サファイアウェーハ 8インチ Dia 200mm±0.2mm 厚さ 725Um C面 SSP,DSP 硬度9.0

8インチサファイアウェーハ 200mm径（±0.2mm）、725µm厚、C面SSP、DSP

この高純度8インチ（200mm）サファイアウェーハは、優れた寸法精度（±0.2mm径、725µm厚）と結晶配向（C面）を特徴とし、要求の厳しい光電子および半導体用途に最適です。99.99％の純度と優れた機械的/熱的安定性を備えたこのウェーハは、LED、レーザーダイオード、RFデバイス製造に最適な基板として機能します。均一な表面仕上げと化学的慣性により、過酷な環境下での信頼性が確保され、その大きな直径はコスト効率の高い大量生産をサポートします。

サファイアウェーハの主な特徴

サファイアウェーハの精密な形状:

• 直径：200mm ±0.2mm、標準的な半導体ツールとの互換性を確保。
• 厚さ：725µm ±25µm、機械的強度とプロセス安定性のために最適化。

サファイアウェーハの 超高純度:

• >99.99% (4N) の純度で、光学的/電気的性能に影響を与える不純物を最小限に抑えます。

サファイアウェーハの 堅牢な材料特性:

• 硬度：9 Mohs、取り扱い耐久性のための耐スクラッチ性。
• 熱安定性：融点～2,050℃、高温プロセスに適しています。
• 光学的透明性：可視光から近赤外線スペクトル（350nm～4,500nm）で85％以上。

サファイアウェーハの 表面品質:

• エピタキシー対応研磨：Ra <0.3nmで、欠陥のない薄膜堆積を実現。
• ご要望に応じて両面研磨も可能です。

サファイアウェーハの用途画像

光電子工学におけるサファイアウェーハ：

青色/緑色/白色LED（InGaN/GaNエピタキシー）の基板。

ディスプレイおよび通信におけるレーザーダイオード（エッジ発光/VCSEL）。

サファイアウェーハ in パワーエレクトロニクス：

低誘電損失のため、RFデバイス（5G/6Gアンテナ、パワーアンプ）。

電気自動車用高電子移動度トランジスタ（HEMT）。

サファイアウェーハ in 産業および防衛：

IRウィンドウ、ミサイルドーム（サファイアの中赤外線に対する透明性）。

腐食性/研磨性環境におけるセンサーの保護カバー。

サファイアウェーハ in 新興技術：

量子コンピューティング（SPD結晶基板）。

ウェアラブルデバイススクリーン（耐スクラッチカバー）。

仕様

工場設備