商品の詳細

家プロダクト

高性能機器用高級300mm直径4HポリタイプN型ドーピングシリコンカービッド基板

ブランド名:	ZMSH
MOQ:	50
配達時間:	2～4週間
支払条件:	T/T

詳細情報

製品の説明

詳細情報

起源の場所:

中国、上海

ポリタイプ:

ドーピングタイプ:

N型

直径:

300±0.5mm

厚さ:

緑色：600±100μm / 透明：700±100μm

表面のオリエンテーション:

<11-20> 方向 4° ± 0.5°

主要フラット:

ノッチ・フルラウンド

ノッチの深さ:

1～1.5mm

総厚さ変化 (TTV):

≤ 10 μm

マイクロパイプ密度 (MPD):

≤ 5 ea/cm2

ハイライト:

直径300mmのSiC基板

4Hポリタイプ炭化ケイ素基板

N型ドーピング12インチSiCウェハ

製品の説明

プレミアム12インチ (300mm) シリコンカービッド (SiC) 基板ソリューション

高品質の4H-Nシリコンカービッド基板 (12インチ/300mm)

総合的な製品紹介

12インチ (300mm) のシリコンカービッド (SiC) 基板は,ワイドバンドギャップ (WBG) 半導体技術の現在の境界線を表しています.グローバル産業がより高効率とより高い電力密度へと移行するにつれてこの大きな直径の結晶型プラットフォームは次世代の電源電子機器とRFシステムの基本基盤となります

主要な戦略的利点

膨大な出力量:従来の150mm (6インチ) と200mm (8インチ) のウエファーと比較して,300mmフォーマットは,それぞれ使用可能な表面面積の2.2倍以上と1.5倍以上を提供しています.
費用の最適化製造サイクルごとに生産されるチップの数を最大化することで "コスト・パー・ダイ"を劇的に削減します
高級互換性:現代の完全自動化 300mm半導体製造ライン (Fabs) と完全に互換性があり,全体的な運用効率を向上させる.

製品グレードの提供

4H SiC N型生産グレード:高性能で商用的な電源装置の製造用に設計された
4H SiC N型ダミーグレード:メカニカルテスト,機器の校正,熱プロセス検証のためのコスト効率の良いソリューションです.
4H SiC 半断熱 (SI) 生産グレード:特別にRF,レーダー,マイクロ波のアプリケーションのために設計され,極端な抵抗性を要求する.

材料の詳細な特性

4H-N シリコンカービード (伝導型)

4H-Nポリタイプは,堅固な物理特性で知られる窒素ドーピングされた六角結晶構造である.約3.26eVの広い帯域で,以下のようなものを提供する.

高断裂電場より薄くて効率的な高電圧装置の設計を可能にします
優れた熱伝導性高功率モジュールの操作を簡素化冷却システムで可能にします
熱安定性200°Cを超える厳しい環境でも安定した電気パラメータを維持する.
低抵抗:SiC MOSFET や SBD などの垂直電源構造に最適化されています

4H-SIシリコンカービッド (半絶縁型)

私たちのSI基板は,例外的に高い抵抗性と最小限の結晶欠陥で特徴付けられています.これらの基板は,GaN-on-SiC RFデバイスのための好ましいプラットフォームであり,以下を提供します:

優れた電気隔離:寄生物の伝導を排除する
シグナル完全性:低信号損失が不可欠な高周波マイクロ波アプリケーションに最適です

高度な結晶成長と製造プロセス

製造プロセスは垂直に統合され原材料から完成したウエファーまで完全な品質管理を保証します

サブライメーション成長 (PVT方法):12インチの結晶は物理蒸気輸送 (PVT) 方法を使って育てられます.高純度SiC粉末は,精密に制御された真空と熱グラデント下で,2000°Cを超える温度でスブリマートされる.高品質の種子結晶に再結晶する
精密切断とエッジプロファイリング:成長後晶塊は先進的な多線ダイヤモンドセーリングを使って片切りされますエッジ処理は,切断を防止し,処理中に機械的な強さを向上させるために精密なチャンファリングを伴う.
表面工学 (CMP)応用に応じて化学機械磨き (CMP) を Si 面に施しますこの過程で "Epi-Ready" 表面が原子規模の滑らかさを得られます高品質の表頭生長を促進するために地下部の損傷をすべて除去する.

