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| ブランド名: | ZMSH |
| モデル番号: | High-Precision Single-Side Polishing Equipment |
| MOQ: | 3 |
| 価格: | by case |
| 配達時間: | 3-6 months |
| 支払条件: | T/T |
Siウェーハ/SiC/サファイア材料向け高精度片面研磨装置
高精度片面研磨装置は、硬くて脆い材料（例：半導体シリコンウェーハ、炭化ケイ素、ヒ化ガリウム、サファイア、石英、セラミックス）用に設計された特殊な精密加工ツールです。一方向回転研削と化学的相乗効果により、平面度≤0.01mm、表面粗さRa≤0.4nmの超高表面仕上げを実現します。この装置は、半導体ウェーハの薄型化、光学レンズの研磨、セラミックシール部品の加工に広く使用されており、シングルピースとバッチ処理の両方をサポートし、効率と一貫性を大幅に向上させます。
| カテゴリ | 項目 | ||||
| 研磨ディスク | 直径 | 820 (mm) | 914 (mm) | 1282 (mm) | 1504 (mm) |
| セラミックプレート | 直径 | 305 (mm) | 360 (mm) | 485 (mm) | 576 (mm) |
| 最適加工サイズ | 50-100 (mm) | 50-150 (mm) | 150-200 (mm) | 200 (mm) | |
| 電力 | 研磨ディスク | 11 | 11 | 18.5 | 30 |
| 研磨ツール | / | 0.75×4 | 2.2×4 | 2.2 | |
| 回転速度 | 研磨ディスク | 80 | 65 | 65 | 50 |
| 研磨ツール | / | 65 | 65 | 50 | |
| 能力 | 50mm | 72 | / | / | / |
| 100mm | 20 | 28 | 56 | / | |
| 150mm | / | 12 | 24 | / | |
| 200mm | / | 4 | 12 | 20 | |
| 電源電圧 | 3×16+2*10 (㎜²) | ||||
| 圧縮空気源 | 0.5-0.6MPa | ||||
| サイズ | / | 1920×1125×1680 (mm) | 1360×1330×2798 (mm) | 2234×1780×2759 (mm) | 1900×1900×2700 (mm) |
| 重量 | / | 2000kg | 3500kg | 7500kg | 11826kg |
1. 機械研削:
2. 圧力制御:
3. 冷却と潤滑:
4. モーションコントロール:
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特徴カテゴリ
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技術詳細
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高剛性フレーム |
一体型鋳造鍛造構造、変形防止能力が50％向上。四点油圧サポートシステムにより、高速での振動を保証<0.01 mm。
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国際コンポーネント
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コアパーツ（ギアボックス、ベアリングなど）には、ドイツSEW、日本THK、スイスSKFが使用されており、<0.005 mmの伝達精度を実現。シーメンスPLC + シュナイダーインバーターにより、0～180 RPMの無段階速度調整が可能。
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スマートインターフェース
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10インチの産業用タッチスクリーンは、プリセットレシピ（粗研磨、精密研磨、ディスク修理）、リアルタイムモニタリング（圧力/温度/速度）、自動シャットダウンアラーム（不良率<0.05％）をサポートしています。
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柔軟な構成
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研磨ディスクサイズはφ300 mmからφ1900 mmまで、ワークサイズは3～1850 mmに対応。単一モーター（7.5 kW）からマルチモーター（合計30 kW）までの電力オプションがあり、真空吸着と機械的クランプをサポートしています。
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1. 半導体産業:
2. 光学および精密デバイス:
3. 電子機器および新エネルギー:
4. 航空宇宙および防衛:
1. Q: 高精度片面研磨装置の主な利点は何ですか？
A: 半導体製造におけるシリコンウェーハ、SiC、サファイアに最適な、サブミクロン精度を高い効率で実現します。
2. Q: この片面研磨機はどの半導体材料を処理できますか？
A: シリコンウェーハ、炭化ケイ素（SiC）、サファイア基板用に特別に設計されています。
タグ: #高精度片面研磨装置, #カスタマイズ, #Siウェーハ/SiC/サファイア材料
