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4H-N SiC:カスタム厚さSSP/DSPポリスティング利用可能 PV&エネルギー貯蔵インバーター

Name: 4H-N SiC:カスタム厚さSSP/DSPポリスティング利用可能 PV&エネルギー貯蔵インバーター
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 4H-N SiC
Price: 315.00 USD
Availability: InStock

ブランド名:	ZMSH
モデル番号:	4H-N SiC
MOQ:	25
価格:	Fluctuates with market
配達時間:	4-9週
支払条件:	T/T

詳細情報

製品の説明

詳細情報

起源の場所:

中国、上海

基材:

sic

サイズ:

デッサンに従ってカスタマイズされる

厚さ:

カスタマイズされた

形:

丸い形,四角形,またはカスタム形

表面:

研磨または用途に応じて

ノッチの位置決め:

数量、サイズ、位置のカスタマイズ可能

製品の説明

4H-N SiCに関する情報

この高純度4H-N型シリコンカービード (4H-N SiC) ウェーファーは,高断熱電圧を必要とする電源半導体装置の製造のために製造された単結晶基板です.高熱伝導性製品には円形の単結晶体体体,精密な厚さ制御,エピ準備された磨きされた表面,制御された結晶学的な軸外向き慎重にプロファイルされたウエファーエッジ.

シンプルな円盤ではなく精密に制御された材料のパラメータを組み込みます均一な電気特性半導体製造プロセス内での安定した熱管理.エピ準備された表面は,後のエピタキシアル堆積のための欠陥最小化基盤を提供します.制御オフ軸の向きは,ステップフローの成長を支援し,アクティブデバイスエリア全体で定義された結晶質を維持することができます. 4H-N SiC:カスタム厚さSSP/DSPポリスティング利用可能 PV&エネルギー貯蔵インバーター

ワッファー仕様には,いくつかのカスタマイズ可能なパラメータと許容量制御が含まれます.これらは,対応するデバイス製造プロセス,上軸成長要件,リトグラフィー機器の規格直径,厚さ,軸外角,抵抗範囲,ドーピング濃度,表面仕上げ,縁プロファイル,平らさ (TTV),客の技術仕様に従ってすべてカスタマイズすることができます.

この4H-N SiCウエファは,電動車両の引力インバーターで使用されるパワーMOSFET,ショットキーバリアダイオード,IGBT,双極結合トランジスタ,その他のパワー半導体装置に適しています.再生可能エネルギー変換機 (太陽光と風力)産業用モーター駆動装置絶電源高電圧スイッチシステム高温電子アプリケーションでは,従来のシリコン基板が断熱電圧に遭遇する可能性があります.,熱伝導性,またはスイッチ周波数制限

テクニカル仕様

ポイント	仕様
製品	4H-N SiC 基板 / ウェーファー
材料	4H N型シリコンカービッド単結晶
成長方法	物理蒸気輸送 (PVT)
結晶構造	六角形 (4H-SiCポリタイプ)
直径	4" / 6" / 8"またはカスタマイズ
厚さ	パーソナライズされた (例えば,350 μm 1000 μm)
オリエンテーション	(0001) Si面/C面,軸外角を調整可能 (典型的には4° / 8° <11-20>)
表面塗装	SSP (単面磨き) /DSP (双面磨き) /ラップ /グランド
表面の質	SEMI 標準 (例えば,40/20,20/10) によるスクラッチ・ディグ
TTV (総厚さの変化)	≤ 5 μm (または顧客の要求に応じて)
弓 / ワープ	磨き: ≤ 0.2 nm / 塗り: ≤ 0.5 μm
荒さ (Ra)	磨き: ≤ 0.2 nm / 塗り: ≤ 0.5 μm
エッジタイプ	必要に応じてカムフレ / 丸め
平らな長さ	パーソナライズ (SEMI標準または顧客の図面)
エッジプロファイル	必要に応じてカムフレ / 丸め
ドーパント / 純度	窒素でドーピングされたN型,高純度単結晶
コーティング	要求に応じて提供される非塗装/カスタム機能塗装
適用する	パワー MOSFET,SBD,EV トラクションインバーター,再生可能エネルギー変換器,産業用電源,高温電子機器

なぜ電源半導体アプリケーションのために4H-N SiC基質を選択するのか?

