12インチ サファイアウェハー：C面 SSP / DSP 光電子デバイス 12インチ 工業グレード

製品概要

12インチ (300mm) のサファイア・ウェーファーは,サファイア基板部門で高級の大フォーマット仕様である.4N5から5N級の高純度合成単結アルミナ (α-Al2O3) から製造される.単結晶のブロックがKyropoulos方法のような先進的なプロセスで育てられ,その後は多線切断を含む半導体級の手順で精密ラッピングと化学機械磨き (CMP).3代目の半導体産業のための大型基礎基板として,12インチ標準半導体生産ラインに完全に互換性があります.効果的表頭軸面積は,約9倍で 4インチの表頭軸と 28インチワッフルの0.25倍で,チップ出力を大幅に増やし,チップ毎の基板コストを大幅に削減します.この製品は,大きな大きさの結晶成長の均一性などの技術的な困難を克服します.総平面性制御と高温処理における曲面耐性そして次世代ミニ/マイクロLEDディスプレイと大型のGaN電源装置の大量生産のためのコアサポート材料として機能します.

基本的技術特性

1超大型フォーマット 量産

300mm の大きな直径で基板面積が飛躍的に増加します. 12インチ標準MOCVDエピタキシ機器と半導体バックエンド生産ラインと互換性があります.8インチワッフルと比較して,各バッチのチップ出力を2倍以上増やす設備の減価償却とプロセスコストを大幅に償却しました光電子機器および電力機器産業におけるコスト削減と効率向上のための主要な技術アップグレード方向です.

2高均一性 高純度 シングルクリスタル素材

高純度アルミニウム原材料から単結晶を生産し,大きなリゴット内の軸間および半径間不純分布を厳格に制御する.円盤全体に一貫した結晶構造と均質な外転密度を確保する大型のサファイア結晶でよく見られる部品分離や不均等なストレスのような問題を解決し,エピタキシアル成長とデバイスのパフォーマンスのウェファー全体の一貫性を保証します.

3大型機材の高温熱安定性
2050°Cの溶融点で,結晶構造は1000~1200°Cの高温エピタキシ環境下で安定している.結晶成長ストレス規制と処理ストレス緩和プロセスを通して高温サイクリングプロセス中に,高サイズウエファの歪みや変形を効果的に抑制し,上軸層の成長と装置の収力の均一性を確保します.

4絶好の電気隔熱と電解質特質
固有高純度サファイアには,室温抵抗が1014 Ω センチメートル以上であり,優れた電気隔熱と超低解電損失を有する.装置間の信頼性の高い電気隔離を提供します高電圧下で漏れや信号交差を抑制し,高電圧のGaN電源装置と高周波RF装置の性能要件を満たす.

5超精密な表面平坦度制御

単面磨き (SSP) と双面磨き (DSP) の両方が利用可能である.上軸表面はCMPによって原子レベルの平らさを達成し,磨いた表面粗さRa ≤ 0.2nmである.12インチ大フォーマットの特徴をターゲットに全世界の総厚さ変化 (TTV),弓と曲線が特別に制御され,卓越したウエファー幅の平坦性均一性があり,大型のMOCVD表軸成長の要件を完全に満たしています.

6優れた化学とプラズマ耐性
サファイアには非常に強い化学的惰性があり,室温ではほとんどの酸,塩基,有機溶媒に溶けない.プラズマエッチングなどの厳しいプロセス環境に耐えることができる.半導体製造における湿浄化と高温焼却表面に最小限の腐食損傷と粒子の流出を伴い,プロセスの清潔さと装置の長期的信頼性を保証します.

7複数の結晶の向きと完全なパラメータのカスタマイズ

C平面 (0001) の向きは標準で供給され,A平面,R平面,M平面を含む特殊な向きも提供されており,オフアングルの仕様もカスタマイズできます.ワッフルの厚さなどのパラメータ, エッジチャンファー,ノッチ,表面の清潔さは,すべて顧客の要求に応じてカスタマイズされ,異なるデバイスプロセスと機器規格に適応できます.

