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商品の詳細

Created with Pixso. Created with Pixso. プロダクト Created with Pixso.
サファイアのウエファー
Created with Pixso. 2インチから12インチまでの4H-N型シリコンカービッド・ウェーバー

2インチから12インチまでの4H-N型シリコンカービッド・ウェーバー

詳細情報
製品の説明

2 インチ~12 インチの 4H-N タイプ炭化ケイ素ウェハ、パワー エレクトロニクスおよび半導体アプリケーション用の SiC 基板


私たちの2インチ~12インチの4H-N型炭化ケイ素ウェーハのために設計された高品質 SiC 基板です。パワーエレクトロニクス半導体デバイスの製造研究そして発達、 そして高度な電子アプリケーション。 4H-N SiC ウェーハは、優れた熱伝導率、広いバンドギャップ特性、高い降伏電界、強力な化学的安定性を備えており、高出力、高電圧、高周波、高温の環境で広く使用されています。

プロの半導体材料サプライヤーとして、当社は 2 インチ、3 インチ、4 インチ、6 インチ、8 インチ、12 インチのオプションを含む複数の直径の 4H-N タイプの SiC ウェーハを提供しています。顧客の要件に応じて、さまざまな厚さ、配向、抵抗率範囲、表面仕上げ、ウェーハグレードをカスタマイズできます。


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2インチから12インチまでの4H-N型シリコンカービッド・ウェーバー 2

製品概要


4H-N型炭化ケイ素ウェハは、4H結晶構造をベースとした導電性SiC基板です。収縮。


従来のシリコンウェーハと比較して、SiCウェーハは次のような特長を備えています。より高い熱伝導率より優れた電力処理能力より高い耐熱性、 そして効率の向上要求の厳しいパワー半導体アプリケーションに最適です。


これらの利点により、4H-N SiC ウェーハは、SiC MOSFET、ショットキー バリア ダイオード、パワー モジュール、RF デバイス、センサー、およびその他の次世代半導体デバイスにとって理想的な基板の選択肢となります。









利用可能なウェーハサイズ


プロジェクトの要件に応じて、さまざまな直径の 4H-N タイプの SiC ウェーハを供給できます。

  • 2インチ 4H-N SiCウェハ
  • 3インチ4H-N SiCウェハ
  • 4インチ4H-N SiCウェハ
  • 6インチ4H-N SiCウェハ
  • 8インチ4H-N SiCウェハ
  • 12インチ4H-N SiCウェハ

実験室での研究やテスト用に小型のウェーハが必要な場合でも、デバイス開発や生産評価用に大型のウェーハが必要な場合でも、当社は適切な SiC 基板ソリューションを提供できます。









主な特長


  • 4H-N型炭化珪素基板
  • 2インチから12インチまで利用可能
  • 優れた熱伝導性
  • 高電圧用途向けのワイドバンドギャップ材料
  • 高絶縁破壊電界
  • 優れた機械的強度と化学的安定性
  • 高出力および高周波デバイスに最適
  • 片面研磨、両面研磨、エピ対応オプションが利用可能
  • ご要望に応じてダミーグレード、テストグレード、プライムグレードをご用意
  • 研究、テスト、生産のニーズに合わせたカスタム仕様が利用可能








代表的な用途


当社の 4H-N タイプ SiC ウェーハは、以下を含む幅広い半導体およびパワー エレクトロニクス アプリケーションに適しています。

  • SiC MOSFET
  • SiCショットキーバリアダイオード
  • パワー半導体デバイス
  • 高電圧パワーモジュール
  • EV電源システム
  • 太陽光発電インバータ
  • 産業用電源
  • RF およびマイクロ波デバイス
  • 高温電子機器
  • 半導体の研究開発
  • エピタキシャル成長とデバイス作製



2インチから12インチまでの4H-N型シリコンカービッド・ウェーバー 3







カスタマイズ可能な仕様

お客様のアプリケーション要件に基づいてカスタマイズされた 4H-N タイプの SiC ウェーハを提供できます。一般的なカスタマイズ可能なパラメータは次のとおりです。

  • 直径: 2インチから12インチ
  • ポリタイプ: 4H-SiC
  • 導電型:N型
  • 方向: 軸上または軸外もリクエストに応じて利用可能
  • 厚さ: カスタマイズされた
  • 抵抗率: 用途に応じてカスタマイズ
  • 表面仕上げ: SSP、DSP、またはエピレディ
  • グレード: ダミーグレード、テストグレード、リサーチグレード、またはプライムグレード
  • TTV、反り、反り、マイクロパイプ密度、表面粗さ、その他のパラメータはご要望に応じて利用可能です

特定の技術要件、図面、データシート、または対象アプリケーションをお持ちの場合、当社のチームがお客様のプロジェクトに最適な SiC ウェーハ ソリューションの評価をお手伝いします。

当社の 4H-N SiC ウェーハを選ぶ理由

当社は、世界中のお客様に信頼性の高い半導体基板材料を提供することに注力しています。当社の4H-N系​​炭化ケイ素ウェーハは、研究、開発、半導体製造評価において安定したパフォーマンスをサポートするために、厳選、加工、検査を行っています。

柔軟なカスタマイズ、迅速な技術サポート、半導体および光学材料供給の経験により、当社はお客様がさまざまな用途に適した SiC ウェーハ ソリューションを見つけるお手伝いをします。

見積もりを依頼する

2インチ~12インチの4H-N系​​炭化珪素ウェーハをお探しの場合は、ウェーハ径、厚さ、方位、抵抗率、表面仕上げ、グレード、数量などご希望の仕様をご連絡ください。

当社のチームがお客様の要件を検討し、プロジェクトに適切な見積もり、リードタイム、技術サポートを提供します。