私たちの2インチ~12インチの4H-N型炭化ケイ素ウェーハのために設計された高品質 SiC 基板です。パワーエレクトロニクス、半導体デバイスの製造、研究そして発達、 そして高度な電子アプリケーション。 4H-N SiC ウェーハは、優れた熱伝導率、広いバンドギャップ特性、高い降伏電界、強力な化学的安定性を備えており、高出力、高電圧、高周波、高温の環境で広く使用されています。
プロの半導体材料サプライヤーとして、当社は 2 インチ、3 インチ、4 インチ、6 インチ、8 インチ、12 インチのオプションを含む複数の直径の 4H-N タイプの SiC ウェーハを提供しています。顧客の要件に応じて、さまざまな厚さ、配向、抵抗率範囲、表面仕上げ、ウェーハグレードをカスタマイズできます。
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4H-N型炭化ケイ素ウェハは、4H結晶構造をベースとした導電性SiC基板です。収縮。
従来のシリコンウェーハと比較して、SiCウェーハは次のような特長を備えています。より高い熱伝導率、より優れた電力処理能力、より高い耐熱性、 そして効率の向上要求の厳しいパワー半導体アプリケーションに最適です。
これらの利点により、4H-N SiC ウェーハは、SiC MOSFET、ショットキー バリア ダイオード、パワー モジュール、RF デバイス、センサー、およびその他の次世代半導体デバイスにとって理想的な基板の選択肢となります。
プロジェクトの要件に応じて、さまざまな直径の 4H-N タイプの SiC ウェーハを供給できます。
実験室での研究やテスト用に小型のウェーハが必要な場合でも、デバイス開発や生産評価用に大型のウェーハが必要な場合でも、当社は適切な SiC 基板ソリューションを提供できます。
当社の 4H-N タイプ SiC ウェーハは、以下を含む幅広い半導体およびパワー エレクトロニクス アプリケーションに適しています。
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お客様のアプリケーション要件に基づいてカスタマイズされた 4H-N タイプの SiC ウェーハを提供できます。一般的なカスタマイズ可能なパラメータは次のとおりです。
特定の技術要件、図面、データシート、または対象アプリケーションをお持ちの場合、当社のチームがお客様のプロジェクトに最適な SiC ウェーハ ソリューションの評価をお手伝いします。
当社は、世界中のお客様に信頼性の高い半導体基板材料を提供することに注力しています。当社の4H-N系炭化ケイ素ウェーハは、研究、開発、半導体製造評価において安定したパフォーマンスをサポートするために、厳選、加工、検査を行っています。
柔軟なカスタマイズ、迅速な技術サポート、半導体および光学材料供給の経験により、当社はお客様がさまざまな用途に適した SiC ウェーハ ソリューションを見つけるお手伝いをします。
2インチ~12インチの4H-N系炭化珪素ウェーハをお探しの場合は、ウェーハ径、厚さ、方位、抵抗率、表面仕上げ、グレード、数量などご希望の仕様をご連絡ください。
当社のチームがお客様の要件を検討し、プロジェクトに適切な見積もり、リードタイム、技術サポートを提供します。