ハイライト: 
                                                                                                                                                                                                                                                mgoの基質, ギャップのウエファー
                              

材料:	INP単結晶	産業:	半導体の基質、装置、
色:	黒	サイズ:	2-4inch
タイプ:	、PタイプNタイプ、Siタイプ	厚さ:	350um、500um、625um

材料:	INP単結晶
産業:	半導体の基質、装置、
色:	黒
サイズ:	2-4inch
タイプ:	、PタイプNタイプ、Siタイプ
厚さ:	350um、500um、625um

黒いリン化インジウムのウエファー、LDの適用のための半導体ウエハー

LDの適用のための2inch 3inch 4inch INP基質、半導体ウエハー、INPウエファー、単結晶のウエファー

INPは導入します

INP単結晶

tCZの成長（Czochralski変更された方法）が種から始まってホウ素の酸化物の液体のencapsulantによって単結晶を引っ張るのに使用されています。添加物（Fe、S、SnまたはZn）はpolycrystalと共にるつぼに加えられます。高圧は部屋の中でリン化インジウムの分解を防ぐために適用されます。私達は十分にstoechiometric、高い純度および低い転位密度INP単結晶をもたらすためにプロセスを開発しました。 tCZの技術は熱成長の状態の数模倣に関連して熱バッフルの技術のおかげでLEC方法に改良します。tCZはbouleからのbouleへ良質の再現性の費用効果が大きい成長した技術です。

指定

項目	直径	タイプ	運送集中	移動性	抵抗	MPD
S INP	2	N	（0.8-6） X10^18	（1.5-3.5） x10^3		<500
	3					<500
	4					<1x10^3
Fe INP	2/3/4	SI		>1000	>0.5x10^7	>5x10^3
Zn INP	2/3/4	P	（0.6-6） X10^18	50-70		<1x10^3
ドープ塗料INP無し	2	N	<3x10^16	（3.5-4） x10^3		<5x10^3
	他
オリエンテーション		（100）/（111） ±0.5°		平坦
				TTV	弓	ゆがみ
				<12um	<12um	≤15um
平たい箱の第1		16±2mm		22±2mm	32.5±2.5mm
平たい箱の2st		8±1mm		11±2mm	32.5±2.5mm
表面:1spか2sp、2inch 350±25um、3inch 600±25um、カスタマイズされるによる4inch 625±25um、または

2. INPウエファープロセスステップ

INPウエファーの処理

各インゴットは、磨かれて重なり合うおよびエピタクシーのために準備される表面切られますウエファーに。全面的なプロセスはこの下に詳しく述べられます。

平らな指定および同一証明	オリエンテーションは2つの平たい箱によってウエファーで示されます（長くきっかり同一証明のオリエンテーション、小さい平たい箱のために）。通常E.J.の標準は（ヨーロッパ日本語）使用されます。互い違いの平らな構成（米国）はØ 4"のために大抵ウエファー使用されます。

bouleのオリエンテーション	どちらかの厳密な（100）またはmisorientedウエファーは提供されます。

オリエンテーションの正確さのの	光電子工学の企業の必要性に応じて、私達はオリエンテーションのの優秀な正確さのウエファーを提供します: < 0="">

端のプロフィール	2つの共通specsがあります:処理するか、または機械端の処理する化学端（端の粉砕機と）。

ポーランド語	ウエファーは平らのに終って化学薬品機械プロセスによって磨かれています、無傷性surface.weは二重側の磨かれ、単一側によって磨かれる（重ね合わせられ、エッチングされた裏側と）ウエファーを提供します。

最終的な生地ごしらえおよび包装	ウエファーは多くの化学ステップによって磨くことの間に作り出される酸化物を取除き、エピタキシアル成長の準備ができている- epiready表面極端に低いレベルに微量の元素を減らし、安定した、均一酸化物の層ときれいな表面を作成することを行きます。最終検査の後で、ウエファーは表面の清潔を維持する方法で包まれます。酸化物の取り外しのための特定の指示はすべてのタイプのエピタキシアル技術（MOCVD、MBE）のために利用できます。

データベース	ウエファーのあらゆるインゴット、また水晶の質および表面の分析のための私達の統計的なプロセス制御/総合的品質管理プログラムの一部として、電気および機械特性を記録する広範なデータベースは利用できます。製作の各段階で、プロダクトはウエファーウエファーにとbouleからのbouleに質の一貫性の高レベルを維持する次の段階に通じる前に点検されます。