プロダクト細部
起源の場所: 中国
ブランド名: ZMSH
証明: rohs
モデル番号: SiC基板
支払いと送料の条件
Packaging Details: customzied plastic box
受渡し時間: 2〜4週間
Payment Terms: T/T
表面硬さ: |
HV0.3>2500 |
断定電圧: |
5.5MV/cm |
張力強度: |
>400MPa |
基質のタイプ: |
基板 |
密度: |
3.21 G/cm3 |
ドーパント: |
N/A |
サイズ: |
カスタマイズ |
熱膨張係数: |
4.5 X 10-6/K |
表面硬さ: |
HV0.3>2500 |
断定電圧: |
5.5MV/cm |
張力強度: |
>400MPa |
基質のタイプ: |
基板 |
密度: |
3.21 G/cm3 |
ドーパント: |
N/A |
サイズ: |
カスタマイズ |
熱膨張係数: |
4.5 X 10-6/K |
SiCエピタキシアル・ウェーファー基板 半導体産業用 4H-N
シリコンカービード (SiC基板工業用磨材として発見されました. 20世紀半ば頃には,SiC基板LED技術に含まれるようになった.それ以来,その有利な物理的特性により,多くの半導体アプリケーションに拡大した.これらの性質は,半導体産業内外での幅広い用途で明らかです.モアーの法則が限界に達しているように見えるため,半導体産業の多くの企業は,未来の半導体材料としてシリコンカービッドを期待しています.
SiC基板半導体業界では,ほとんどの基質は4H-SiCであり,6H-はSiC市場が成長するにつれて少なくなりつつある.4Hと6Hのシリコンカービッドをいうとき, H は結晶格子構造を表す.その数は結晶構造内の原子の積み重ね配列を表す.これは下記のSVM能力表で説明されている.
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4H-N SiC (シリコンカービッド) は,優れた熱伝導性があるため,高性能電子機器に広く使用されている半導体材料です.電気特性と化学的安定性.特に高温,高圧,高周波環境では,4H-N SiCの特性により理想的な選択となりますこの材料は主に高性能の電源装置や電子部品の製造に使用されます.金属酸化半導体フィールド効果トランジスタ (MOSFET) と隔離ゲート双極トランジスタ (IGBT).さらに,4H-N SiCは,LED灯と高周波通信システム用部品の製造にも使用されています.効率的にシステムのエネルギー消費を削減し,全体的なパフォーマンスと信頼性を向上させる.
ZMSH SIC010は汎用性があり,さまざまな産業で使用できます.優れた特性により,高温,高電力,厳しい環境で理想的な選択になります.パーソナライズされたプラスチックボックスにより,シリコンカービッドウエファーを輸送し,保管することが容易になります.
ZMSH SIC 基板製品カスタマイズサービス:
| ブランド名 | ZMSH |
| 支払条件 | T/T |
| 最低注文量 | 10パーセント |
| 表面の荒さ | Ra<0.5nm |
| 圧縮力 | >1000MPa |
| 張力強度 | >400MPa |
商品のパッケージ:
SiC基板製品は,運送中に安全性を確保するために,泡のパッディングに慎重に包まれます.包装された基板は,その後,頑丈な紙箱に置かれ,輸送中に損傷を防ぐために密封されます.
輸送:
SiC基板製品は,DHLやFedExなどの追跡情報を提供する信頼できる宅配サービスで送られます.送料は,目的地と荷物の重量によって異なります運送時間の推計は,受信者の場所にも依存します.
