銅熱槽 基板 平底ピン型 高性能電子装置 Cu≥99.9%
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InP FPエピワファー InP基板 n/pタイプ 2 3 4インチ 厚さ 350-650um 光網作業用2024-09-10 15:33:00 |
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2インチ MgO ウェファの厚さ 500um オリエンテーション<100> クリスタル マグネシウムオキシド クリスタル カスタマイズ2024-08-23 14:06:08 |
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2" InSb-Te EPI サブストラット 狭帯半導体 サブストラット ホールの部品2023-11-27 17:03:31 |
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3 " 型 型 型 型 型 型 型 型 型 型 型 型2023-11-27 09:50:55 |
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2' 4' InP ウェーファー インディウム・フォスフィード ウェーファー 半導体基板 350um 650um2023-10-26 11:04:11 |
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インディウム・フォスフィード・ウェーファー INP 半導体基板 エピタキス 2'' 3' 4' 厚さ 350um2023-10-26 11:03:32 |
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低いEPDの2inch 3inch 4inch 6inch NのタイプGEのゲルマニウムのウエファー2023-06-19 14:26:34 |
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高い屈折するDSP表面GEのゲルマニウムのウエファー2023-06-08 10:46:33 |
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Pのタイプ/NのタイプGEの基質のゲルマニウムのウエファー2inch 3inch 4inch2022-10-28 09:33:21 |