6インチシリコンカービッド 半絶縁型 SiC複合基板 P型 N型 シングルポーチ ダブルポーチ 生産グレード

■ 医療機関 高耐性:半絶縁型SiCウエファは10^8~10^10 Ω·cmの耐性に達することができる.この非常に高い抵抗性により,電子機器が互いに干渉するのを効果的に隔離することが可能になります.

■ 医療機関低介電損失:半絶縁型SiCウエファーは,通常10^-4未満の非常に低い介電損失因子を持っています.高周波で動作するときに装置のエネルギー損失を減らすのに役立ちます.

■ 医療機関優れた熱伝導性:SiC材料は高熱伝導性があり,装置によって生成される熱を効果的に伝導することができる.装置の熱管理性能を向上させ,動作安定性を向上させるのに役立ちます.

■ 医療機関高機械強度:半絶縁型SiCウエファは高硬度と折りたたみの強度を持っています.大量の機械的ストレスを耐えることができ,高信頼性の電子機器の製造に適しています..

■ 医療機関化学的安定性:SiC材料は高温で化学的に腐食性のある環境で優れた化学的安定性を持っています.厳しい環境で装置の使用寿命を改善するのに有益です.

■ 医療機関Si と良好な互換性:半絶縁型SiCウエフルの格子定数と熱膨張係数は,シリコンと似ている.装置の製造プロセスを簡素化し,製造コストを削減するのに役立ちます.

1.RFおよびマイクロ波装置:半絶縁型SiCは,低電圧損失と高い絶縁性により,RFおよびマイクロ波統合回路の製造に理想的です.携帯電話通信基地局などの高周波マイクロ波場に適用できますレーダーシステムや衛星通信

2.パワー電子:半絶縁型SiCは優れた熱伝導性と高温特性があり,電力半導体装置の製造に有益である.電力増幅器などの高電力電子機器の製造に使用できます電源の切り替えと電源変換

3.光電子:半絶縁型SiCは放射線抵抗性があり,放射線環境で動作する光検出器装置の製造に使用することができます.放射線耐性に対する厳格な要求のある国家防衛および他の分野.

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