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4H-N 5x5mm SicのウエファーDSPの陶磁器の触媒の基質

SiCの基質
2024-09-13
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高純度 HPSI 4H-SEMI 4H-N 10X10mm 5x5mm シックウエファー DSP 電源装置産業におけるシリコンカービッドの応用 性能ユニット シリコンシリコンカービッド Si SiC ガリウムナイトリド GaNバンドギャップ eV 1.12 3.26 3.41電場 MV/cm 0.23 2.2 3.3電子移動性cm^2/Vs 1400 950 1500漂流速度 10^7cm/s 1... もっと眺め
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