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4h-semi sic

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August 22, 2024
カテゴリー接続: SiCの基質
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4h-semi sic
札:
#sicのウエファー #sicの基質 #炭化ケイ素の基質
報告書: 4H-SEMI SiC基板切断ディスクを 発見します 高硬さで精密切断のソリューションです 直径10mm 厚さ5mmで このSiCウエファーは 高周波切削に最適です高功率電子機器工業や科学用には最適です
関連製品特性:
  • 硬度が高く、モース硬度で最大9.2と、ダイヤモンドに次ぐ硬度です。
  • Excellent thermal conductivity, suitable for high-temperature environments.
  • 高周波,高電力電子機器の広い帯域の特徴
  • 特定の要件を満たすようにデザインアートワークでカスタマイズ可能。
  • 六方晶系（4H SiC）の単結晶SiCから作られています。
  • Low carrier concentrations and high insulation properties for high-power applications.
  • 電力MOSFET,電源ダイオード,RF電源増幅器,および光電センサーに適しています.
  • Available in prime grade and dummy grade with precise specifications.
よくある質問:
  • What is the manufacturing process of 4H-Semi SiC cutting blades?
    Manufacturing 4H-semi-insulating silicon carbide (SiC) cutting blades requires a series of complex process steps, including crystal growth, cutting, grinding, and polishing.
  • 4H-SEMI SiCの将来展望は？
    4H-SEMI SiCの特異性や様々な産業における高性能半導体材料の需要の増加により,将来の見通しは有望である.
  • What applications are 4H-SEMI SiC wafers suitable for?
    4H-SEMI SiC wafers are suitable for power electronics, RF and microwave devices, optoelectronic devices, and high-temperature and high-pressure applications due to their high voltage resistance and thermal conductivity.
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