銅めっき単結晶シリコンウェーハは、単結晶シリコンウェーハ上に精密な表面処理とメタライゼーションプロセスを経て高純度の銅層を成膜した高機能基板です。
このハイブリッド構造は以下を組み合わせています。
その結果、MEMS デバイス、センサー電極、半導体パッケージング、ウェーハレベルの相互接続、および高度な電子研究アプリケーションに優れたプラットフォームを提供します。
片面、両面、選択的銅めっきなどのカスタム製造は、プロトタイプ開発と工業規模の生産の両方に利用できます。
銅層により通電能力と放熱性能が大幅に向上し、高出力および高周波アプリケーションに適しています。
高度なめっき制御により、ウェーハ表面全体にわたって安定した厚さ分布を持つ高密度で均一な銅層が保証されます。
最適化された表面活性化と界面エンジニアリングにより、銅とシリコン間の優れた接合強度が確保され、ダイシング、ボンディング、パッケージングのプロセスにおける層間剥離のリスクが軽減されます。
以下のような標準的な MEMS および半導体プロセスと互換性があります。
ウェハサイズ、結晶方位、抵抗率、銅の厚さ、めっきパターンなどの柔軟なカスタマイズをサポートします。
| パラメータ | オプション |
|---|---|
| 基板材料 | 単結晶シリコンウェーハ |
| 結晶方位 | <100>、<111>、またはカスタマイズされた |
| ウェーハサイズ | 2 インチ、4 インチ、6 インチ、8 インチ、またはカスタム |
| ウェーハの厚さ | カスタマイズ可能 |
| 銅メッキタイプ | 片面/両面/部分めっき |
| 銅の厚さ | カスタマイズ可能 |
| 表面仕上げ | ポリッシュ/ラップ/カスタマイズ |
| 抵抗率 | カスタマイズ可能 |
当社は、アプリケーションのニーズに基づいて柔軟な製造ソリューションをサポートします。
当社はシリコンベースの先端材料と精密表面メタライゼーションを専門としています。当社のプロセス制御により、安定した接着力、均一なコーティング品質、バッチ間での再現性のあるパフォーマンスが保証されます。
研究開発の評価、パイロット生産、または産業規模の製造のいずれであっても、当社はお客様の技術要件に合わせた信頼性の高い銅めっきシリコン ウェーハ ソリューションを提供します。
これは主に、高い導電性と安定した機械的サポートを必要とする MEMS 製造、センサー電極、半導体パッケージング、およびウェーハレベルの相互接続アプリケーションで使用されます。
はい。銅厚、片面・両面コーティング、部分パターンめっきなどフルカスタマイズに対応いたします。
はい。リソグラフィー、エッチング、ダイシング、ボンディングなどの標準的な MEMS および半導体プロセスと完全な互換性があります。
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