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| 起源の場所 | 中国 |
| ブランド名 | SICC |
| 証明 | CE |
| モデル番号 | 4h-n |
2inch dia50.8mm 330μmの厚さ4H-NのタイプSiCの基質の生産の等級
2inch炭化ケイ素のウエファー6Hまたは4HのNタイプかSemi-Insulating SiCの基質
4H-Nタイプ/半絶縁SiCの基質2inch 3inch 6inchの炭化ケイ素のウエファー
SiCのsubatrateはである何
SiCの基質は優秀な電気および熱特性がある広いbandgap半導体材料である炭化ケイ素（SiC）から成っているウエファーを示す。SiCの基質は強力なトランジスター、ショットキー ダイオード、紫外線フォトディテクターおよびLEDsのようなさまざまな電子および光電子工学装置を、製造するのに使用することができるSiCまたは他の材料のエピタキシアル層の成長のためのプラットホームとして一般的である。
SiCの基質は他の半導体材料に、より高い絶縁破壊電圧、より高い熱伝導性およびより高い最高使用可能温度を含む優秀な特性に、よる強力な、高温電子工学の適用のためのケイ素のような、好まれる。SiC装置はケイ素 ベースの装置より大いに高温ででき、それらを作動、自動車、宇宙航空の、およびエネルギー適用ののような極度な環境の使用のために適したようにする。
適用
III-Vの窒化物の沈殿
光電子工学装置
強力な装置
高温装置
高周波力装置
指定
| 等級 | 生産の等級 | 研究の等級 | 模造の等級 | |
| 直径 | 50.8 mm +/- 0.38 mm | |||
| 厚さ |
Nタイプの330 um +/- 25 um Semi-Insulating 250 um +/- 25 um |
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| ウエファーのオリエンテーション |
軸線: <0001> +/- 6H-N /4H-N /4H-SI /6H-SIのための0.5 deg 軸線を離れて:4.0 degの方の <11-20> +/-0.5 4H-N /4H-SIのためのdeg |
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| Micropipe密度（MPD） | 5 cm-2 | 15 cm-2 | 30 cm-2 | |
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電気抵抗 （オームcm） |
4H-N | 0.015~0.028 | ||
| 6H-N | 0.02~0.1 | |||
| 4/6H-SI | >1E5 | （90%） >1E5 | ||
| 集中の添加 |
Nタイプ:| 1E18/cm3 SIタイプ（V添加される）:| 5E18/cm3 |
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| 第一次平たい箱 | {10-10} +/- 5.0 deg | |||
| 第一次平らな長さ | 15.9 mm +/- 1.7 mm | |||
| 二次平らな長さ | 8.0 mm +/- 1.7 mm | |||
| 二次平らなオリエンテーション | 上向きケイ素:主な平たい箱からの90のdeg CW +/- 5.0 deg | |||
| 端の排除 | 1つのmm | |||
| TTV/弓/ゆがみ | 15 um/25um/25um | |||
| 表面の粗さ | 光学ポーランドのRA Cの表面の1 nm | |||
| CMPのRA Siの表面の0.5 nm | ||||
| 高輝度ライトによって点検されるひび | どれも | どれも | 1弾の割り当てられる、1つのmm | |
| 高輝度light*によって点検される六角形の版 | 累積区域1% | 累積区域1% | 累積区域3% | |
| 高輝度light*によって点検されるPolytype区域 | どれも | 累積区域2% | 累積区域5% | |
| 高輝度ライトによって点検される傷** |
1wafer直径への3つの傷 累積長さ |
5つの傷から1つのウエファーの直径 累積長さ |
8つの傷から1つのウエファーの直径 累積長さ |
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| 端の欠けること | どれも | 3弾の割り当てられる、0.5 mmそれぞれ | 5弾の割り当てられる、1つのmmそれぞれ | |
| 高輝度ライトによって点検される表面汚染 | どれも | |||
産業鎖
炭化ケイ素SiCの産業鎖は基質の物質的な準備、エピタキシアル層の成長、装置製造業および下流の適用に分けられる。炭化ケイ素のモノクリスタルは通常物理的な蒸気伝達（PVT方法）によって準備され、それからエピタキシアル シートは化学気相堆積（CVD方法）によって基質で発生し、関連した装置は最終的になされる。基質の製造技術の難しさによるSiC装置の産業鎖では産業鎖の価値は上流の基質リンクに主に集中される。
ZMSHの会社は提供する100mmおよび150mm SiCのウエファーを提供する。硬度（SiCは世界の第2最も堅い材料である）および熱および高圧流れの下の安定性によって、この材料は複数の企業で広く利用されている。
価格
ZMSHの会社は良質SiCのウエファーおよびSiCの水晶基質のための市場の最もよい価格を6つまでの（6）インチ（直径）提供する。私達の価格の一致の方針の保証対等な指定を含むSiC水晶プロダクトのための最もよい価格。あなたの引用を得る今日接触米国。
カスタム化
カスタマイズされたSiC水晶プロダクトは顧客の特定の条件および指定に合うために作ることができる。
Epiウエファーはまた要望に応じて顧客用である場合もある。
FAQ
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Q:受渡し時間は何であるか。
:（1）標準的なプロダクトのために
目録のため:配達は順序を置いた5仕事日後ある。
カスタマイズされたプロダクトのため:配達は順序を置いた3週後2またはである。
（2）特別型プロダクトのための、配達は順序を置いた後4週労働日数である。
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