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| 直径: | 4インチ（100mm） | 厚さ範囲: | 0.5mm~1.5mm |
|---|---|---|---|
| 表面粗さ（研磨）: | ≤0.5nm | 193nmにおける透過率: | >93% |
| CTE (20-300°C): | 0.55×10−6/°C | パラレリズム: | ≤3μm |
| ハイライト: | 4インチ 溶融シリカウェーハ,半導体用 溶融シリカウェーハ,100mm 溶融シリカウェーハ |
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4インチクォーツウエファー (100mm) は,半導体,光電子,そして高度な光学3インチワッフルと比較して,4インチ仕様では,使用面積が大幅に大きくなり,生産効率が向上し,特にICフォトマスクの批量製造において,高功率レーザー光学MEMSセンサーも
ZMSH4インチ以上のクォーツウエフルの研究開発と製造に特化した
- フルサイズのカスタマイズ: 4インチ,6インチ,および8インチウエフをサポートし,非標準サイズ (例えば,四角形,セクター形) が利用可能である.
- 高精度加工: 双面極光磨き (Ra≤0.5nm),レーザー切削 (±0.01mmの許容度) と小穴/穴を掘り込みで特殊な形状を付けることを含む.
- 機能的治療:反射防止 (AR) コーティング,IR反射防止,ダイヤモンドのような炭素 (DLC) コートなど.
- 産業向けソリューション: 半導体レベルでの清潔性 (クラス10),低欠陥密度 (≤0.1/cm2),EUVリトグラフィと量子コンピューティングに最適です.
| テクニカル用語 | 仕様 |
| 直径 | 4インチ (100mm) |
| 厚さ範囲 | 0.5mm~1.5mm |
| 表面の荒さ (磨き) | ≤0.5nm |
| 伝達力 @193nm | >93% |
| CTE (20〜300°C) | 0.55×10−6/°C |
| パラレリズム | ≤3μm |
| バキューム互換性 | 10−10 トール |
1. 大きさの精度: TTV≤10μm 100mm直径でプロセスの均一性を確保します.
2超低レベルのCTE: 0.55×10−6/°C,高温処理 (例えば,焼却,イオン植入) に適しています.
3ブロードバンドの透明性: >93%の伝導性 @193nm (DUV), >90% @3-5μm (IR).
4優れた表面品質: ナノスケールリトグラフィーのためのRa≤0.5nmでポリッシュされたダブルサイド.
5耐久性が向上した: 選択的な化学強化により,折りたたみの強さは600MPaまで増加します. プラズマ耐性があります.
| フィールド | 申請 |
| 半導体 | EUVリトグラフィー光学,フォトマスク基板,3DNANDインターポーザー |
| 高功率レーザー | レーザー鏡,パルス圧縮グリッド,ファイバーレーザー端蓋 |
| 量子技術 | クビットチップキャリア,冷原子トラップのビューポート,単光子探知器基板 |
| 航空宇宙 | 衛星レンズ,放射線抵抗センサー窓,粒子探知器 |
| 生物医学 | DNAシーケンシングチップ,内視鏡光学,マイクロ流体装置模具 |
わかった
ZMSHは4インチクォーツウエフルの端から端までカスタマイズ含め:
- 材料の選択: JGS1/JGS2 紫外線等級またはIR等級の溶融シリカ
- 精密加工: ナノスケール・ポーリング (λ/20),レーザー・マイクロ構造化 (±1μm精度)
- 機能性コーティング: AR (193-1064nm),高LIDTレーザーコーティング (>5J/cm2).
- QAサポート: 完全な検査報告 (AOI,干渉測定)
1Q: 4インチクォーツウエフルの典型的な厚さ容量は何ですか?
A: 標準的な4インチ (100mm) クォーツウエフは,0.5-1.5mmの範囲で ±0.02mmの厚さ容認を維持し,半導体リトグラフィープロセスの均一性を確保します.
2Q:MEMSアプリケーションでは なぜ4インチより6インチのクォーツウエフを選びますか?
A: 4インチのウエファは,小さい直径よりも優れたプロセス制御を維持しながら,中小規模のMEMS生産回数に最適なコスト効率を提供します.
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わかった
コンタクトパーソン: Mr. Wang
電話番号: +8615801942596
