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SiC水晶4H-SEMI 4"光学炭化ケイ素のウエファー
  • SiC水晶4H-SEMI 4
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SiC水晶4H-SEMI 4"光学炭化ケイ素のウエファー

起源の場所 中国
ブランド名 zmkj
モデル番号 高い純度un-doped 4h-semi
プロダクト細部
材料:
炭化ケイ素の水晶
サイズ:
3inchか4inch
適用:
光学
抵抗:
>1E7
タイプ:
4h-semi
厚さ:
0.5mm
表面:
DSP
オリエンテーション:
c軸線を離れた0°
ハイライト: 

4"光学炭化ケイ素のウエファー

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4H-SEMI炭化ケイ素のウエファー

,

SICの水晶炭化ケイ素のウエファー

製品の説明

高い純度光学レンズまたは装置のためのun-doped 4inch 4H-Semiの炭化ケイ素sicのウエファー

 

 

 

炭化ケイ素SiCの水晶基質のウエファーのカーボランダム

炭化ケイ素の物質的な特性

 

 
製品名: 炭化ケイ素(SiC)の水晶基質
製品の説明: 2-6inch
技術的な変数:
細胞構造 六角形
一定したに格子をつけなさい = 3.08 Å c = 15.08 Å
優先順位 ABCACB (6H)
成長方法 MOCVD
方向 成長軸線または部分的な(0001) 3.5 °
ポーランド語 Siの表面の磨くこと
Bandgap 2.93 eV (間接)
伝導性のタイプ Nかseimiの高い純度
抵抗 0.076オームcm
誘電率 e (11) = e (22) = 9.66 e (33) = 10.33
熱伝導性@ 300K 5 cmと。K
硬度 9.2 Mohs
指定: 6H Nタイプ4H Nタイプのsemi-insulating dia2 「x0.33mm、dia2」x0.43mm、dia2 " x1mmt、10x10mm、10x5mmの単一の投球または二重投球、RA <10a>
標準的な包装: 1000クリーン ルーム、100きれいな袋か単一箱の包装

 

力装置企業の炭化ケイ素の適用
 

性能の単位のケイ素Siの炭化ケイ素SiCガリウム窒化物GaN
バンド ギャップのeV                 1.12 3.26 3.41
故障の電界MV/cm   0.23 2.2 3.3
電子移動度cm^2/Vs       1400 950 1500
速度10^7 cm/sを漂わせなさい           1 2.7 2.5
熱伝導性W/cmK       1.5 3.8 1.3
 
ケイ素(Si)装置によって比較されて、炭化ケイ素(SiC)力装置は効果的に力の電子システムの高性能、小型化およびライト級選手を達成できる。炭化ケイ素力装置のエネルギー損失はSi装置のそれの50%だけである、熱生成はケイ素装置のそれの50%だけであり、より高い電流密度がある。同じパワー レベルで、炭化ケイ素力モジュールの容積はケイ素力モジュールのそれよりかなり小さい。理性的な力モジュールIPMに、炭化ケイ素力装置を使用して、モジュールの容積を一例として取ることは1/3からケイ素力モジュールの2/3に減らすことができる。
 