8高い機械的強度と標準プロセス互換性

モース硬度9で,優れた機械的硬さと屈曲耐性を有する.エッジ・チャンファーリングとストレスの緩和プロセスは,大型のウエファーに最適化されています.薄化などの様々な後処理処理に耐えるようにする12インチの標準的な半導体機器の処理流量に対応する.

標準仕様

典型的な用途

1. ディスプレイ光電子フィールド:大型ミニ/マイクロLEDディスプレイチップ,高級ディスプレイパネルの大量生産ラインの上軸成長
2. パワー半導体分野: 12インチガナ基の高圧電源装置,高速充電チップ,自動車電源電子機器の大量生産
3. 集積回路フィールド:シリコン・オン・サファイア (SOS) RF集積回路,12インチの互換性のある高周波マイクロ電子機器
4. 光窓フィールド: 大型の高精度光窓,赤外線検出窓,特殊光学保護部品
5. 特殊電子分野:高温電子機器,航空宇宙級の放射線耐性電子部品,MEMSセンサーのための大型基板

品質管理

半導体級の特殊な全プロセス品質管理システムが12インチ大型のウエフラーに設置される.ウエフラー全体の多次元検査が各バッチに実施される.分析証明書 (COA) を提供できます主要な検査項目には,ウェーファー全体の寸法精度と厚さ均一性検査,結晶向き偏差検証,全体的な平坦性および粗さスキャン,ワッフル全体の視覚障害マッピング検査大型製品のパラメータ一貫性とプロセス信頼性を確保する.

よくある質問

12 インチのサファイアウエフと 6 / 8 インチの小さなウエフの主な違いは何ですか?

12インチ (300mm) のウエファーでは,使用可能な上位軸面積が大きくなり,8.8インチウエファの2.25倍,4.8インチウエファの9倍になる.12インチ標準半導体生産ラインと高容量MOCVD反応器と互換性があります, 批量あたりチップ出力を大幅に増加させ,チップ単位コストを下げます.それはミニ/マイクロLEDディスプレイと高電圧GaN電源装置の大規模生産のために設計されています.6/8インチのウエファは研究開発に広く使われています標準的なLEDラインです.

12インチのサファイアウエフルの厚さは オーダーメイドできますか?

はい.標準厚さオプションは800μm,1000μmと1200μmを含みます.そしてカスタム厚さ仕様は,顧客のプロセス要件に応じて製造することができます.ボークとウォープは,すべての厚さオプションで厳格に制御され,ウエファー全体の平坦性とプロセス互換性を保証します.

C平面 (0001) 以外の結晶の向きを提案していますか? 角度を調整できますか?

    はい. GaN LED と電源装置のエピタキシの標準的なC平面方向に加えて,A平面,R平面,M平面方向はSOS RF装置で利用できます.非極的GaN装置と特殊光学アプリケーション精密なオフアングルは,顧客図面またはエピタキシャルフィルム品質とデバイス出力を最適化するために,エピタキシャルプロセスの要件に応じてカスタマイズすることもできます.

12インチワッフルに PSS パターンリングや金属化などの追加処理が適用できますか?

    はい.PSS/NPSSパターニング,完全または局所的なバックサイド金属化,精密なエッジチャマーリング,超薄質のウエファー薄化を含む付加価値サービスが提供されています.実行可能性はパターンサイズに依存する厚さ,必要とする機械的強度.

高温処理で12インチ大きなサイズのサファイアウエフルの 曲面はどのように制御されますか? 

    製造チェーン全体を通して 制御されています 晶体の成長ストレスを最適化し ブロックの成長中に残留ストレスを放出しますそして,精密なエッジチャンファリング設計を適用します高温のMOCVDプロセス下で次元安定性と均質な表軸成長を確保するために,弓と曲線値は配送前に厳格に検査されます.

12インチサファイアウエフルの 小批量プロトタイプを サポートしますか?

ええ.プロトタイプ数量,実験用量量, メンテナンスの交換注文は全て受け入れられます.処理困難度と要求される品質グレード.

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