技術仕様と許容量マトリックス

ポイント	N型生産	N型人形	SI型生産
ポリタイプ	4H	4H	4H
ドーピングタイプ	窒素 (N型)	窒素 (N型)	半断熱装置
直径	300 ± 0.5 mm	300 ± 0.5 mm	300 ± 0.5 mm
厚さ (緑色/トランス)	600/700 ± 100 μm	600/700 ± 100 μm	600/700 ± 100 μm
表面の向き	4.0° <11-20> 方向へ	4.0° <11-20> 方向へ	4.0° <11-20> 方向へ
オリエンテーション正確性	±0.5°	±0.5°	±0.5°
主要フラット	ノッチ/フルラウンド	ノッチ/フルラウンド	ノッチ/フルラウンド
ノッチ深さ	1.0〜1.5mm	1.0〜1.5mm	1.0〜1.5mm
平らさ (TTV)	≤ 10 μm	N/A	≤ 10 μm
マイクロパイプ密度 (MPD)	≤ 5 ea/cm2	N/A	≤ 5 ea/cm2
表面塗装	エピ準備 (CMP)	精密磨き	エピ準備 (CMP)
エッジ処理	丸いシャムファー	チェンファーなし	丸いシャムファー
クラック検査	無 (3mmを除く)	無 (3mmを除く)	無 (3mmを除く)

高性能機器用高級300mm直径4HポリタイプN型ドーピングシリコンカービッド基板 1

品質保証と測定

生産ラインの一貫したパフォーマンスを保証します:

オプティカルメトロロジー:TTV,弓,ワープの自動表面幾何測定
結晶評価:ポリタイプインクルージョンとストレスの分析のための偏光照明検査
表面欠陥スキャン:高強度ライトとレーザー散布で傷や穴やエッジチップを検出します
電気特性:中央8インチと12インチ帯の接触式抵抗マッピング

業界をリードするアプリケーション

電気自動車 (EV):トラクションインバーター,800Vの急速充電パイル,およびオンボード充電器 (OBC) のために重要です.
再生可能エネルギー:高効率のPVインバーター,風力発電の変換機,エネルギー貯蔵システム (ESS)
スマートグリッド:高電圧直流送電 (HVDC) と産業用モータードライブ
電気通信:5G/6Gマクロステーション RF電源増幅器衛星リンク
航空宇宙と防衛:極端な航空宇宙環境のための高信頼性の電源

よくある質問 (FAQ)

Q1:12インチのSiC基板は ROIをどのように改善するのですか?

A: 表面面積が大きくなるので,ワッフルごとにより多くのチップを製造できます.これは,チップごとに加工と労働の固定コストを削減します.半導体製品が市場での競争力を高める.

Q2: 4度軸外向きの利点は?

A: <11-20> 面への 4° の向きは,高品質の表頭軸成長のために最適化され,望ましくないポリタイプの形成を防止し,基礎平面変位 (BPD) を減らすのに役立ちます.

Q3: 追跡可能なためにカスタマイズされたレーザーマークを提供できますか?

A: はい.我々は,完全なバッチ追跡性を保証するために,SEMI標準または特定の顧客の要件に従って,C側 (炭素面) にカスタマイズされたレーザーマークを提供しています.

Q4: ダミー・グレードは高温焼却に適していますか?

A: そうです,N型ダミーグレードは,生産グレードと同じ熱特性を持ち,熱サイクル,炉の校正,処理システムのテストに最適です.

札:

sicのウエファー

sicの基質

炭化ケイ素の基質

12インチ 300mm 4H-N 6H-N SiC単結晶炭化ケイ素ウェーハ（パワー＆LEDデバイス用）

最もよい価格を得なさい

高品質4H-N型炭化ケイ素基板（12インチ/300mm）高出力デバイス用

最もよい価格を得なさい

ガリウム窒化物のウエファー

サファイアのウエファー

SiCの基質

サファイア光学Windows

ICのシリコンの薄片

ワイヤーは機械を見た

総合的なサファイア棒

石英ガラスの版

サファイアの部品

総合的な宝石用原石

半導体装置

LiNbO3ウエファー

リン化インジウムのウエファー

陶磁器の基質

実験室のラッパー

GaAsのウエファー