プロダクト細部
起源の場所: 中国
ブランド名: zmkj
証明: ROHS
モデル番号: 高い純度un-doped 4h-semi
支払いと送料の条件
最小注文数量: 3pcs
価格: 400USD/pcs
パッケージの詳細: 、単一のウエファーの容器のカセットのクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる
受渡し時間: 10-20Days
支払条件: ウェスタン・ユニオン、T/T
供給の能力: 5000pcs/Months
材料: |
炭化ケイ素の水晶 |
サイズ: |
40X5X2mm |
適用: |
光学 |
抵抗: |
>1E7か0.015~0.28Ω.cm |
タイプ: |
4H-SEMI |
厚さ: |
2mm |
表面: |
DSP |
オリエンテーション: |
c軸線を離れた0° |
mosの硬度: |
9.2 |
使用温度: |
《2000° |
材料: |
炭化ケイ素の水晶 |
サイズ: |
40X5X2mm |
適用: |
光学 |
抵抗: |
>1E7か0.015~0.28Ω.cm |
タイプ: |
4H-SEMI |
厚さ: |
2mm |
表面: |
DSP |
オリエンテーション: |
c軸線を離れた0° |
mosの硬度: |
9.2 |
使用温度: |
《2000° |
customziedサイズによる高い純度HPSI 4H-SEMI 4H-N 10X10mm 5x5mm sicのウエファーDSP透明なsicの水晶光学レンズ4H-SEMI
ZMSHはSiCのウエファーおよびエピタクシーを提供する:SiCのウエファーは優秀な性能の第三世代の広いbandgapの半導体材料である。それに広いbandgap、高い熱伝導性、高い故障の電界、高く本質的な温度、放射抵抗、よい化学安定性および高い電子飽和漂流率の利点がある。SiCのウエファーに大気および宇宙空間、柵の運輸、光起電発電、送電、新しいエネルギー車および他の分野で大きい適用見通しがまたあり、パワー エレクトロニクスの技術への革命的な変更を持って来る。Siの表面かCの表面は1つのウエファーの容器、以下100きれいな教室に窒素のガスによって詰まるepi準備ができた等級としてCMP各ウエファーあるである。
Epi準備ができたSiCのウエファーにNのタイプがあるまたはSemi-insulating、polytypeは異なった質等級の4Hまたは6H、Micropipe密度（MPD）である:自由、 <5>
2. 基質は私達の標準サイズの大きさで分類する
|
4インチ（直径）の炭化ケイ素（SiC）の基質の指定 |
|||||||||
| 等級 | ゼロMPDの等級 | 生産の等級 | 研究の等級 | 模造の等級 | |||||
| 直径 | 76.2 mm±0.3 mmか100±0.5mm; | ||||||||
| 厚さ | 500±25um | ||||||||
| ウエファーのオリエンテーション | 0° （を離れた0001）軸線 | ||||||||
| Micropipe密度 | ≤1 cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤15 cm-2 | ≤50 cm-2 | |||||
| 抵抗 | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | |||||||
| 6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | ||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E7 Ω·cm | ||||||||
| 第一次平たい箱および長さ | {10-10} ±5.0°、32.5 mm±2.0 mm | ||||||||
| 二次平らな長さ | 18.0mm±2.0 mm | ||||||||
| 二次平らなオリエンテーション | 上向きケイ素:90° CW。主で平らな±5.0°から | ||||||||
| 端の排除 | 3つのmm | ||||||||
| TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤25μm/≤40μm | ||||||||
| 荒さ | ポーランドRa≤1 nm、CMP Ra≤0.5 nm | ||||||||
| 高輝度ライトでひび | どれも | 1弾の割り当てられる、≤2 mm | 累積長さの≤ 10mm、単一length≤2mm | ||||||
| 高輝度ライトによる六角形の版 | 累積区域≤1% | 累積区域≤1% | 累積区域≤3% | ||||||
| 高輝度ライトによるPolytype区域 | どれも | 累積区域≤2% | 累積区域≤5% | ||||||
Sicのウエファー及びインゴット2-6inchおよび他のカスタマイズされたサイズ また提供することができる。
3.Products細部の表示
配達及びパッケージ
