商品の詳細

家プロダクト

高純度SiC末端効果器ワイファー処理耐腐熱フォーク半導体加工

ブランド名:	ZMSH
MOQ:	5
価格:	100
配達時間:	3-4週
支払条件:	t/t

詳細情報

製品の説明

詳細情報

起源の場所:

中国

証明:

rohs

表面抵抗:

10⁴～10⁹Ω

サイズ:

パーソナライズ可能 (4~12インチ)

純度:

990.9%

密度:

D=8.91 (g/cm3)

直径:

25〜500ミリ

適用する:

パッケージテスト、チップソーティング

メカニカル強さ:

曲げ強さ > 400 MPa

耐性:

0.1~60ohm.cm

熱抵抗:

1600の℃

耐薬品性:

酸,塩基,プラズマに耐性がある

パッケージの詳細:

フォームクッション + ダンボール箱

供給の能力:

1000per月

ハイライト:

半導体処理の SiC エンドエフェクター

Wafer ハンドリング SiC エンドエフェクタ

腐食耐性のあるSiCエンドエフェクター

製品の説明

製品の説明:

当社のSiC エンドエフェクタは、半導体製造環境における超クリーンなウェーハハンドリング用に設計されています。高純度炭化ケイ素を使用して製造されたこれらのフォークは、優れた耐熱性高密度で微細な SiC 本体は、耐薬品性, および 機械的強度を提供し、エッチング、堆積、高温搬送システムなどの

過酷なプロセスチャンバーでの使用に最適です。高密度で微細な SiC 本体は、低パーティクル発生, 優れた寸法安定性, および

200mm から 300mm のウェーハ

との互換性を保証します。特定のロボットアームおよびウェーハキャリア向けにカスタム設計も利用できます。

主な特徴:

材質: 高純度炭化ケイ素 (SiC)

優れた耐熱性 (最大 1600℃)

優れた耐薬品性および耐プラズマ性

高い機械的強度と剛性

クリーンルームでの使用に適した低パーティクル発生

4 インチ、6 インチ、8 インチ、12 インチのウェーハハンドリングに対応

ロボットとの互換性のためのカスタム形状とスロット	製品仕様:
パラメータ	仕様
材質	高純度 SiC (≧99%)
サイズ	カスタマイズ可能 (4～12 インチウェーハ用)
表面仕上げ	要件に応じて研磨またはマット
耐熱性	最大 1600℃
耐薬品性	酸、塩基、プラズマに耐性
機械的強度	曲げ強度 > 400 MPa

高純度SiC末端効果器ワイファー処理耐腐熱フォーク半導体加工 0

クリーンルームグレード

クラス 1～100 に適合

札:

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2inch Sapphire Wafer

Sapphire Wafer Single Packaging

8Inch Wafer Transport Cassette Box 200mm Corrosion-Resistant High-Temperature Rated

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