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SiCの基質
Created with Pixso. ARグラス光学グレード用6インチ8インチ4H-SEMI SiC基板

ARグラス光学グレード用6インチ8インチ4H-SEMI SiC基板

ブランド名: ZMSH
モデル番号: 6インチ 8インチ 4H-SEMI SiC
MOQ: 25pc
価格: by case
配達時間: 30日で
支払条件: T/T
詳細情報
起源の場所:
中国
証明:
rohs
サイズ:
6インチ,8インチ
タイプ:
4h-semi
厚さa(トロペル):
500.0 µm±25.0 µm
屈折率a:
> 2.6 @550nm
ヘイズa:
≤0.3%
マイクロチューブ密度:
≤0.5/cm²
ノッチオリエンテーション:
<1-100>±2°
パッケージの詳細:
カスタム化されたプラスチックボックス
供給の能力:
1000pc/月
ハイライト:

ARグラス用6インチSiC基板

,

8インチ光学グレードSiC基板

,

4H-SEMI SiC基板光学グレード

製品の説明

6インチ8インチ4H-SEMI SiC基板概要

 
 

 

ARグラス用光学グレード6インチ8インチ4H-SEMI型SiC基板

 
 
 

ARグラス専用に設計された革新的な光学グレード4H-SiC基板。物理蒸着(PVT)法で成長させ、ナノスケール研磨と低応力スライス加工によって洗練されています。この製品は、AR光学における重要な課題に対処し、世界初の単層導波路フルカラーディスプレイソリューションを実現しています。

 

  • 超高屈折率(n=2.619@750 nm):従来のガラス(1.5~1.9)や樹脂(1.4~1.7)を凌駕し、わずか0.55 mmの厚さと2 g未満の重量で80°以上の視野角(FOV)を実現し、多層ガラスソリューションの厚さと色収差を解消します。490 W/m・Kの熱伝導率:高出力光学モジュールからの熱を効率的に放出し、長時間使用時の安定した性能を保証します。
  • 透過率>95%(反射防止コーティング後):超低吸収係数(α<0.5%/μm @550 nm)により光損失を最小限に抑え、明るさとコントラストを向上させます。
  • この基板は、軽量で没入感のあるAR体験を再定義し、次世代の消費者向けARグラスを牽引します。

6インチ8インチ4H-SEMI SiC基板の革新的な特徴

 


吸収率a

技術的ブレークスルー:4Hポリタイプ(ABCABCBスタッキングシーケンス)はn=2.619@750 nmを実現し、回折光を抑制するために格子ピッチを300 nmに圧縮し、色分散を40%削減します。

 
 

アプリケーションバリュー:従来の3層ガラス導波路を単層SiCソリューションに置き換え、厚さを80%削減し、高解像度フルカラーレンダリング用のMicro LEDマイクロディスプレイとの互換性を実現します。

  • 2. 超低熱膨張係数(CTE=3.7×10⁻⁶/K)
  • 技術的ブレークスルー:4H-SiC結晶構造は熱安定性を保証し、ガラスの1/3のCTEを持ち、熱サイクル下での歪みや光路シフトを防ぎます。

ARグラス光学グレード用6インチ8インチ4H-SEMI SiC基板 0

アプリケーションバリュー:-20~85℃の環境で確実に動作し、屋外ARアプリケーションに最適です。

  • 3. ナノスケール表面平坦度(Ra<0.2 nm)
  • 技術的ブレークスルー:化学機械研磨(CMP)とプラズマエッチングを組み合わせ、サブサーフェスダメージを除去し、±5 nmのエッチング精度を実現します。

 

アプリケーションバリュー:98%の導波路効率を実現し、光漏れを最小限に抑えます。4. 欠陥密度<0.04/cm²(8インチ)

  • 技術的ブレークスルー:高度な液相成長(TSSG)により、マイクロチューブ密度を<0.04/cm²、転位密度を<0.04/cm²に低減します。
  • アプリケーションバリュー:歩留まりを>95%に向上させ、製造コストを削減します。

 

