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4° 軸外 SiC 基板 2 インチ 高温 適用 エピタキシアル ウェーファー

SiCの基質
2024-05-29
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#sicのウエファー #sicの基質 #炭化ケイ素の基質
4° 軸外 SiC 基板 2 インチ 高温 適用 エピタキシアル ウェーファー 製品説明: 表面粗さもRa2500 モース硬度 9 応用: SiC基板材料は,熱膨張係数4.5 X 10-6/Kを有し,高性能基板型である.表面平坦度は λ/10@632.8nm,表面硬度は HV0.3>2500である.材料はSiCモノクリスタル耐久性と強さで知られる高品質の材料です これらのシリコンカービッドウエファ... もっと眺め
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