プロダクト細部
Place of Origin: China
ブランド名: zmsh
支払いと送料の条件
Orientation: |
C-plane <0001> |
Diameter: |
300mm±0.5mm |
Thickness: |
1000um±50um |
Material: |
Sapphire Crystal |
Polished: |
SSP or DSP |
TTV: |
<15um |
Bow: |
<50um |
Orientation: |
C-plane <0001> |
Diameter: |
300mm±0.5mm |
Thickness: |
1000um±50um |
Material: |
Sapphire Crystal |
Polished: |
SSP or DSP |
TTV: |
<15um |
Bow: |
<50um |
12インチサファイア・ウェーファー 250mm 直径 (±0.5mm) 1000μm 厚さ C平面
これは12 インチ (250mm) の ザファイア ワッフル業界をリードする精度 (±0.5mm直径,1000μm厚さ) と超高純度 (99.99%) を提供し,先進的な半導体および光電子アプリケーションに最適化されています.C平面 (0001) の向き優れた熱安定性 (> 2,000°Cの溶融点)このウエファーは,光学透明度 (85%+ UV から中IR) と機械的な強度 (9 モース硬さ) で,パワー電子,LED,レーザーシステム,最先端量子技術に最適です.
サファイア ウェッファー の 主要 な 特徴
大型 精度:
直径: 250mm ±0.5mm,12インチ半導体製造ラインと互換性がある.
厚さ: 1,000μm ±15μm,機械的な強度とプロセス均一性のために設計されています.
超高純度 (4N):
99.99%純アル2O₃光学/電気性能を低下させる不純物を排除する.
特殊 な 物質 特性:
熱安定性: 溶融点 ~2,050°C,極端な環境に適しています.
光学明晰度: 350nmから4,500nm (UVから中IR) までの伝播率>85%.
硬さ: 9 モース 傷や化学腐食に耐える
表面品質のオプション:
エピリアン用ポリス: Ra <0.3nm (AFMで測定),薄膜堆積に最適.
双面磨き精密光学アプリケーションに使用できます
申請サファイア・ウェーファー
先進的な光電子機器:
GaNベースのLED/レーザーダイオード:ブルー/UVLED,LiDARと3DセンシングのためのVCSEL
マイクロLEDディスプレイ: 次世代のAR/VRスクリーンの均一な基板.
電源とRF装置:
5G/6G パワーアンプ: 高周波では低電解損失.
HEMT と MOSFET: 電動自動車用高電圧トランジスタ
産業・防衛:
IR ウィンドウ/ミサイルドーム: 厳しい環境 (例えば航空宇宙) の透明性
サファイアセンサー: 産業監視用の耐腐食カバー
新興技術:
ウェアラブル技術: 超耐久性のあるカバーガラス スマートウォッチ
仕様
|
パラメータ |
価値 |
|---|---|
| 直径 | 250mm ±0.5mm |
| 厚さ | 1,000μm ±15μm |
| オリエンテーション | C平面 (0001) ±0.2° |
| 純度 | >99.99% (4N) |
| 表面の荒さ (Ra) | <0.3nm (エピ準備) |
| TTV | <15μm |
| 身をかがめる | <50um |
Q&A
Q1: なぜ12インチのサファイアウエファーは直径が小さいものよりも優れているのか?
A1:について250mmのサイズでチップ1枚あたり生産コストが減ります質量の高い製造 (LEDファブラインなど) に不可欠である.300mm Si ワッフル ツール互換性ハイブリッド半導体プロセスの場合
Q2: 1,000μm の厚さはデバイスの性能にどのような利点をもたらすのか?
A2 についてについて1mmの厚さにより機械的な安定性が向上しますハンドリングや高温処理 (MOCVDなど) において,電源装置の熱消耗に最適な熱伝導性を維持する.
Q3: このウエファは,極端なUV (EUV) アプリケーションに使用できますか?
A3 についてそうだ高紫外線透明性(低さ350nm) と放射線抵抗性により,EUVリトグラフィコンポーネントや宇宙用光学に適しています.
Q4:C平面の向きは 調整可能ですか?
A5:そうだA平面 (1120) と R平面 (1102)SAWフィルターやヘテロエピタクシーなどの特殊用途のために製造することができます.
Tags:
