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4H-N型 SiC基板 10×10mm 小型ウェーハ

sic crystal
July 30, 2025
カテゴリー接続: SiCの基質
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SiC 10×10 小型ウェーハは、第三世代半導体材料である炭化ケイ素（SiC）に基づいて開発された高性能半導体製品です。物理蒸着法（PVT）または高温化学気相成長法（HTCVD）プロセスを使用して製造され、4H-SiCまたは6H-SiCの2つのポリタイプオプションを提供します。寸法公差は±0.05mm以内に制御され、表面粗さRa < 0.5nmであり、N型およびP型ドープバージョンで利用可能で、0.01〜100Ω・cmの抵抗率範囲をカバーしています。各ウェーハは、格子完全性試験のためのX線回折（XRD）や表面欠陥検出のための光学顕微鏡検査など、厳格な品質検査を受け、半導体グレードの品質基準への準拠を保証しています。
札:
#sicのウエファー #sicの基質 #炭化ケイ素の基質
報告書: 4H-N型シシ基質10×10mmの ウェーファーを見つけましょう 高性能半導体製品ですこのウエファーは,新しいエネルギー車両に理想的です5Gインフラストラクチャ,航空宇宙アプリケーション.カスタマイズ可能な形と寸法が利用可能.
関連製品特性:
  • 4H-N型SiC基板、10x10mmの寸法、公差±0.05mm。
  • 熱伝導力は490W/m*Kまで シリコンの3倍です
  • 2～4 MV/cmの絶縁破壊電界強度。シリコンの10倍。
  • 低熱膨張で600°Cまでの温度で安定した性能
  • ビッカース硬度28～32GPa、曲げ強さ400MPa以上。
  • カスタマイズ可能な結晶の向き 厚さ ドーピング濃度
  • パワーエレクトロニクス,RFデバイス,光電子部品に最適です
  • XRDおよび光学顕微鏡検査を含む厳格な品質検査。
よくある質問:
  • 10×10mm SiCウエフルの主な用途は?
    10×10mm SiCウエファは,熱伝導性と電圧耐性が高いため,主に電源電子機器 (MOSFET/ダイオード),RFデバイス,光電子部品のプロトタイプに使用される.
  • SiCは高出力用途においてシリコンと比較してどうですか？
    SiCはシリコンより10倍高い分解電圧と 3倍優れた熱伝導性を有し より小さく効率的な高温/高周波装置を可能にします
  • 10×10mmのSiC基板にはどんなカスタマイズオプションがありますか?
    カスタマイズオプションには、非標準形状（円形、長方形）、特殊ドーピングプロファイル、裏面金属化、および調整された結晶配向、厚さ、ドーピング濃度が含まれます。
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