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シリコン・カービッド直角基板 高度電子機器用シークチップ

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December 09, 2025
カテゴリー接続: SiCの基質
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札:
#sicのウエファー #sicの基質 #炭化ケイ素の基質
報告書: このビデオでは,シリコンカービッド直角基板の SiCチップの製造プロセスを示しています.結晶の成長からPVTを経て最終的な磨きまで高性能の電子機器や RFデバイスや光電子機器の用途のために 製造されています
関連製品特性:
  • 高電圧パワー エレクトロニクスおよび RF アプリケーション向けに、4H-SiC および 6H-SiC ポリタイプが用意されています。
  • 3.2～3.3 eVの広いバンドギャップを備え、高い降伏電圧と効率を実現します。
  • 優れた熱伝導率 (3.0 ～ 4.9 W/cm*K) により、優れた放熱性を実現します。
  • モース硬度約 9.2 の高い機械的強度により、過酷な環境での耐久性を実現します。
  • 特定の用途のニーズに合わせてカスタマイズ可能な寸法と厚さ (330 ～ 500 μm)。
  • 電気的性能に合わせて N 型または P 型のドーピング オプションを利用できます。
  • 片面または両面研磨表面仕上げ（エピ対応オプションを含む）。
  • パワーエレクトロニクス、RF デバイス、オプトエレクトロニクス、航空宇宙アプリケーションに最適です。
よくある質問:
  • 従来のシリコンではなく SiC 基板を選択する理由は何ですか?
    SiC は、シリコンに比べて優れた熱性能、高い破壊強度、大幅に低いスイッチング損失を備えているため、高効率、高出力のアプリケーションに最適です。
  • これらの基板にエピタキシャル層を設けることはできますか?
    はい、当社では、高出力、RF、または光電子デバイスのアプリケーション向けに、エピレディおよびカスタム エピタキシー オプションを提供しています。
  • 寸法やドーピングをカスタマイズできますか?
    絶対に。特定のアプリケーションのニーズを満たすために、カスタム サイズ、ドーピング プロファイル、および表面処理を利用できます。
  • SiC基板は極限条件下でどのように機能するのでしょうか?
    SiC 基板は 600°C を超える温度でも構造の完全性と電気的安定性を維持するため、航空宇宙、防衛、高出力産業用途などの過酷な環境に適しています。
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