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2026-01-05

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10×10mm 4H-N型SiC基板:技術概要と応用高性能の半導体ソリューション 1製品概要ほら10×10mm 4H-N型シリコンカービード (SiC) 基板3代目のSiC技術に基づいた高性能半導体材料です.物理蒸気輸送 (PVT)あるいは高温化学蒸気堆積 (HTCVD)温度,電気,機械的な特性が優れている.±0.05 mm表面の荒さRa < 0.5 nm電源装置,RFコンポーネント,および光... もっと眺め

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