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家プロダクト

Sic Wafer HPSI：High-purity semi-insulating High thermal conductivity MPD controllable

ブランド名:	ZMSH
モデル番号:	SiCウェハHPSI
MOQ:	25
価格:	Fluctuates with market
配達時間:	2～4週間
支払条件:	T/T

詳細情報

製品の説明

詳細情報

起源の場所:

中国、上海

ポリタイプ:

主流の4H-SiC

直径:

4/6/8インチが利用可能

厚さ:

標準サイズは350μm、500μm、650μm

抵抗率:

≥1×10¹⁰ Ω・cm (HPSI コア電気仕様)

表面処理:

片面・両面CMP鏡面研磨

Micropipe密度:

量産グレード ≤1 ea/cm²

製品の説明

Information of HPSI SiC Wafers HPSI (High Purity Semi-Insulating) silicon carbide wafers are critical foundational substrates for high-frequency GaN RF devices and advanced third-generation semiconductors. With the rapid expansion of 5G communication, millimeter-wave radar and aerospace electronics markets, the global SiC substrate market is projected to exceed USD 2 billion by 2030, playing an irreplaceable strategic role in next-generation wireless communication and high

札:

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