プロダクト細部
起源の場所: 中国
ブランド名: zmkj
モデル番号: 高い純度un-doped 4h-semi
支払いと送料の条件
最小注文数量: 3PCS
価格: by required
パッケージの詳細: 、単一のウエファーの容器のカセットのクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる
受渡し時間: 10-20days
供給の能力: 100pcs/months
材料: |
炭化ケイ素の水晶 |
サイズ: |
3inchか4inch |
適用: |
光学 |
抵抗: |
>1E7 |
タイプ: |
4h-semi |
厚さ: |
0.5mm |
表面: |
DSP |
オリエンテーション: |
c軸線を離れた0° |
材料: |
炭化ケイ素の水晶 |
サイズ: |
3inchか4inch |
適用: |
光学 |
抵抗: |
>1E7 |
タイプ: |
4h-semi |
厚さ: |
0.5mm |
表面: |
DSP |
オリエンテーション: |
c軸線を離れた0° |
高い純度光学レンズまたは装置のためのun-doped 4inch 4H-Semiの炭化ケイ素sicのウエファー
炭化ケイ素SiCの水晶基質のウエファーのカーボランダム
炭化ケイ素の物質的な特性
製品名: | 炭化ケイ素(SiC)の水晶基質 | ||||||||||||||||||||||||
製品の説明: | 2-6inch | ||||||||||||||||||||||||
技術的な変数: |
|
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指定: | 6H Nタイプ4H Nタイプのsemi-insulating dia2 「x0.33mm、dia2」x0.43mm、dia2 " x1mmt、10x10mm、10x5mmの単一の投球または二重投球、RA <10a> | ||||||||||||||||||||||||
標準的な包装: | 1000クリーン ルーム、100きれいな袋か単一箱の包装 |
2. 基質は標準の大きさで分類する
4インチ(直径)の炭化ケイ素(SiC)の基質の指定 |
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等級 | ゼロMPDの等級 | 生産の等級 | 研究の等級 | 模造の等級 | |||||
直径 | 76.2 mm±0.3 mmか100±0.5mm; | ||||||||
厚さ | 500±25um | ||||||||
ウエファーのオリエンテーション | 0° (を離れた0001)軸線 | ||||||||
Micropipe密度 | ≤1 cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤15 cm-2 | ≤50 cm-2 | |||||
抵抗 | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | |||||||
6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | ||||||||
4/6H-SI | ≥1E7 Ω·cm | ||||||||
第一次平たい箱および長さ | {10-10} ±5.0°、32.5 mm±2.0 mm | ||||||||
二次平らな長さ | 18.0mm±2.0 mm | ||||||||
二次平らなオリエンテーション | 上向きケイ素:90° CW。主で平らな±5.0°から | ||||||||
端の排除 | 3つのmm | ||||||||
TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤25μm/≤40μm | ||||||||
荒さ | ポーランドRa≤1 nm、CMP Ra≤0.5 nm | ||||||||
高輝度ライトでひび | どれも | 1弾の割り当てられる、≤2 mm | 累積長さの≤ 10mm、単一length≤2mm | ||||||
高輝度ライトによる六角形の版 | 累積区域≤1% | 累積区域≤1% | 累積区域≤3% | ||||||
高輝度ライトによるPolytype区域 | どれも | 累積区域≤2% | 累積区域≤5% | ||||||
Sicのウエファー及びインゴット2-6inchおよび他のカスタマイズされたサイズ また提供することができる。
3.Products細部の表示
配達及びパッケージ