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2インチシークリシウムカービッド基板 6H 低耐性高Pドーピング型直径 50.8mm

Name: 2インチシークリシウムカービッド基板 6H 低耐性 高Pドーピング型 直径 50.8mm
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 6H-P SiC
Price: 315.00 USD
Availability: InStock

プロダクト細部

起源の場所: 中国

ブランド名: ZMSH

証明: rohs

Model Number: 6H-P SiC

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価格: by case

Packaging Details: customzied plastic box

受渡し時間: 30days

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製品の説明

ハイライト: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                6H シリコンカービッド基板 低抵抗シリコンカービッド基板, Low Resistance Sic Silicon Carbide Substrate
                              

表面硬さ:	HV0.3>2500	密度:	3.21 G/cm3
熱膨張係数:	4.5 X 10-6/K	ダイレクトリ常数:	9.7
張力強度:	>400MPa	材料:	SiC単結晶
サイズ:	2インチ	断定電圧:	5.5MV/cm

表面硬さ:	HV0.3>2500
密度:	3.21 G/cm3
熱膨張係数:	4.5 X 10-6/K
ダイレクトリ常数:	9.7
張力強度:	>400MPa
材料:	SiC単結晶
サイズ:	2インチ
断定電圧:	5.5MV/cm

2インチシークリシウムカービッド基板 6H 低耐性高Pドーピング型直径 50.8mm

製品説明:

2インチシークリシウムカービッド基板 6H 低耐性高Pドーピング型直径 50.8mm

6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) は,熱伝導性が良し,高温耐性のある広いバンドギャップ半導体材料である.高功率および高周波の電子機器に広く使用されているP型ドーピングは,アルミニウム (Al) などの元素を導入することで達成され,この材料は電極正性を持ち,特定の電子機器設計に適しています.帯域は約3.0 eVです.高温・高電圧環境での動作に適している. 熱伝導性は多くの伝統的な半導体材料に優れ,デバイスの効率を改善するのに役立ちます. 機械的強度: 優れた機械的強度,高功率アプリケーションに適しています..

パワーエレクトロニクスでは,MOSFETやIGBTなどの高効率の電源装置の製造に使用できます.高周波アプリケーションで優れた性能があり,通信機器に広く使用されていますLED 技術の分野では,ブルーと紫外線 LED デバイスの基本材料として使用できます.

特徴:

■ 医療機関幅広く帯域のギャップ:帯域のギャップは約3.0 eVで,高温,高電圧,高周波のアプリケーションに適しています.

■ 医療機関優れた熱伝導性: 良い熱伝導性により,熱散を助け,デバイスの性能と信頼性を向上させる.

■ 医療機関高強度と硬さ:高機械強度,断片化防止,耐磨性,厳しい環境での使用に適しています.

■ 医療機関電子移動性:P型ドーピングは,効率的な電子装置をサポートする比較的高いキャリア移動性を維持しています.

■ 医療機関オプティカルプロパティ: LED やレーザーなどの光電子分野に適したユニークなオプティカルプロパティ.

■ 医療機関化学的安定性: 化学的腐食に強い耐性があり,厳しい作業環境に適しています.

■ 医療機関適性強さ:様々な基板材料と組み合わせられ,さまざまなアプリケーションシナリオに適しています.

技術パラメータ:

応用:

■ 医療機関パワーエレクトロニクス: MOSFET や IGBT などの高効率の電力装置の製造に使用され,周波数変換機,電力管理,電気自動車に広く使用されています.
■ 医療機関RF&マイクロ波機器:高周波アンプ,RFパワーアンプで使用され,通信およびレーダーシステムに適しています.

■ 医療機関光電子:LEDとレーザー,特に青と紫外線アプリケーションの基板として使用されます.

■ 医療機関高温センサー: 熱安定性が良いため,高温センサーやモニタリング機器に適しています.

■ 医療機関太陽光発電とエネルギーシステム: 太陽光インバーターや他の再生可能エネルギーアプリケーションで利用され,エネルギー変換効率を向上させる.

■ 医療機関自動車電子機器:電気自動車とハイブリッド車両の電源システムにおける性能最適化と省エネ

■ 医療機関産業用電気機器: エネルギー効率と信頼性を向上させるため,幅広い産業用自動化機器や機械のための電源モジュール.

カスタマイズ:

私たちのSiC基板は6H-Pタイプで利用可能で,RoHS認証されています. 最低注文量は10pcで,価格はケースごとに異なります. 梱包詳細はカスタマイズされたプラスチックボックスです.配達時間は30日以内です. 我々はT/T支払い条件を受け入れます.. 供給能力は1000pc/月です. SiC基板のサイズは直径50.8mm厚さ350μmです. 原産地は中国です.

私たちのサービス:

1工場の直接製造と販売

2速くて正確な引用です

324時間以内に返信します.

4オーダーメイドデザインは可能です.

5速さと貴重な配達

FAQ:

Q: ストックや標準製品がありますか?

A: はい,2インチ0.35mmの標準サイズで常にストックがあります.

Q: 今注文したら配達までどのくらいかかるの?

A: スタンダードサイズは1週間で在庫です支払後に発信できます.

支払期間は50%の預金で配達前に残します

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2インチシークリシウムカービッド基板 6H 低耐性 高Pドーピング型 直径 50.8mm

6H シリコンカービッド基板 低抵抗シリコンカービッド基板

Low Resistance Sic Silicon Carbide Substrate

製品説明:

特徴:

技術パラメータ:

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