プロダクト細部
起源の場所: 中国
ブランド名: ZMSH
証明: rohs
モデル番号: ワファーの精密薄化装置
支払いと送料の条件
最小注文数量: 2
価格: by case
受渡し時間: 5〜10ヶ月
支払条件: T/T
互換性のあるウェーファーサイズ:: |
4~12インチ |
互換性のある材料:: |
シ・ウェーファー,シ・シー・ウェーファー,シ・シー・リンゴ |
軸の向き:: |
Z軸 |
最低解像度:: |
0.1um/s |
主軸:: |
水冷却システム |
互換性のあるウェーファーサイズ:: |
4~12インチ |
互換性のある材料:: |
シ・ウェーファー,シ・シー・ウェーファー,シ・シー・リンゴ |
軸の向き:: |
Z軸 |
最低解像度:: |
0.1um/s |
主軸:: |
水冷却システム |
Wafer 薄めシステム 精密薄め装置 SiC Si Wafer 互換性 4 -12インチ Wafer 容量
ワッフル薄化装置の技術概要
Wafer Thinning Equipmentは,シリコン (Si),シリコンカーバイド (SiC),ガリウムアルセニード (GaAs) とサファイア基質を含む4~12インチの脆い半導体材料の精密な薄めを可能にします.厚さ制御精度 ±1μm,総厚さ変動 (TTV) ≤2μmを達成し,先進的なパッケージおよび電源装置製造の厳格な要件を満たすワイファー薄化装置は,磨きパラメータと磨きプロセスの最適化された調整によって,さまざまな材料の特性に正確に適応することを保証します.特にSiCのような広帯半導体の薄化課題に取り組む薄め器具は厚さ偏差を最小限に保ち,表面の粗さも低くします安定した信頼性の高い処理性能を維持するために,自動化されたリアルタイム厚さモニタリングと統合.
ワッフル薄化装置の仕様
| 機器のモデル | 主要 な 利点 |
|---|---|
| 12インチ 半自動 薄め設備 |
- 不規則な製品のためのカスタマイズ可能な真空チャックソリューション
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- 拡張可能な高さ測定範囲最大40mm
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- 統合されたプロセスソリューション
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| 8インチフルオートマティック・スリナー設備 |
- UPHは輸入モデルを上回る (標準ウエファーでは30pcs/h)
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- 不規則な製品の半自動処理に対応する
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- 統合されたプロセスソリューション
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| 12インチフルオートマティック・スリナー設備 |
- 完全自動システム対応
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- 半自動処理に対応する 製品
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- 統合されたプロセスソリューション
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利点:
■成熟し安定した加工技術
■高精度なインフィードスピンドル磨き,優れた加工精度
■ユーザーフレンドリーな操作とエーゴノミックなHMI (ヒューマン・マシン・インターフェイス)
■輸入されたボールスクロール,線形ガイド,高精度サーボモーターによる精密Z軸制御 (最小解像度:0.1μm/s)
■高硬度な空気軸承スピンダルと超精密なワファーチャック組と厚み計が組み合わせられ,プロセスの安定性と信頼性を保証します
機能:
■操作日記の記録
■4"~12"のウエファー材料の互換性
■リアルタイムで高精度の接触厚み測定
■スピンドル水冷却システム
■全自動/半自動動作モード
ウェーファー薄め装置写真
申請
● シリコンベースの電源装置製造: ウェーファー薄化装置はDSCおよび他のシリコン電源装置のためのウェーファー薄化プロセスを可能にします.
複合半導体装置のパッケージング: ウェーファー薄化装置は,GaAs/GaNベースのコンポーネントの基板レベルの薄化をサポートします.
· シリコンカービッド装置加工: ワイファー・ディニング・エクアピレーションは,パワーモジュール要件を満たすために,シリコン・カービッド・インゴット/ワイファーの精密なディニングを可能にします.
加工効果ウェーファー薄め装置
■SiC,GaN,サファイア,GaAs,INPウエフルの高速薄化
■自動化前調整と厚み測定
■高硬さ,低振動 スピンドル,最小のRPM変動 (調整可能なクリープ/高速フィード速度)
Q&A
1Q: ウェーファー薄め装置はカスタマイズをサポートしていますか?
A: オーダーメイドのソリューションを 提供しています. オーダーメイドのレシピ開発など,不規則なウェーファー用の 特殊チャックも提供しています.
2Q: ワッファー・スリング・マシンは,厚さ制御の精度がどのくらいの程度に達成できるのでしょうか?
A:プレミアムモデルは,TTV≤1μm (レーザー干渉測定厚度モニタリングシステム) で ±0.5μmの厚さの均一性を達成します.
タグ: #Wafer 薄めシステム, #SIC, #4/6/8/10/12インチ, #精密薄め機器, #SiC 薄め, #Si 薄め, #サファイア 薄め
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