シリコンカービッド (SiC) セラミックトレイは,高温および化学的に攻撃的な環境で半導体ウエファーおよび他の材料をサポートするために設計された高性能トレイです.腐食 に 耐える 優れた 特性 で 知ら れ て い ます熱安定性や機械的強度が高いため,SiCトレイは一貫した性能と,エピタキシ,拡散,酸化,高温シンタリング.
SiCトレイは半導体製造,先進陶器生産,化学加工,電子機器,光学部品,航空宇宙,自動車,医療機器製造に広く使用されています.
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| プロパティ | 価値 |
|---|---|
| 材料 | 高純度シリコンカービッド (SiC) |
| 純度 | 990.9% |
| 色 | ブラック |
| 密度 | 3.0 ¥3.2 g/cm3 |
| ポイスン比 | 0.15・021 |
| 骨折強度 | 2・4 MPa·m^1/2 |
| ヴィッカース硬さ | 21~28 GPa |
| 折りたたみ力 | 400〜600 MPa |
| 圧縮力 | 2200 MPa |
| エラスティックモジュール | 400~450 GPa |
| 熱膨張 (20~1000°C) | 4×4.6×10^-6/K |
| 熱伝導性 | 100~230W/m·K |
| 最大動作温度 | 1300~1650°C |
| 電気抵抗性 | 1×4×10^5 Ω·cm |
| 外見 | 滑らかで均質で小孔度が低い黒いトレイ |
製造方法:圧力をかけないシンタリング 熱圧圧 CVDコーティング 反応結合
高熱安定性:極端な温度でも性能を維持し,シンタリングや半導体加工に適しています.
機械的強度:高硬さと負荷承受能力は,変形や裂け方を防ぐ.
化学 耐性: 強い 酸,塩基,腐食 化学物質 に 耐える.
熱伝導性: 均等な加工温度で効率的な熱伝送
低熱膨張: 熱循環下で次元安定性を保証する.
電気隔熱:電子アプリケーションに信頼性の高い隔熱を提供します.
CVDコーティングオプション: 耐磨性や熱ショック保護の強化のために利用可能.
カスタマイズ可能なサイズと形状: 特定のプロセス要件をサポートします.
半導体製造:LEDとウエファーチップをエピタキシ,拡散,酸化プロセスでサポートする.
高温シンター:シンタリング中にセラミックスや金属を安定したサポートします
化学加工:産業や実験室で安全に 攻撃的な化学物質を扱う
エレクトロニクス・オプティクス 製造:精密な熱制御を必要とする基板と光学部品をサポートします
航空宇宙と自動車軽量で強固なトレイは,熱管理と耐腐蝕性が必要な部品に適しています.
医療機器の製造:耐化学性があり 消毒可能なトレイに適しています
バッテリー生産と太陽光産業:リチウムイオン電池と太陽光電池の高温処理をサポートします
実験室と研究開発:高温や腐食性のある材料を含む実験に最適です
粉末金属工業とガラス/陶器産業:均等な加熱と信頼性の高いプロセス制御を保証します.
高度な純度と化学的惰性により汚染のリスクが軽減されます
極端な条件下で安定した機械性能
耐磨性も良し 長期使用も可能です
軽量で耐久性があるので 簡単に操作できます
多様な産業用用途に適しています
すべてのシリコン・カービッドセラミック・トレイは 保管と輸送中の損傷を最小限にするために 慎重に梱包され 製品が原始状態で到着することを保証します
よくある質問
1 SiC セラミック トレイ は,半導体 製造 の 間 に 極端 な 温度 に 耐える か
はい,SiCセラミックトレイは,1650°Cまでの連続的な動作温度に耐えるように設計されています.半導体とLEDの生産における酸化.
2 SiC トレイ は 腐食 や 化学 物質 に 耐える 性能 が どの よう に ある か
SiCトレイは,強い酸,塩基,プラズマ,その他の腐食性環境に対する優れた化学的耐性を有します.これは,半導体加工に使用するために非常に信頼性があります.化学反応容器材料の整合性が重要な環境です
3 SiC セラミック トレイ は サイズ や 形 や コーティング に つい て 調整 できる の でしょ う か.
はい,SiCセラミックトレイは,サイズ,厚さ,表面仕上げを含む特定の要件を満たすためにカスタマイズすることができます. さらに,耐磨性や熱ショック耐性を向上させるためCVDコーティングを提供しています応募のニーズに応じて
ZMSHシリコンカービッドセラミックトレイは,熱,化学,機械の卓越性を組み合わせて,半導体ウェーファーと先進的な製造プロセスのための信頼できるプラットフォームを提供します.高い精度で耐腐食性や熱安定性により,現代ハイテク産業において不可欠な部品となっています.
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