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シリコンカービッド SIC ウェーファー 10*10 mm 6H-P 厚さ 350μm 高功率装置用

ブランド名:	ZMSH
モデル番号:	6H-P SiC
MOQ:	10パーセント
価格:	by case
配達時間:	30days
支払条件:	T/T

詳細情報

製品の説明

詳細情報

起源の場所:

中国

証明:

rohs

表面硬さ:

HV0.3>2500

密度:

3.21 G/cm3

熱膨張係数:

4.5 X 10-6/K

ダイレクトリ常数:

9.7

張力強度:

>400MPa

材料:

SiC単結晶

サイズ:

10*10mm

断定電圧:

5.5MV/cm

パッケージの詳細:

カスタマイズされたプラスチックボックス

供給の能力:

1000pc/month

ハイライト:

高功率デバイス SIC ウェーファー

350μm SIC ウェーファー

10*10mm SICウエファー

製品の説明

製品説明:

シリコンカービッド SIC ウェーファー 10*10 mm 6H-P 厚さ 350μm 高功率装置用

6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) は,熱伝導性が良し,高温耐性のある広いバンドギャップ半導体材料である.高功率および高周波の電子機器に広く使用されているP型ドーピングは,アルミニウム (Al) などの元素を導入することで達成され,この材料は電極正性を持ち,特定の電子機器設計に適しています.帯域は約3.0 eVです.高温・高電圧環境での動作に適している. 熱伝導性は多くの伝統的な半導体材料に優れ,デバイスの効率を改善するのに役立ちます. 機械的強度: 優れた機械的強度,高功率アプリケーションに適しています..

パワーエレクトロニクスでは,MOSFETやIGBTなどの高効率の電源装置の製造に使用できます.高周波アプリケーションで優れた性能があり,通信機器に広く使用されていますLED 技術の分野では,ブルーと紫外線 LED デバイスの基本材料として使用できます.

特徴:

■ 医療機関幅広く帯域のギャップ:帯域のギャップは約3.0 eVで,高温,高電圧,高周波のアプリケーションに適しています.

■ 医療機関優れた熱伝導性: 良い熱伝導性により,熱散を助け,デバイスの性能と信頼性を向上させる.

■ 医療機関高強度と硬さ:高機械強度,断片化防止,耐磨性,厳しい環境での使用に適しています.

■ 医療機関電子移動性:P型ドーピングは,効率的な電子装置をサポートする比較的高いキャリア移動性を維持しています.

■ 医療機関オプティカルプロパティ: LED やレーザーなどの光電子分野に適したユニークなオプティカルプロパティ.

■ 医療機関化学的安定性: 化学的腐食に強い耐性があり,厳しい作業環境に適しています.

■ 医療機関適性強さ:様々な基板材料と組み合わせられ,さまざまなアプリケーションシナリオに適しています.

技術パラメータ:

応用:

■ 医療機関パワーエレクトロニクス: MOSFET や IGBT などの高効率の電力装置の製造に使用され,周波数変換機,電力管理,電気自動車に広く使用されています.
■ 医療機関RF&マイクロ波機器:高周波アンプ,RFパワーアンプで使用され,通信およびレーダーシステムに適しています.

■ 医療機関光電子:LEDとレーザー,特に青と紫外線アプリケーションの基板として使用されます.

■ 医療機関高温センサー: 熱安定性が良いため,高温センサーやモニタリング機器に適しています.

■ 医療機関太陽光発電とエネルギーシステム: 太陽光インバーターや他の再生可能エネルギーアプリケーションで利用され,エネルギー変換効率を向上させる.

■ 医療機関自動車電子機器:電気自動車とハイブリッド車両の電源システムにおける性能最適化と省エネ

■ 医療機関産業用電気機器: エネルギー効率と信頼性を向上させるため,幅広い産業用自動化機器や機械のための電源モジュール.

カスタマイズ:

私たちのSiC基板は6H-Pタイプで利用可能で,RoHS認証されています. 最低注文量は10pcで,価格はケースごとに異なります. 梱包詳細はカスタマイズされたプラスチックボックスです.配達時間は30日以内です. 我々はT/T支払い条件を受け入れます.. 私たちの供給能力は1000pc/月です. SiC基板のサイズは10*10mmです. 原産地は中国です.

私たちのサービス:

1工場の直接製造と販売

2速くて正確な引用です

324時間以内に返信します.

4オーダーメイドデザインは可能です.

5速さと貴重な配達

よくある質問

1N型と比べると P型はどうでしょう?
A:P型4H-SiC基板はアルミニウムのような三価元素で補給され,その大半のキャリアは穴があり,高温での良好な伝導性と安定性があります.N型基板リンゴは,リンゴのような五価元素でドープされ,電子を多数担体として持つため,通常は電子の移動性が高く,抵抗性が低くなります.

2Q:P型 SiCの市場見通しは?
A: P型シリコンの市場見通しは非常に前向きで,電気自動車,再生可能エネルギーシステム,そして先進的な産業用アプリケーション.

札:

ガリウム窒化物のウエファー

サファイアのウエファー

SiCの基質

サファイア光学Windows

ICのシリコンの薄片

ワイヤーは機械を見た

総合的なサファイア棒

石英ガラスの版

サファイアの部品

総合的な宝石用原石

半導体装置

LiNbO3ウエファー

リン化インジウムのウエファー

陶磁器の基質

実験室のラッパー

GaAsのウエファー

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商品の詳細

シリコンカービッド SIC ウェーファー 10*10 mm 6H-P 厚さ 350μm 高功率装置用

高功率デバイス SIC ウェーファー

350μm SIC ウェーファー

10*10mm SICウエファー

製品説明:

特徴:

技術パラメータ:

応用:

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4H-N型SiC基板 10x10mmウェーハ パワーエレクトロニクス用

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