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2Inch炭化ケイ素のウエファー6Hまたは4HのNタイプかSemi-Insulating SiCの基質
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2Inch炭化ケイ素のウエファー6Hまたは4HのNタイプかSemi-Insulating SiCの基質

起源の場所 中国
ブランド名 SICC
証明 CE
モデル番号 4h-n
プロダクト細部
材料:
SICの水晶
タイプ:
4h-n 6h-n
純度:
99.9995%
抵抗:
0.015~0.028ohm.cm
サイズ:
2inch、3inch、4inch、6inch、8inch
厚さ:
350umまたはカスタマイズされる
MPD:
《2cm-2
適用:
SBDのため、MOS装置
TTV:
《15um
弓:
《25um
ゆがみ:
《45um
表面:
Si表面CMP、c表面MP
ハイライト: 

要求のパワー エレクトロニクスSicのウエファー

,

6inch炭化ケイ素のウエファー

,

Sicのウエファーの半導体

製品の説明

2inch炭化ケイ素のウエファー6Hまたは4HのNタイプかSemi-Insulating SiCの基質

 

 

 

炭化ケイ素の利点

  • 硬度

従来のシリコン基板上の炭化ケイ素の使用へ多数の利点がある。主要な利点の1つは硬度である。これは材料に高速、高温や高圧適用の多くの利点を、与える。

炭化ケイ素のウエファーに平均が1ポイントから別の井戸に熱を移すことができる高い熱伝導性がある。これは電気伝導率および最終的に小型化、SiCのウエファーへの転換の共通のゴールの1を改善する。

  • 熱機能

熱衝撃に抗力が高い。これはそれらに壊れるか、または割れないでことを温度を急速に変える機能があることを意味する。これは従来のバルク ケイ素と比較して炭化ケイ素の寿命そして性能を改善するのはもう一つの靭性の特徴であるので装置を製造するとき明確な利点を作成する。

 

分類

  炭化ケイ素SiCの基質は2つの部門に分けることができる:高い抵抗(resistorivity ≥107Ωの半絶縁された(高い純度非dopendおよびV添加された4H-SEMI)炭化ケイ素の基質·cm)、および低い抵抗の伝導性の炭化ケイ素の基質(抵抗の範囲は15-30mΩである·cm)。

 

6inch 4H-N sicのウエファーのための指定。
(2inch、3inch 4inchの8inch sicのウエファーはまた利用できる)

等級

ゼロMPDの生産

等級(Zの等級)

標準生産の等級(Pの等級)

模造の等級

(Dの等級)

直径 99.5 mm~100.0 mm
厚さ 4H-N 350 μm±20 μm 350 μm±25 μm
4H-SI 500 μm±20 μm 500 μm±25 μm
ウエファーのオリエンテーション 軸線を離れて:軸線 <1120> の4.0°toward ±0.5°for 4H-N、: <0001>±0.5°for 4H-SI
Micropipe密度 4H-N ≤0.5cm-2 ≤2 cm-2 ≤15 cm-2
4H-SI ≤1cm-2 ≤5 cm-2 ≤15 cm-2
※の抵抗 4H-N 0.015~0.025 Ω·cm 0.015~0.028 Ω·cm
4H-SI ≥1E9 Ω·cm ≥1E5 Ω·cm
第一次平らなオリエンテーション {10-10} ±5.0°
第一次平らな長さ 32.5 mm±2.0 mm
二次平らな長さ 18.0 mm±2.0 mm
二次平らなオリエンテーション 上向きケイ素:90°CW.主で平らな±5.0°から
端の排除 3つのmm
LTV/TTV/Bow /Warp ≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm

※の荒さ

ポーランドRa≤1 nm
CMP Ra≤0.2 nm Ra≤0.5 nm

高輝度ライトで端のひび

 

どれも 累積長さの≤ 10のmm、単一length≤2 mm
高輝度ライトによる六角形の版 累積区域≤0.05% 累積区域≤0.1%
高輝度ライトによるPolytype区域 どれも 累積area≤3%
視覚カーボン包含 累積区域≤0.05% 累積区域≤3%

高輝度ライトによるケイ素の表面の傷

どれも 累積『gth≤1×waferの直径をlen
端は強度ライトによって高く欠ける どれも≥0.2 mmの幅および深さを割り当てなかった 5弾の割り当てられる、≤1 mmそれぞれ

高輝度によるケイ素の表面汚染

どれも
包装 複数のウエファー カセットか単一のウエファーの容器

 

 

2Inch炭化ケイ素のウエファー6Hまたは4HのNタイプかSemi-Insulating SiCの基質 02Inch炭化ケイ素のウエファー6Hまたは4HのNタイプかSemi-Insulating SiCの基質 1

 

 

 

 

 

産業鎖

炭化ケイ素SiCの産業鎖は基質の物質的な準備、エピタキシアル層の成長、装置製造業および下流の適用に分けられる。炭化ケイ素のモノクリスタルは通常物理的な蒸気伝達(PVT方法)によって準備され、それからエピタキシアル シートは化学気相堆積(CVD方法)によって基質で発生し、関連した装置は最終的になされる。基質の製造技術の難しさによるSiC装置の産業鎖では産業鎖の価値は上流の基質リンクに主に集中される。

 

ZMSHの会社は提供する100mmおよび150mm SiCのウエファーを提供する。硬度(SiCは世界の第2最も堅い材料である)および熱および高圧流れの下の安定性によって、この材料は複数の企業で広く利用されている。

 

価格

ZMSHの会社は良質SiCのウエファーおよびSiCの水晶基質のための市場の最もよい価格を6つまでの(6)インチ(直径)提供する。私達の価格の一致の方針の保証対等な指定を含むSiC水晶プロダクトのための最もよい価格。あなたの引用を得る今日接触米国

 

カスタム化

カスタマイズされたSiC水晶プロダクトは顧客の特定の条件および指定に合うために作ることができる。

Epiウエファーはまた要望に応じて顧客用である場合もある。

 

 

FAQ

 

Q:wayofは何をおよび言葉を支払うために出荷して、要したか。

:(1)私達は50% T/Tを先立って受け入れ、配達の前にDHL、Federal Express、EMS等によって50%を残した。

(2)あなた自身の明白な記述があれば、大きい。そうでなかったら、私達はそれらを出荷するのを助けることができる。

貨物は実際の解決に従ってある

 

Q:あなたのMOQは何であるか。

:(1)目録のための、MOQは3pcsである。

(2)カスタマイズされたプロダクトのための、MOQは10pcsである。

 

Q:私は私の必要性に基づいてプロダクトをカスタマイズしてもいいか。

:はい、私達は材料、指定および形のあなたの必要性に基づいてサイズをカスタマイズしてもいい。

 

Q:受渡し時間は何であるか。

:(1)標準的なプロダクトのために

目録のため:配達は順序を置いた5仕事日後ある。

カスタマイズされたプロダクトのため:配達は順序を置いた3週後2またはである。

(2)特別型プロダクトのための、配達は順序を置いた後4週労働日数である。

 

私達にいつでも連絡しなさい

86-1580-1942596
Rm5-616、No.851のDianshanhuの道、Qingpu区域、上海都市、中国
私達にあなたの照会を直接送りなさい