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4h-semi sic

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August 22, 2024
カテゴリー接続: SiCの基質
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4h-semi sic
札:
#sicのウエファー #sicの基質 #炭化ケイ素の基質
報告書: 4H-SEMI SiC基板切断ディスクを 発見します 高硬さで精密切断のソリューションです 直径10mm 厚さ5mmで このSiCウエファーは 高周波切削に最適です高功率電子機器工業や科学用には最適です
関連製品特性:
  • 硬度が高く、モース硬度で最大9.2と、ダイヤモンドに次ぐ硬度です。
  • 優れた熱伝導性があり、高温環境に適しています。
  • 高周波,高電力電子機器の広い帯域の特徴
  • 特定の要件を満たすようにデザインアートワークでカスタマイズ可能。
  • 六方晶系（4H SiC）の単結晶SiCから作られています。
  • 高出力用途向け、低キャリア濃度と高絶縁特性。
  • 電力MOSFET,電源ダイオード,RF電源増幅器,および光電センサーに適しています.
  • 精密な仕様で プライム・グレードとデミク・グレードで
よくある質問:
  • 4H-Semi SiC 切断刃の製造プロセスは?
    4H半絶縁性炭化ケイ素（SiC）切削ブレードの製造には、結晶成長、切断、研削、研磨など、一連の複雑な工程が必要です。
  • 4H-SEMI SiCの将来展望は？
    4H-SEMI SiCの特異性や様々な産業における高性能半導体材料の需要の増加により,将来の見通しは有望である.
  • 4H-SEMI SiCウエフルはどの用途に適していますか?
    4H-SEMI SiCウエファは,パワー電子,RF,マイクロ波装置,光電子装置,高圧耐性と熱伝導性があるため,高温および高圧アプリケーション.
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