ハイライト: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                模造の等級SiCの基質, 4インチSiCの基質, 4H-N窒化珪素の基質
                              

材料:	SICの水晶	産業:	半導体ウエハーの光学レンズ
適用する:	、装置導かれる、半導体パワーエレクトロニクス、5G	色:	緑色白色
タイプ:	Un-doped 4H-Nおよび4H-Semi	サイズ:	6inch （利用できるまた2-4inch）
厚さ:	350umか500um	許容性:	±25um
グレード:	ゼロ生産/研究/ダミー	TTV:	<15um>
身をかがめる:	<20um>	ワープ:	《30um
Customziedサービス:	入手可能	材料:	シリコンカービード (SiC)
原材料:	中国

材料:	SICの水晶
産業:	半導体ウエハーの光学レンズ
適用する:	、装置導かれる、半導体パワーエレクトロニクス、5G
色:	緑色白色
タイプ:	Un-doped 4H-Nおよび4H-Semi
サイズ:	6inch （利用できるまた2-4inch）
厚さ:	350umか500um
許容性:	±25um
グレード:	ゼロ生産/研究/ダミー
TTV:	<15um>
身をかがめる:	<20um>
ワープ:	《30um
Customziedサービス:	入手可能
材料:	シリコンカービード (SiC)
原材料:	中国

4H-N 4インチの窒化珪素SiCの基質の高い発電装置のための模造の等級SiCの基質

4H-N 4H-SEMI 2インチ 3インチ 4インチ 6インチ SiC 基板高性能機器用の製造グレードの偽品

H 高純度シリコンカービッド基板高純度4インチSiC基板半導体用4インチシリコンカービッド基板宝石のためのシークリンゴ

応用分野

1 高周波および高電力電子機器スコットキーダイオード,JFET,BJT,PiN,ダイオード,IGBT,MOSFET

2 光電子装置: 主にGaN/SiCブルーLED基板材料 (GaN/SiC) のLEDで使用

優位性

• 格子の不一致が低い
• 高熱伝導性
• 低電力消費
• 絶好の短時間特性
• 高帯域間隔

シリコン・カービッド・シシ・C・結晶基板のウェーファー・カーボリンダム

4H-Nおよび4H-SEMI SiC (シリコンカービッド) 基板,直径は2インチ,3インチ,4インチ,6インチなど,高性能装置の製造に広く利用されているのは,材料の性能が優れているためこのSiC基板の主要な特性として,高性能アプリケーションに最適化されています.

幅広く: 4H-SiCは,3.26 eVほどの幅の帯域があります.これは,シリコンのような伝統的な半導体材料と比較して,より高い温度,電圧,周波数で効率的に動作できるようにします.
高断裂電場: SiCの高分解電場 (最大2.8 MV/cm) は,デバイスが故障なく高電圧に対応できるようにし,MOSFETsやIGBTなどの電源電子機器にとって不可欠です.
優れた熱伝導性: SiC は,3.7 W/cm·K の熱伝導性を有し,シリコンよりもかなり高いので,より効果的に熱を散らすことができます.これは高温環境のデバイスにとって重要です.
高飽和電子速度: SiC は高電子飽和速度を提供し,レーダーシステムや5G通信などのアプリケーションで使用される高周波デバイスの性能を向上させます.
機械的力と硬さ: SiC基板の硬さと強さは,極端な運用条件でも長期にわたる耐久性を保証し,工業用装置に非常に適しています.
欠陥密度が低い: 製造級のSiC基板は欠陥密度が低く,デバイスの最適性能が保証されるが,偽基板は欠陥密度が高くなる.試験および機器の校正のために適している.

これらの特性により,電気自動車,再生可能エネルギーシステム,航空宇宙の用途.

シリコンカルビッド材料の特性

資産	4H-SiC シングルクリスタル	6H-SiC シングルクリスタル
格子パラメータ	a=3.076 Å c=10.053 Å	a=3.073 Å c=15.117 Å
積み重ねの順序	ABCB	ABCACB
モース硬さ	≈92	≈92
密度	3.21g/cm3	3.21g/cm3
熱膨張係数	4〜5×10〜6/K	4〜5×10〜6/K
屈折指数 @750nm	2 は 2 です.61 ne = 2 について66	2 は 2 です.60 ne = 2 について65
ダイレクトリ常数	c~966	c~966
熱伝導性 (N型,0.02オム/cm)	a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K
熱伝導性 (半絶縁)	a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K	a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K
バンドギャップ	3.23 eV	3.02 eV
断裂する電場	3〜5×106V/cm	3〜5×106V/cm
飽和漂流速度	2.0×105m/s	2.0×105m/s

2標準の6インチサイズ

6インチ直径 4H-N&半シリコンカービッド基板仕様
基板のプロパティ	ゼログレード	生産級	研究級	ダミーグレード

直径	150 mm-0.05 mm

表面の向き	軸外: 4°向かい <11-20> ± 0.5° 4H-N 軸上: 4H-SI の場合 <0001>±0.5°

主要的な平面方向性	{10-10} ±5.0° 4H-N/ 4H-Semiのノッチ

主要平面長さ	47.5 mm ± 2.5 mm

厚さ 4H-N	STD 350±25mm または 500±25mm に合わせた

厚さ 4H-SEMI	500±25mmのSTD

ウェッファー・エッジ	シャムファー

4H-N のマイクロパイプ密度	<0.5マイクロパイプ/cm2	≤2マイクロパイプ/cm2	≤10マイクロパイプ/cm2	≤15マイクロパイプ/cm2

4H-SEMI のマイクロパイプ密度	<1マイクロパイプ/cm2	≤5マイクロパイプ/cm2	≤10マイクロパイプ/cm2	≤20マイクロパイプ/cm2
高強度光による多型エリア	許されない			面積 ≤10%

4H-Nに対する抵抗性	0.015 Ω·cm~0.028 Ω·cm			(面積75%) 0.015Ω·cm~0.028Ω·cm

4H-SEMIに対する抵抗性	≥1E9 Ω·cm

LTV/TTV/BOW/WARP	≤3μm/≤6μm/≤30μm/≤40μm			≤5μm/≤15 μm/≤40 μm/≤60μm

高強度の光によってヘックスプレート	累積面積 ≤0.05%			累積面積 ≤0.1%

Sイリコン表面高強度の光による汚染	ゼロ