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10x10x0.5mm HPSI 1sp 2sp 4H-SEMI SICの炭化ケイ素Wafersubstrate

SiCの基質
2022-09-09
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要求のパワー エレクトロニクスのための高い水晶質 交通機関、エネルギーおよび産業市場が展開するように、信頼できる、高性能のパワー エレクトロニクスのために育ち続ける要求しなさい。改善された半導体の性能のための必要性を満たすためには、装置製造業者は4H nのタイプの炭化ケイ素(SiC)のウエファーの私達の4H SiCの主な等級のような広いbandgapの半導体材料に、見ている。信頼でき、準備ができた ... もっと眺め
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