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3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- 研究 ダミー グレード SIC エピタキシャル 基板

SiCの基質
2024-04-11
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#sicのウエファー #sicの基質 #炭化ケイ素の基質
3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- 研究 ダミー グレード SIC エピタキシャル 基板 SICウエフルの特徴: ブロードバンドギャップシリコンカービッド半導体は,高電力電気機器の制御と切り替えに使用されます.それらは伝統的なシリコン装置に比べていくつかの利点を提供します.高い動作温度を含むSiC装置は,システムの効率を向上させるための革新的な選択肢です.設計サイズ... もっと眺め
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