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6inch VGF方法NタイプGaAsの基質675um SSPのウエファーを離れた2度

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GaAsレーザーエピタキシアルウェーバーガリウムアルセニードウェーバー VCSEL/PD エピタキシアルウェーバーインテリジェントセンシング

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GaP 半絶縁ウエファー P タイプ N タイプ 400um 500um 緑色 LED 赤緑色光の放出

透明オレンジ型無ドップガップウエファー P型 N型 200um 350um 5G型発光

2 " S 付加されたGAP半導体EPIウェーファー N型P型 250um 300um型光発光二極管

4inch GaAsのウエファーのガリウム砒素の基質DSP NのタイプPのタイプ

GaAsのウエファー

(24)

Znoの基質、ガリウム砒素のウエファーの酸化亜鉛の水晶の基質
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ZnOの基質、10X10mmの小さい正方形の酸化亜鉛のウエファー、異なったオリエンテーションの5x5mm ZnOの基質、ZnOの単結晶 ----------------------------------------------------------------------------------... 続きを読む

2019-07-10 17:43:54

4インチのガリウム砒素のウエファー、低温合金のためのGaasの基質
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4inch GaAsの基質、ガリウム砒素の水晶ウエファー導かれるのためのGaAsのウエファー、Si/Znの添加物GaAsのウエファー（要素ガリウムおよびヒ素のAの混合物。それは亜鉛閃亜鉛鉱の結晶構造が付いているIII-Vの直接bandgapの半導体です） ---------------------... 続きを読む

2019-07-10 17:43:54

N - ガリウム砒素のウエファーGaAsに単結晶の基質を2 - 6インチタイプして下さい
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3inch GaAsの基質、ガリウム砒素の水晶ウエファー導かれるのためのGaAsのウエファー、Si/Znの添加物GaAsのウエファー（要素ガリウムおよびヒ素のAの混合物。それは亜鉛閃亜鉛鉱の結晶構造が付いているIII-Vの直接bandgapの半導体です） ---------------------... 続きを読む

2019-07-10 17:43:54

Dia 50.8mm半導体の基質のための2インチのガリウム砒素のウエファー
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2inch GaAsの基質、ガリウム砒素の水晶ウエファー導かれるのためのGaAsのウエファー、Si/Znの添加物GaAsのウエファー（要素ガリウムおよびヒ素のAの混合物。それは亜鉛閃亜鉛鉱の結晶構造が付いているIII-Vの直接bandgapの半導体です） ----------------------... 続きを読む

2019-07-10 17:43:54

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