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4H-N型SiC基板 10x10mmウェーハ パワーエレクトロニクス用

SiCの基質
2025-07-31
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#sicのウエファー #sicの基質 #炭化ケイ素の基質
SiC基板 10×10mm 製品概要 4H-N型 SiC基板 10×10mm 小型ウエファー 形状と寸法がカスタマイズ可能 SiC 10×10小ウエファーは,第三世代の半導体材料シリコンカービード (SiC) をベースに開発された高性能半導体製品である.物理蒸気輸送 (PVT) または高温化学蒸気堆積 (HTCVD) プロセスを用いて製造4H-SiCまたは6H-SiCの2つのポリタイプオプションを... もっと眺め
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4H-N型SiC基板 10x10mmウェーハ パワーエレクトロニクス用
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