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| Material: | 99.999％ Al2O3 | Size: | Customized |
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| Vision Light Transmissivity: | 90％ | Suraface: | DSP |
| TTV: | ≤ 10um | Industry: | LED chip manufacturing, Optical Windows and sensors |
| ハイライト: | パワーエレクトロニクス サファイア・ウェーファー,150mm サファイア・ウェーファー,350μm サファイア・ウェーファー |
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製品説明
6インチサファイア・ウェーファーDSP 直径150mm 厚さ350μm パワー電子機器用
6インチサファイア・ウエファーは,エッジ定義フィルム・フィード・グロース (EFG) またはカイロポルス (KY) 方法により,単結晶のアルミ酸化物 (α-Al2O3) から製造された大型の光学グレードの基板である.150mm±0 の標準化寸法半導体の第3世代にとって重要な基板として,6インチのサファイア・ウエファー高い光学伝達率 (>可視スペクトル85%),低格子不一致率 (13% GaN) と優れた機械安定性を組み合わせ,高亮度LEDの製造に最適マイクロLEDその広域形式は,チップ1台あたりコストを削減しながら,エピタキシアル生産効率を大幅に向上させます.光電子と半導体産業における進歩を推進する.
主要 な 特徴
1.6インチサファイア・ウエフラー優れたクリスタル品質:
表面粗さRa<0.3nm (C平面から磨き) と dislocation密度 <103cm−2で,GaNエピタキシの原子レベルの平ら性要件を満たしています.
· 結晶の向きの精度 ±0.1° (C,R,A平面の向きで利用可能).
2.6インチサファイア・ウエフラー光学性能:
· 85%の可視スペクトル (400~800nm) と> 80%の紫外線範囲 (250~400nm) で,UV光子装置に適しています.
● LED 光抽出効率を30%以上向上させるため,カスタマイズ可能なダブルサイド・ポーリング (DSP) またはパターン付きサファイア基板 (PSS) 構造
3.6インチサファイア・ウエフラー熱・機械安定性:
溶融点 2040°C と CTE (5.3×10−6/°C と GaN) が一致し,熱圧割れを最小限に抑える.
●MOCVD/PECVD堆積プロセスにプラズマ耐性がある.
4.6インチサファイア・ウエフラー大面積の利点:
・ 6インチワッフルあたり使用可能なチップ面積が4インチワッフルに比べて50%増になり,単位の生産コストが大幅に削減される.
テクニカルパラメータ
| 資産 | 6インチ |
| 直径 | 150±0.1mm |
| 厚さ | 350±15um |
| 500 ± 15 um | |
| 1000±15um | |
| 荒さ | Ra ≤ 0.2nm |
| ワープ | ≤ 15um |
| TTV | ≤ 10um |
| スクラッチ/掘り | 20/10 |
| ポーランド語 | DSP (ダブルサイド・ポーリング);SSP (シングルサイド・ポーリング) |
| 形状 | 円,平ら 16mm;長さ 22mm;長さ 30/32.5mm;長さ 47.5mm; NOTCH; NOTCH |
| エッジ形式 | 45°C 形状 |
| 材料 | サファイア結晶,溶融クォーツ JGS1/JGS2; BF33,D263; EXGガラス |
| コメント | 上記のすべての仕様は,あなたの要求に応じてカスタマイズすることができます |
主要用途
1. LED製造:
6インチサファイア・ウエファーGaNエピタキスの主要基質である6インチサファイアウエファーは,次世代超高画質ディスプレイをサポートする高明るさのLEDとミニ/マイクロLEDディスプレイチップの高出力生産を可能にします.
2パワー電子:
6インチのサファイア・ウエファーです高周波/高電力操作を必要とする5GベースステーションとEV電源インバーター用のGaN-on-sapphire HEMT装置で使用される.
3.オー電気部品:
精密に磨き上げると6インチのサファイア・ウエファー極端な環境の窓 (宇宙船) や放射線抵抗性のあるUVセンサー基板として使用する.
4.S半導体装置:
6インチのサファイア・ウエファー腐食耐性があり,高隔熱性 (抵抗力 >1014 Ω·cm) のキャリアプレートとして,エッチング/イオン植入システムに使用される.
よくある質問
1Q:なぜマイクロLEDの生産のために 6インチサファイアのウエファーを選ぶのですか?
A: 6インチのサファイアウエファーは,Ra≤0.2nmの表面仕上げの4インチのウエファよりも50%の使用面積を多く提供し,高出力マイクロLEDの製造が可能になります.
26インチのサファイアウエファーは GaN電源装置に適していますか?
A:そうです.低格子不一致 (GaNと13%) と熱安定性 (CTE 5.3×10−6/°C) はパワー電子機器の性能を最適化します.
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コンタクトパーソン: Mr. Wang
電話番号: +8615801942596
