ブランド名: | ZMSH |
モデル番号: | 4H 6INCH SICエピタキシャルウェーハ |
MOQ: | 5 |
価格: | by case |
配達時間: | 2-4weeks |
支払条件: | T/T |
4H 6インチSiCエピタキシャルウェーハ 100μm/200μm/300μm 超高電圧(UHV)MOSデバイス用
4H-SiCエピタキシャルウェーハは、炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスの主要材料であり、化学気相成長法(CVD)を用いて4H-SiC単結晶基板上に製造されます。その独特の結晶構造と電気的特性により、超高電圧(UHV、>10 kV)の金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)、接合バリアショットキーダイオード(JBS)、およびその他のパワーデバイスに理想的な基板となります。この製品は、低電圧からUHVシナリオまで対応するため、3つのエピタキシャル層厚さ(100μm、200μm、300μm)を提供しており、新エネルギー車(NEV)、産業用電力システム、スマートグリッド技術に適しています。
1. 高い耐圧と低オン抵抗
2. 優れた熱安定性と信頼性
最適化された成長パラメータ(C/Si比、HClドーピング戦略)により、表面粗さ(RMS)は0.4~0.8 nm、マクロ欠陥密度は1 cm⁻²未満となります。
1.超高電圧パワーデバイス
2.スマートグリッドとエネルギー貯蔵
3.鉄道輸送と航空宇宙
超重元素(例:Nh)検出器の主要材料で、高温(300℃)でのα粒子検出を可能にし、エネルギー分解能は3%未満。
パラメータ
材料 | 4H-SiC |
導電型 | N型(窒素でドープ) |
抵抗率 | ANY |
オフ軸角度 | 4°±0.5°オフ(通常は[11-20]方向へ) |
結晶方位 | (0001) Si面 |
厚さ | 200-300 um |
表面仕上げ(前面) | CMP研磨(エピ準備済み) |
表面仕上げ(背面) | ラッピングまたは研磨(最速オプション) |
TTV | ≤ 10 µm |
BOW/ワープ | ≤ 20 µm |
パッケージング | 真空シール |
数量 | 5個 |
その他のサンプル | SiCウェーハ |
*カスタマイズも承っておりますので、ご要望がございましたらお気軽にお問い合わせください。 | 推奨SiC製品 |
SiCエピウェーハ
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