4H-N SiC基質は,高電圧電子機器の製造,電源半導体エピタキシ,新しいエネルギー発電処理システム高電圧,高周波スイッチ,重電流負荷,高電流,高電圧,高電流,高電流,高電流,高電流,高電圧,高電流,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧,高電圧長期間の高温操作.

伝統的なシリコン,サファイア,一般的なセラミック基板材料と比較して,高純度単結晶4H-N SiC基板は,優れた包括的な物理的および電気的性質を統合しています.高性能の半導体と新エネルギー産業プロセスで置き換えられないものにする主要な利点は以下の通りである.

極端な高温安定性: 溶融点が2830°Cまでで,長期間の高温のエピタキシ,焼却,装置のサービス条件下で安定した結晶構造と電気性能を維持します.効率的に基板の故障と電源装置の熱脱出を回避する. 4H-N SiC:カスタム厚さSSP/DSPポリスティング利用可能 PV&エネルギー貯蔵インバーター

超高断熱電圧シリコン材料よりも10倍高い分解電場を持つ4H-N SiCは,超高電圧装置設計をサポートし,チップ厚さを大幅に削減します.

高性能モジュールの小型化を実現する.

優れた熱伝導性熱伝導性はシリコンの3倍4倍で,電源装置の熱を迅速に散布します.接続温度を効果的に低下させ,設備の継続的な動作安定性を向上させる.

優れた高周波性能: 低スイッチ損失と低寄生容量は高周波スイッチ条件下で安定した動作を可能にし,エネルギーが大幅に改善します

高功率機器の変換効率

安定したN型導電特性: 均一な窒素ドーピングにより,一貫した低抵抗性伝導性が確保され,垂直電源装置の優れた電流伝導と接地性能が保証されます.

優れた化学およびプラズマ耐性: 各種半導体プロセスガスや強いプラズマエッチング環境による腐食に耐性があり,エピタキシ,エッチング,薄膜堆積中に超安定な表面状態を維持します.

長期的信頼性と放射線耐性: 優れた構造的安定性と抗放射線能力により,新エネルギー車両,航空宇宙および工業用高性能機器の厳しい作業条件に適応します.装置の使用寿命の延長.

上記の理由から,4H-N SiC基質は,自動車級の電源MOSFET,ショットキーダイオード,光伏インバーター,エネルギー貯蔵電源モジュール,他の高効率の電源半導体コア部品.

4H-N SiC基板の製造

標準化された4H-N SiC基板の製造を専門としています工業用大量生産と研究開発のための高度な精密度に合わせたソリューションに焦点を当てます固定標準仕様の限界を破って SiC基質を顧客の実用的なエピタキシープロセスパラメータに完全に合わせるワッフル製造要件と装置設計基準.

総合的なカスタマイズオプションは,全プロセス基板パラメータとサポート構造をカバーします.

4H-N SiC基板コアパラメータ

ワッフル直径 (2/4/6/8インチと特別なカスタムサイズ)

基板の厚さ

結晶の向き (Si面/C面,軸外角を調整できる0°~8°)

抵抗範囲と窒素ドーピング濃度

縁の形状とチャンファリングの仕様

平面/ノッチ位置設計

表面の荒さ,平らさ,TTV,ワープ/弓表示

双面/一面要求 (SSP/DSP)

超清潔な表面処理とストレス緩和処理

構造構成要素のマッチング

ウェーファーキャリヤーフィクチャーサイズカスタマイズ

位置穴と溝の加工

メタルのマッチングベースと袖構造

インターフェースの設置・固定仕様

基板と補助部品の統合組成

4H-N SiC基板と対応する金属/セラミック部品で組み立てられた完成した統合部品を顧客の直接設置と使用ニーズを満たすために提供することができます.

