logo
ホーム 製品

リン化インジウムのウエファー

オンラインです

リン化インジウムのウエファー

(34)
中国 InP FPエピワファー InP基板 n/pタイプ 2 3 4インチ 厚さ 350-650um 光網作業用 工場

InP FPエピワファー InP基板 n/pタイプ 2 3 4インチ 厚さ 350-650um 光網作業用

InP FPエピワファー InP基板 n/pタイプ 2 3 4インチ 厚さ350-650um 光網作業用 InP エピワファーの概要 インディアム・フォスフィード (InP) エピワファーは,高度な光電子機器,特にファブリ・ペロット (FP) レーザー二極管で使用される重要な材料である.InP ... 続きを読む
2024-09-10 15:33:00
中国 2インチ MgO ウェファの厚さ 500um オリエンテーション<100> クリスタル マグネシウムオキシド クリスタル カスタマイズ 工場

2インチ MgO ウェファの厚さ 500um オリエンテーション<100> クリスタル マグネシウムオキシド クリスタル カスタマイズ

MgO・ウエファー,マグネシウム・オキシド・ウエファー,MgO・サブストラート,マグネシウム・オキシド・サブストラート, , , ,1インチ MgO, 2インチ MgO, 3インチ MgO, MgO・モノ結晶基板 MgO の性質 - 使用するMgO モノクリスタル作る - デザインアートワークでカス... 続きを読む
2024-08-23 14:06:08
中国 2&quot; InSb-Te EPI サブストラット 狭帯半導体 サブストラット ホールの部品 工場

2" InSb-Te EPI サブストラット 狭帯半導体 サブストラット ホールの部品

2 InSb-Te EPI サブストラット 狭いバンドギャップ 半導体 サブストラット ホール部品 InSb-Teの説明: インディウムアンチモニード (インSb半導体材料のグループIII-Vのバイナリー化合物として,半導体発見以来,安定した物理的および化学的特性と優れたプロセス互換性を持つ材料です... 続きを読む
2023-11-27 17:03:31
中国 3 &quot; 型 型 型 型 型 型 型 型 型 型 型 型 工場

3 " 型 型 型 型 型 型 型 型 型 型 型 型

3 脱毛インSbウエファー IR検出器 光二極子 熱画像センサー 85 GHz 記述: 1インディウムアンチモニードは赤外線スペクトルに属する直帯ギャップ半導体材料です. 2インディアムアンチモニード (InSb) は,インディアム (In) とアンチモニウム (Sb) 元素からなる化合物半導体材料... 続きを読む
2023-11-27 09:50:55
中国 2&#039; 4&#039; InP ウェーファー インディウム・フォスフィード ウェーファー 半導体基板 350um 650um 工場

2' 4' InP ウェーファー インディウム・フォスフィード ウェーファー 半導体基板 350um 650um

2' 4' InP ウェーファー インディウム・フォスフィード ウェーファー 半導体基板 350um 650um 記述INPウエファー: InP (インディウム・フォスフィード) チップは,光二極管,レーザー,光電センサーなどの高性能光電子機器の製造に使用される半導体材料です. 結晶構造: InPチ... 続きを読む
2023-10-26 11:04:11
中国 インディウム・フォスフィード・ウェーファー INP 半導体基板 エピタキス 2&#039;&#039; 3&#039; 4&#039; 厚さ 350um 工場

インディウム・フォスフィード・ウェーファー INP 半導体基板 エピタキス 2'' 3' 4' 厚さ 350um

インディアム・フォスフィード・ウェーファー INP 半導体基板 エピタキシアル 2'' 3' 厚さ 350um 記述インディアム・フォスフィード: インディアム・フォスフィード (InP) チップは,光電子機器および半導体装置で広く使用される材料である.以下の利点がある: 高電子移動性: インディア... 続きを読む
2023-10-26 11:03:32
中国 GaSb 工場

GaSb

2-6インチ ガリウム リン化物(ギャップ)の水晶水晶基質、ギャップのウエファー ZMKJの缶は直径の電子および光電子工学の企業に良質の単結晶のギャップのウエファー(ガリウム リン化物)を2インチまで提供します。ガリウム リン化物(ギャップ)の水晶は2つの要素、ガリウムおよびリン化物の液体によっ... 続きを読む
2023-06-19 14:49:44
中国 低いEPDの2inch 3inch 4inch 6inch NのタイプGEのゲルマニウムのウエファー 工場

低いEPDの2inch 3inch 4inch 6inch NのタイプGEのゲルマニウムのウエファー

低いEPDの2inch 3inch 4inch 6inch NのタイプGEのゲルマニウムのウエファー GEのウエファー ゲルマニウムは半導体デバイスおよび赤外線光学装置を作るための材料である。それは固体物理学およびソリッド ステート電子工学の開発の重要な役割を担う。ゲルマニウムに5.32g/cmの溶... 続きを読む
2023-06-19 14:26:34
中国 高い屈折するDSP表面GEのゲルマニウムのウエファー 工場

高い屈折するDSP表面GEのゲルマニウムのウエファー

2inch 4inch 6inch NのタイプPのタイプはゲルマニウムの単結晶のウエファーを添加した、 ゲルマニウムの単結晶の光学版 GEのウエファー/GEの窓 ゲルマニウム(GE)は高性能8-12 um波長バンドの赤外線イメージ投射 システムのための優先するレンズおよび窓材料である。その高いr.i... 続きを読む
2023-06-08 10:46:33
中国 Pのタイプ/NのタイプGEの基質のゲルマニウムのウエファー2inch 3inch 4inch 工場

Pのタイプ/NのタイプGEの基質のゲルマニウムのウエファー2inch 3inch 4inch

4inch 6inchのゲルマニウムの単結晶GEの基質のウエファー、カスタマイズされたGEの光学レンズ 2inch 3inch 4inch PタイプのNタイプGEの基質のゲルマニウムのウエファー ゲルマニウムの基質 適用:半導体デバイス、赤外線光線の光学装置、太陽電池の沈降材料の生産で使用されるゲル... 続きを読む
2022-10-28 09:33:21
Page 2 of 4|< 1 2 3 4 >|