ファイバジャイロスコープ
：航空宇宙用の高精度慣性航法。4. 光コンピューティングとAIアクセラレーション
：並列AI処理用の超低遅延ロジックゲートとスイッチ。- フォトニックIC
：並列AI処理用の超低遅延ロジックゲートとスイッチ。ZMSHのサービス1. コアサービス：
ヘテロジニアスインテグレーション：ハイブリッドEO-光チップ（例：レーザー変調器モノリス）用のシリコン、サファイア、または窒化物との接合。
製造サービス：150 nm UVリソグラフィー、ドライエッチング、Au/Crメタライゼーション、ウェーハレベルのパッケージング/テスト。
エンドツーエンドサポート：設計シミュレーション（PIC Studioツール）、歩留まり最適化、フルスケール生産。
2. 技術トレンド：
大型ウェーハ：コスト削減と容量スケーリングのために、8インチLNOIへの移行。
超薄膜：短波長吸収限界（可視光アプリケーション）を克服するために、
<200 nmの薄膜を開発します。
ハイブリッドインテグレーション：レーザー変調器インテグレーションのために、III-V材料（InP）と接合します。スマートマニュファクチャリング：欠陥を減らすためのAI駆動のエッチングパラメータ最適化（
<1欠陥/cm²）。
Q&A1. Q:タンタル酸リチウムはニオブ酸リチウムと同じですか？
A：いいえ。タンタル酸リチウム（LiTaO₃）とニオブ酸リチウム（LiNbO₃）は、異なる化学組成（Ta vs. Nb）を持つ別個の材料ですが、同様の結晶構造（R3c空間群）と強誘電特性を共有しています。
ただし、ABO₃のような酸素八面体フレームワークにより、ペロブスカイトのような強誘電性を示します。
A：いいえ。ニオブ酸リチウムは、標準的なABX₃ペロブスカイト構造とは異なる非ペロブスカイト構造（R3c空間群）で結晶化します。
ただし、ABO₃のような酸素八面体フレームワークにより、ペロブスカイトのような強誘電性を示します。 タグ：#3インチ/4インチ/6インチ/8インチ、#カスタマイズ、#リチウムニオブ薄膜、#LNOIウェーハ、#未研磨、#光損失 <0.05 dB/cm、#XカットYカットZカット配向
