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家プロダクト

8inch sapphire wafer：Synthetic Single‑Crystal Al₂O₃ customizable A/R/M‑plane 4N5‑5N High Purity

ブランド名:	ZMSH
モデル番号:	8インチサファイア・ウェーファー
MOQ:	25
価格:	Fluctuates with market
配達時間:	2～4週間
支払条件:	T/T

詳細情報

製品の説明

詳細情報

起源の場所:

中国、上海

材料:

合成単結晶 Al₂O₃ (サファイア)

直径:

8インチ(200mm)

クリスタルオリエンテーション:

C プレーン (0001)、カスタマイズ可能な A/R/M プレーン

表面仕上げ:

SSP(片面研磨) / DSP(両面研磨)

厚さ:

カスタマイズされた、典型的な650μm〜1000μm

純度:

4N5‑5N高純度

製品の説明

Product Overview The 8-inch (200mm) sapphire wafer is a large-format semiconductor substrate fabricated from high-purity synthetic single-crystal alumina (α-Al₂O₃). It serves as a core foundational substrate for LED epitaxy, GaN power devices and RF optoelectronic devices in the third-generation semiconductor industry. The single-crystal ingot is predominantly grown via the Kyropoulos method, and processed through precision procedures including multi-wire slicing, lapping and

札:

注文のサファイアガラス

サファイアの基質

サファイアの光学

Sapphire Tube：Precision Secondary Machining Capability Broad-Spectrum High Transmittance

最もよい価格を得なさい

12 inch Sapphire Wafer：C-plane SSP / DSP Optoelectronic Devices 12 inch Industrial Grade

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サファイアのウエファー

SiCの基質

サファイア光学Windows

ICのシリコンの薄片

ワイヤーは機械を見た

総合的なサファイア棒

石英ガラスの版

サファイアの部品

総合的な宝石用原石

半導体装置

LiNbO3ウエファー

リン化インジウムのウエファー

陶磁器の基質

実験室のラッパー

ガリウム窒化物のウエファー

GaAsのウエファー

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