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4H-N型SiC基板 10x10mmウェーハパワーエレクトロニクス用

SiCの基質

2025-07-31

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#sicのウエファー #sicの基質 #炭化ケイ素の基質

SiC 10×10小型ウェーハは、第三世代半導体材料である炭化ケイ素（SiC）をベースに開発された高性能半導体製品です。物理蒸着（PVT）または高温化学気相成長（HTCVD）プロセスを使用して製造されており、4H-SiCまたは6H-SiCの2つのポリタイプオプションを提供しています。寸法公差は±0.05mm以内に制御され、表面粗さRa < 0.5nmであり、N型とP型の両方のドーピングバージョンで... もっと眺め

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