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パワーエレクトロニクス、RFデバイス、UVオプトエレクトロニクス向け4H炭化ケイ素基板

SiCの基質
2026-01-05
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4H シリコンカービッド基板 電力電子機器,RFデバイス&UV光電子機器 製品概要 ほら4H-SiC基板高純度で単結晶のシリコンカービッド材料で,先進的な電力電子機器,RFデバイス,光電子アプリケーション用に設計されています.PVT法で製造され,精密CMP磨きで完成,各基板は欠陥密度が非常に低く,熱伝導性が優れ,電気特性も安定している. コンパクトなサイズで R&D,デバイスプロトタイプ,実験室試... もっと眺め
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