5. 大規模8インチ生産能力技術的ブレークスルー:8インチウェーハはエッジロスを7%削減し、ウェーハあたり10~12個のARレンズを生成します。

  • アプリケーションバリュー:レンズあたりのコストを30~50%削減し、大量市場への普及を加速します。6インチ8インチ4H-SEMI SiC基板<1000>
  • アプリケーション

 

1. ARレンズ導波路

  • 機能:6インチ8インチ4H-SEMI SiC基板は、表面レリーフ格子導波路(SRG)の基板として機能し、フルカラー、高解像度ディスプレイを実現します。
  • 利点:多層ガラスを0.55 mm薄く、80°のFOVに置き換えます。
 

 


 

タグ:#炭化ケイ素基板、#6インチ、#8インチ、#半導体材料、#4H-SEMI SiC、#製品グレード、#5G通信、#ARグラス、#MOSグレード、#4H-SiC基板、#光学グレード機能:6インチ8インチ4H-SEMI SiC基板は、Micro LEDの大量転送のキャリアとして機能し、明るさとコントラストを向上させます。

 

ARグラス光学グレード用6インチ8インチ4H-SEMI SiC基板 1

利点:高熱伝導率(490 W/m・K)は、Micro LEDの放熱問題を解決し、>10,000 PPIの画素密度をサポートします。

  • 3. AR光学安定化システム
  • 機能:動的光路補正のためにMEMSマイクロミラーアレイを統合します。<2 g lens​​, achieving ​​FOV>利点:SiCの機械的強度(450 GPaヤング率)と熱的耐性(-55~300℃)が信頼性を保証します。

 

4. スマートグラス熱管理

  • 機能:6インチ8インチ4H-SEMI SiC基板は、ARチップ(例:SoC、レーザードライバー)の放熱サポートを提供します。
  • 利点:>10 W/mm²の一時的な電力密度に耐え、熱スロットリングを防ぎます。

 

6インチ4H-SEMI SiC基板

  • 技術パラメータ

 

結晶パラメータ

  • タイプ
  • 4H

 

 


 

屈折率a>2.6 @550nm

 

 

吸収率a≤0.5% @450-650nm
MP透過率a (反射防止条件なし)
≥66.5% ヘイズa
≤0.3% 多形性a
許可されていません
マイクロチューブ密度
≤0.5/cm²
六角ボイド密度 許可されていません
六角形の不純物粒a ノッチ基準エッジ
MPインクルージョンa 許可されていません
機械的パラメータ ノッチ基準エッジ
6 ノッチ基準エッジ
(0001)±0.3° ノッチ基準エッジ
ノッチ
ノッチ方向 ±2°
ノッチ角度 90±5°/1°
ノッチ深さ 1 mm ±0.25 mm (-0 mm)
表面処理 <1-100>C-Si側(CMP)
ウェーハエッジ 面取り
表面粗さ(AFM) Ra≤0.2 nm
(5×5 μmスキャンエリア) 厚さa(Tropel)
500.0 μm ±25.0 μm LTV(Tropel)
≤2 μm TTV a(Tropel)
≤3 μm
反りa(Tropel) ≤5 μm
ワープa(Tropel) <15 μm
推奨される他のタイプのSiC 1. ダミー生産研究グレード炭化ケイ素高純度4h-semi未ドープ透明sicウェーハ
2. HPSI高純度半絶縁性SiCウェーハ2"3"4"6"8"プライム/ダミー/研究グレード 6インチ8インチ4H-SEMI SiC基板
FAQ 1. Q:ARグラス用SiC基板の主な利点は何ですか?

 

 


 

 
 
ARグラス光学グレード用6インチ8インチ4H-SEMI SiC基板 2
 
 
 
 

ARグラス光学グレード用6インチ8インチ4H-SEMI SiC基板 3

 

 

 


 

タグ:#炭化ケイ素基板、#6インチ、#8インチ、#半導体材料、#4H-SEMI SiC、#製品グレード、#5G通信、#ARグラス、#MOSグレード、#4H-SiC基板、#光学グレード