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| 起源の場所 | 中国 |
| ブランド名 | SICC |
| 証明 | CE |
| モデル番号 | 4h-n |
2inch Dia50.8mm 4H-Semi SiCの基質の研究の等級の単結晶
2inch dia50mm 330μmの厚さ4H NタイプSiCの基質の生産の等級
2inch炭化ケイ素のウエファー6Hまたは4HのNタイプかSemi-Insulating SiCの基質
4H-Nタイプ/半絶縁SiCの基質2inch 3inch 6inchの炭化ケイ素のウエファー
SiCのsubatrateはである何
SiCの基質は優秀な電気および熱特性がある広いbandgap半導体材料である炭化ケイ素（SiC）から成っているウエファーを示す。SiCの基質は強力なトランジスター、ショットキー ダイオード、紫外線フォトディテクターおよびLEDsのようなさまざまな電子および光電子工学装置を、製造するのに使用することができるSiCまたは他の材料のエピタキシアル層の成長のためのプラットホームとして一般的である。
SiCの基質は他の半導体材料に、より高い絶縁破壊電圧、より高い熱伝導性およびより高い最高使用可能温度を含む優秀な特性に、よる強力な、高温電子工学の適用のためのケイ素のような、好まれる。SiC装置はケイ素 ベースの装置より大いに高温ででき、それらを作動、自動車、宇宙航空の、およびエネルギー適用ののような極度な環境の使用のために適したようにする。
適用
III-Vの窒化物の沈殿
光電子工学装置
強力な装置
高温装置
高周波力装置
特性
| 特性 | 4H SiC単結晶 | 6H SiC単結晶 |
| 格子変数（Å） |
a=3.076 c=10.053 |
a=3.073 c=15.117 |
| 順序の積み重ね | ABCB | ABCACB |
| 密度 | 3.21 | 3.21 |
| Mohsの硬度 | ~9.2 | ~9.2 |
| 熱拡張係数（CTE） （/K） | 4-5 x10-6 | 4-5 x10-6 |
| 屈折の索引@750nm |
= 2.61無し ne = 2.66 |
= 2.60無し ne = 2.65 |
| 比誘電率 | c | 9.66 | c | 9.66 |
| タイプの添加 | NタイプかSemi-insulating | NタイプかSemi-insulating |
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熱伝導性（W/cm-K @298K） （、0.02オームcm Nタイプ） |
a~4.2 c~3.7 |
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熱伝導性（W/cm-K @298K） （Semi-insulatingタイプ） |
a~4.9 c~3.9
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a~4.6 c~3.2
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| バンド ギャップ（eV） | 3.23 | 3.02 |
| 故障の電場（V/cm） | 3-5 x 106 | 3-5 x106 |
| 飽和漂流速度（m/s） | 2.0 x 105 | 2.0 x 105 |
| ウエファーおよび基質のサイズ | ウエファー:2、3、4、6インチ;より小さい基質:10x10、20x20 mmは、他のサイズ利用でき、要望に応じて顧客用である場合もある | |
| プロダクト等級 |
等級のゼロmicropipe密度（MPD < 1="">cm-2） B級の生産の等級（MPD<> 5 cm-2） Cの等級の研究の等級（MPD<> 15 cm-2） Dの等級の模造の等級（MPD<> 30 cm-2） |
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指定
| 直径 | 50.8 | 76.2 | 100 | 150 | mm |
| タイプ | 4H- N （（Semi-Insulating）窒素の）/4H-SI | ||||
| 抵抗 | 4H NI:0.015 | 0.028;4H-SI:>1E5 | Ω.cm | |||
| Thickness* | （330 | 500の） ± 25 | µm | |||
| Orientation* |
オン軸線: <0001> ± 0.5˚ Off-axis:4˚± 0.5˚offの方の（11-20） |
程度 | |||
| 第一次Flat* | （10-10の） ± 5.0˚ | 程度 | |||
| 二次平たい箱 | ケイ素の表面:第一次± 5.0˚からの90˚CW | どれも | 程度 | ||
| TTV* | ≤15 | µm | |||
| Bow* | ≤25 | ≤40 | µm | ||
| Warp* | ≤25 | ≤35 | ≤40 | ≤60 | µm |
| Micropipe密度 | ゼロ:≤1/生産:≤5/ダミー:≤15 | cm-2 | |||
| 荒さ | 磨かれる（Ra≤1） | nm | |||
| CMP （Ra≤0.5） | |||||
産業鎖
炭化ケイ素SiCの産業鎖は基質の物質的な準備、エピタキシアル層の成長、装置製造業および下流の適用に分けられる。炭化ケイ素のモノクリスタルは通常物理的な蒸気伝達（PVT方法）によって準備され、それからエピタキシアル シートは化学気相堆積（CVD方法）によって基質で発生し、関連した装置は最終的になされる。基質の製造技術の難しさによるSiC装置の産業鎖では産業鎖の価値は上流の基質リンクに主に集中される。
ZMSHの会社は提供する100mmおよび150mm SiCのウエファーを提供する。硬度（SiCは世界の第2最も堅い材料である）および熱および高圧流れの下の安定性によって、この材料は複数の企業で広く利用されている。
FAQ
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:（1）標準的なプロダクトのために
目録のため:配達は順序を置いた5仕事日後ある。
カスタマイズされたプロダクトのため:配達は順序を置いた3週後2またはである。
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