3つのタイプの炭化ケイ素力のダイオードがある:ショットキー ダイオード(SBD)、ピン・ダイオードおよび接続点障壁制御ショットキー ダイオード(JBS)。ショットキー障壁が原因、SBDでより低い接続点障壁の高さがある、従ってSBDに低い前方電圧の利点がある。炭化ケイ素SBDの出現は250Vから1200VにSBDの適用範囲を増加した。同時に、高温特徴は貝、逆の漏出現在の増加によって室温から175°Cによくない、ほとんど限った。3kVの上の整流器の適用分野では、炭化ケイ素PiNおよび炭化ケイ素JBSのダイオードはケイ素整流器より高い絶縁破壊電圧、速く切り替え速度、小さい容積および軽い重量による注意を引き付けた。
SiCの水晶は重要で広いbandgap半導体材料である。高い熱伝導性のために、高い電子漂流率、高い故障分野強さおよび安定した物理的な、化学特性のそれは高周波および高い発電の電子デバイスの高温で広く利用されている。これまでのところ発見された200以上のタイプのSiCの水晶がある。その中で、4H-および6H SiC水晶は商業的に供給された。皆6mmポイント グループに第2次非線形光学効果をもたらすために属し。Semi-insulating SiCの水晶は目に見え、中型である。赤外線バンドにより高い伝送がある。従って、SiCの水晶に基づく光電子工学装置は高温および高圧のような極度な環境の適用のために非常に適している。Semi-insulating 4H SiC水晶は中間赤外線非線形光学結晶の新型であると証明された。一般的な中間赤外線非線形光学結晶と比較されて、SiCの水晶に水晶による広いバンド ギャップ(3.2eV)がある。、高い熱伝導性(490W/m·SiCを水晶に作るSi-C間のK)にそして大きい結合エネルギー(5eV)に高いレーザーの損傷閾値がある。従って、非線形周波数変換の水晶としてsemi-insulating 4H SiC水晶に強力な中間赤外線レーザーの出力で明らかな利点がある。従って、強力なレーザーの分野に、SiCの水晶は広い適用見通しの非線形光学結晶である。但し、SiCの水晶および関連適用の非線形特性に基づく現在の研究はまだ完全ではない。この仕事は主要な研究の内容として4H-および6H SiC水晶の非線形光学的性質を取り、非線形光学の分野のSiCの水晶の適用を促進するために非線形光学的性質の点ではSiCの水晶のある基本的な問題を解決することを向ける。一連の関連の仕事は論理上そして実験的に遂行された。主要な研究結果は次の通りある:  最初に、SiCの水晶の基本的な非線形光学的性質は調査される。目に見え、中間赤外線バンド(404.7nm~2325.4nm)の4H-および6H SiC水晶の可変的な温度の屈折は、および可変的な温度r.i.のSellmierの同等化合ったテストされた。単一の発振器のモデル理論が熱光学係数の分散を計算するのに使用された。理論的な説明は与えられる;4H-および6H SiC水晶の段階一致に対する熱視覚の効果の影響は調査される。結果は6H SiC水晶はまだ温度段階一致を達成できないが4H SiC水晶の段階一致が温度によって影響されないことを示す。条件。さらに、semi-insulating 4H SiC水晶の頻度倍増の要因はメーカーのフリンジ方法によってテストされた。  2番目に、4H SiC水晶のフェムト秒光学変数生成そして拡大の性能は調査される。段階一致、一致する群速度800nmフェムト秒 レーザーによってポンプでくまれる4H SiC水晶の最もよい非collinear角度および最もよい水晶長さは論理上分析される。チタニウムによる800nm出力の波長のフェムト秒 レーザーを使用して:ポンプ源としてサファイア レーザーは、非線形光学結晶として3.1mm厚いsemi-insulating 4H SiC水晶を使用して二段式光学パラメーター付き拡大の技術を使用して、3750nmの中心の波長との90°段階、はじめて、中間赤外線レーザー、17μJまでの単一のパルス エネルギー一致以下、および70fsの脈拍幅実験的に得られた。532nmフェムト秒 レーザーはポンプ ライトとして使用され、SiCの水晶は光学変数によって603nmの出力中心の波長の信号ライトを発生させるために段階一致する90°である。3番目に、非線形光学媒体として水晶semi-insulating 4H SiCの分光広がる性能は調査される。実験結果はことを水晶の水晶長さそしてレーザーの出力密度の事件の広げられたスペクトルの増加の半最高幅示す。線形増加は入射光の強度の水晶のr.i.の相違によって主に引き起こされる自己段階調節の原則によって説明することができる。同時にフェムト秒の時間目盛で、SiCの水晶の非線形r.i.が水晶の束縛電子および伝導帯の自由な電子に主に帰因するかもしれないことが、分析される;前もって532nmレーザーの下でSiCの水晶を調査するのにそしてzスキャン技術が使用されている。非線形吸収および非線形r.i.の性能。
 
 

2. 基質は標準の大きさで分類する

 

4インチ(直径)の炭化ケイ素(SiC)の基質の指定

等級 ゼロMPDの等級 生産の等級 研究の等級 模造の等級
直径 76.2 mm±0.3 mmか100±0.5mm;
厚さ 500±25um
ウエファーのオリエンテーション 0° (を離れた0001)軸線
Micropipe密度 ≤1 cm-2 ≤5 cm-2 ≤15 cm-2 ≤50 cm-2
抵抗 4H-N 0.015~0.028 Ω•cm
6H-N 0.02~0.1 Ω•cm
4/6H-SI ≥1E7 Ω·cm
第一次平たい箱および長さ {10-10} ±5.0°、32.5 mm±2.0 mm
二次平らな長さ 18.0mm±2.0 mm
二次平らなオリエンテーション 上向きケイ素:90° CW。主で平らな±5.0°から
端の排除 3つのmm
TTV/Bow /Warp ≤15μm/≤25μm/≤40μm
荒さ ポーランドRa≤1 nm、CMP Ra≤0.5 nm
高輝度ライトでひび どれも 1弾の割り当てられる、≤2 mm 累積長さの≤ 10mm、単一length≤2mm
高輝度ライトによる六角形の版 累積区域≤1% 累積区域≤1% 累積区域≤3%
高輝度ライトによるPolytype区域 どれも 累積区域≤2% 累積区域≤5%
       

Sicのウエファー及びインゴット2-6inchおよび他のカスタマイズされたサイズ また提供することができる。

 

3.Products細部の表示

SiC水晶4H-SEMI 4"光学炭化ケイ素のウエファー 0

SiC水晶4H-SEMI 4"光学炭化ケイ素のウエファー 1SiC水晶4H-SEMI 4"光学炭化ケイ素のウエファー 2

 

 

配達及びパッケージ

SiC水晶4H-SEMI 4"光学炭化ケイ素のウエファー 3

FAQ
  • Q1. あなたの会社は工場または貿易会社であるか。
  •  
  • 私達は工場であり、また私達自身輸出をしてもいい。
  •  
  • Q2.Is sicビジネスを会社の唯一の使用か。
  • はい;但し私達は自己によってsicの水晶を育てない。
  •  
  •  
  • Q3. サンプルを供給するでしようか。
  • はい、私達は顧客の要求に従ってサファイアのサンプルを供給してもいい
  •  
  • Q4. sicのウエファーの在庫があるか。
  • 私達は通常在庫で2-6inchウエファーからの一部の標準サイズsicのウエファーを保つ
  •  
  • Q5.Whereは見つけられるあなたの会社である。
  • 上海、中国にある私達の会社。
  •  
  • Q6. どの位プロダクトを得るために取るか。
  • 通常処理するために3~4週かかる。それはプロダクトのそしてサイズによって決まることである。

 

私達にいつでも連絡しなさい

86-1580-1942596
Rm5-616、No.851のDianshanhuの道、Qingpu区域、上海都市、中国
私達にあなたの照会を直接送りなさい