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高純度SiC末端効果器 ワイファー処理 耐腐熱フォーク 半導体加工

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高純度SiC末端効果器 ワイファー処理 耐腐熱フォーク 半導体加工

High Purity SiC End Effector for Wafer Handling Corrosion Heat Resistant Fork for Semiconductor Processing
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大画像 :  高純度SiC末端効果器 ワイファー処理 耐腐熱フォーク 半導体加工

商品の詳細:
起源の場所: 中国
ブランド名: ZMSH
証明: rohs
お支払配送条件:
最小注文数量: 5
価格: 100
パッケージの詳細: フォームクッション + ダンボール箱
受渡し時間: 3-4週
支払条件: t/t
供給の能力: 1000per月
詳細製品概要
表面抵抗: 10⁴~10⁹Ω サイズ: パーソナライズ可能 (4~12インチ)
純度: 990.9% 密度: D=8.91 (g/cm3)
直径: 25〜500ミリ 適用する: パッケージテスト、チップソーティング
メカニカル 強さ: 曲げ強さ > 400 MPa 耐性: 0.1~60ohm.cm
熱抵抗: 1600の℃ 耐薬品性: 酸,塩基,プラズマに耐性がある
ハイライト:

半導体処理の SiC エンドエフェクター

,

Wafer ハンドリング SiC エンド エフェクタ

,

腐食耐性のあるSiCエンドエフェクター

 

製品の説明:

 

当社のSiC エンドエフェクタは、半導体製造環境における超クリーンなウェーハハンドリング用に設計されています。高純度炭化ケイ素を使用して製造されたこれらのフォークは、優れた耐熱性高密度で微細な SiC 本体は、耐薬品性, および 機械的強度を提供し、エッチング、堆積、高温搬送システムなどの

過酷なプロセスチャンバーでの使用に最適です。高密度で微細な SiC 本体は、低パーティクル発生, 優れた寸法安定性, および

 


 

200mm から 300mm のウェーハ

  • との互換性を保証します。特定のロボットアームおよびウェーハキャリア向けにカスタム設計も利用できます。

 

  • 主な特徴:

 

  • 材質: 高純度炭化ケイ素 (SiC)

 

  • 優れた耐熱性 (最大 1600℃)

 

  • 優れた耐薬品性および耐プラズマ性

 

  • 高い機械的強度と剛性

 

  • クリーンルームでの使用に適した低パーティクル発生

 


 

 

4 インチ、6 インチ、8 インチ、12 インチのウェーハハンドリングに対応

 

ロボットとの互換性のためのカスタム形状とスロット 製品仕様:
パラメータ 仕様
材質 高純度 SiC (≧99%)
サイズ カスタマイズ可能 (4~12 インチウェーハ用)
表面仕上げ 要件に応じて研磨またはマット
耐熱性 最大 1600℃
耐薬品性 酸、塩基、プラズマに耐性
機械的強度 曲げ強度 > 400 MPa

 

 

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クリーンルームグレード
 

クラス 1~100 に適合

連絡先の詳細
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

コンタクトパーソン: Mr. Wang

電話番号: +8615801942596

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