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大画像 : ゲルマニウム・ウェーファー半導体基板 <111> 集中光電CPV オーダーメイドサイズ形
コンタクトパーソン: Mr. Wang
電話番号: +8615801942596
Products:: Copper Heat Sink substrate
銅の純度:: Cu≥99.9%
Type:: Flat Base and Pin-Fin
Thermal conductivity:: ≥380W/(m·K)
材料: インディウムアルセニド
サイズ: 2inch 3inch 4inch
厚さ: 500um/600μm/800μm ±25um
オリエンテーション: <100>
材料:: GEの単結晶
直径:: 2〜450mm
直径の許容量: +/-0.1
表面:: 60-40 スタンダード
材料: MgO シングルクリスタル
産業: 半導体基板,装置
色: ホワイト
結晶構造: 立方体
材料: インディアム・フォスフィード
サイズ: 2インチ/3インチ
厚さ: オーダーメイド
ドーパント: フェ/シ