

家

米国について

企業収益

工場旅行

品質管理

よくある質問

プロダクト

GaAsのウエファー

解決策

ブログ

私達に連絡しなさい

ショッピング

引用

このビデオをお勧めします

再生する

次のビデオ

Siウェーハ/SiC/サファイア材料向け高精度片面研磨装置

Name: Siウェーハ/SiC/サファイア材料向け高精度片面研磨装置
Uploaded: 2025-12-15CST00:11:20-06:00
Duration: 21 s
Description: Siウェーハ/SiC/サファイア材料向け高精度片面研磨装置, 詳細を検索する Siウェーハ/SiC/サファイア材料向け高精度片面研磨装置 から SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD 供給者または製造者 galliumnitridewafer.com

半導体装置

2025-08-15

16 意見

今すぐチャット

#4インチSiCインゴット成長炉 #8インチSiCインゴット成長炉 #6インチSiCインゴット成長炉

高精度片面研磨装置概要 Siウェーハ/SiC/サファイア材料向け高精度片面研磨装置高精度片面研磨装置は、硬くて脆い材料（例：半導体シリコンウェーハ、炭化ケイ素、ヒ化ガリウム、サファイア、石英、セラミックス）用に設計された特殊な精密加工ツールです。一方向回転研削と化学的相乗効果により、平面度≤0.01mm、表面粗さRa≤0.4nmの超高表面仕上げを実現します。この装置は、半導体ウェーハの... もっと眺め

訪問者のメッセージメッセージを残しなさい

Siウェーハ/SiC/サファイア材料向け高精度片面研磨装置

今すぐチャット

もっと学びなさい

ガリウム窒化物のウエファー

サファイアのウエファー

SiCの基質

サファイア光学Windows

ICのシリコンの薄片

ワイヤーは機械を見た

総合的なサファイア棒

石英ガラスの版

サファイアの部品

総合的な宝石用原石

半導体装置

LiNbO3ウエファー

リン化インジウムのウエファー

陶磁器の基質

実験室のラッパー

GaAsのウエファー

ガリウム窒化物のウエファー

サファイアのウエファー

SiCの基質

サファイア光学Windows

ICのシリコンの薄片

ワイヤーは機械を見た

総合的なサファイア棒

石英ガラスの版

サファイアの部品

総合的な宝石用原石

半導体装置

LiNbO3ウエファー

リン化インジウムのウエファー

陶磁器の基質

実験室のラッパー

GaAsのウエファー

​​Siウェーハ/SiC/サファイア材料向け高精度片面研磨装置​​

平面/球面/非球面光学部品加工用ロボット研磨機

355nm/532nm/1064nm 切替可能色レーザー加工装置

355nm/532nm/1064nm ステンレス鋼用色付きレーザーマーキングシステム

​​サファイア/ガラス/石英向け高精度両面研削/研磨装置

金属/非金属/セラミックス/プラスチック両面精密研削盤

CO₂ レーザーチューブ切断機（ガスレーザー技術搭載）80W-180W

​​非金属材料用CO₂レーザーマーキングマシン、動作温度0～50℃​​

​​様々なプラスチックマーキング用355nm UVレーザーマーキング機 3W-25W​​

エンドポンプレーザーマーキングマシン 6W-30W 高精度マーキング 1064nm波長

6インチ~12インチ SiC基板レーザー分離システム 機械 オーダーメイド

ステンレス鋼/部品へのマーキング用ファイバーレーザーマーキングマシン 20W-100W

バイオニック・アンスリップ・パッド 高摩擦低粘着性ウエファーにはバイオニック・摩擦・パッドの吸入カップがある

Wafer 薄めシステム 精密薄め装置 SiC Si Wafer 互換性 4 -12インチ Wafer 容量

ウェッファー結合装置 室温 ボンドイン 水利性結合 Si-SiC Si-Si 結合 2 -12 インチ

マイクロジェットレーザー技術機器 ワイファースライス金属 シリコンカービッド材料

Siウェーハ/SiC/サファイア材料向け高精度片面研磨装置

サファイア/ガラス/石英向け高精度両面研削/研磨装置

非金属材料用CO₂レーザーマーキングマシン、動作温度0～50℃

様々なプラスチックマーキング用355nm UVレーザーマーキング機 3W-25W

6インチ~12インチ SiC基板レーザー分離システム機械オーダーメイド

バイオニック・アンスリップ・パッド高摩擦低粘着性ウエファーにはバイオニック・摩擦・パッドの吸入カップがある

Wafer 薄めシステム精密薄め装置 SiC Si Wafer 互換性 4 -12インチ Wafer 容量

ウェッファー結合装置室温ボンドイン水利性結合 Si-SiC Si-Si 結合 2 -12 インチ

マイクロジェットレーザー技術機器ワイファースライス金属シリコンカービッド材料