交換・逆エンジニアリングサービス

生産を中止した4H-N SiC基板,入手が難しいオリジナル・ウェーバー,特殊半導体加工機器のための非標準化パーソナライズされた基板については,我々は,プロのリバースエンジニアリングと代替製造サービスを提供します顧客は,評価とオートメントのために以下の情報を提供することができます:

原装部品番号

詳細な技術図とパラメータ仕様

鮮明な製品写真と物理サンプル (新品/使用品)

キーダイメンショナル,結晶,電気パラメータデータ

エピタキシ機器のモデルとバッチ情報

特定のアプリケーションシナリオとプロセス環境パラメータ

材料の水晶質や電気性能を徹底的に評価します正式なオート前に加工の困難と製造の実行可能性すべてのカスタマイズされた SiC 基質は,エピタキシ互換性と装置の出力のために最適化されます.最終的なマッチング性能は,使用効果の差がゼロであることを確保するために,顧客の実際の機器構成と生産プロセス基準に従って確認されなければならない..

品質管理

4H-N SiC基板の品質検査を実施しています客のプロジェクト要件とSEMI業界標準に従って,標的検査項目と完全なテストレポートを提供することができます基本の検査内容には,以下が含まれます.

全次元精密検査 (直径,厚さ,許容量校正)

結晶の向きと軸外角の精度検出 4H-N SiC:カスタム厚さSSP/DSPポリスティング利用可能 PV&エネルギー貯蔵インバーター

抵抗性均一性およびドーピング濃度試験

表面の平坦性,TTV,弓/歪み,荒さ試験

視覚障害の検査 (傷痕,穴,裂け目,多型の挿入物)

表面の清潔さと内部ストレスの検出

組立精度とマッチング・トレランスの検査

プロの抗衝突と防塵のパッケージ検査

顧客からの入荷材料の検証と生産品質の追跡を支えるため,完全な試験データを含む正式な検査報告書が提供され得る..

引金を求めるためにどんな情報を送らなければなりませんか

正確な価格表と短めの配達サイクルを確保するために,次の詳細な情報をご提供ください.

閲覧の際の情報

完全な製品技術図とパラメータシート

基板の直径,厚さ,容量要件

結晶の向き,軸外角,抵抗範囲

表面仕上げ,磨き質,清潔性に関する要件

対応する補助部品のパラメータ (該当する場合)

エピタキシー機器のブランド,モデル,補助プロセス条件

オリジナルOEM部品番号

必要な量とバッチ需要

特定の申請プロセスと極端な環境要求

完全な技術図が入手できない場合は,我々のチームにパラメータ試験とスキーム評価を行うために,明確な高解像度写真とSiC基板の物理サンプルを提供してください.

よくある質問

4H-N SiC 基質は主に何に使われますか?

4H-N SiC基板は,主にSiC MOSFET,シュトキーバリアダイオード,高電圧電源モジュール,新エネルギー車両の電気制御システム,太陽光発電の風力インバーター,工業用高周波電源,航空宇宙用高温電子機器,高電圧用,高周波および高熱流のエピタキシおよびチップ製造プロセス.

SiC基板の組み立て部品を提供できますか?

4H-N SiC基板の片片のウエファーに加えて位置付け部品と完成した統合組成物図面とサンプル要件に従って単一の支援供給を実現する.

古い特殊機器の SiC 基板を製造できますか?

はい.私たちは,設計に基づく生産とサンプルリバースエンジニアリングを含む完全なサービスカスタマイズ製造をサポートします. 顧客はオリジナル部品番号,技術パラメータ,物理サンプルと機器に関する情報代替製造を完了します. そして,私たちのチームは,

4H-N SiC基板の全てのコアパラメータをカスタマイズできますか?

キーパラメータは全てワッフルサイズ厚さ結晶の向き軸外角抵抗力縁加工表面の荒さと平らさは,個人化R&Dと大量生産のニーズを満たすために顧客のエピタキシプロセス要件に従って完全にカスタマイズすることができます..

小批量やプロトタイプの注文は支持しますか?

ええ.我々はプロトタイプ開発,実験室の小批量テスト, 機器のメンテナンスの交換と大量生産の批量注文を全面的に支持します.生産スケジュールと定番のパラメータと処理の困難に応じて引用を評価します.

サファイアのウエファー

SiCの基質

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ICのシリコンの薄片

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総合的な宝石用原石

半導体装置

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リン化インジウムのウエファー

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ガリウム窒化物のウエファー

GaAsのウエファー