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ZMSH事例研究:高品質の合成色のサファイアを供給する主要企業
ZMSH事例研究:高品質の合成色のサファイアを供給する主要企業     紹介ZMSHは合成宝石業界で 有名な名前で 高品質で鮮やかな色のサファイアを 幅広い範囲で提供しています私たちの提供には,王室ブルーのような色パレートの幅があります鮮やかな赤,黄色,ピンク,ピンクオレンジ,紫色,そしてエメラルドとオリーブ緑色を含む複数の緑色信頼性の高い技術を必要としている企業にとって視覚的に目立つ 耐久性のある合成宝石です 合成 宝石 を 強調 するZMSHの製品ラインナップの中心は 合成サファイアで 自然の宝石の輝きと質を模倣し 多くの利点を提供していますこのサファイアは,色調の一貫性と耐久性を得るために慎重に製造されています.自然に生じる石に優れている代替品です 人工 の ザファイア 石 を 選ぶ こと の 益 卓越 し た 一貫性: 私たちの実験室で作られたサファイアは 厳格な品質基準を満たす 制御条件下で生産されています.採掘された宝石にしばしば見られる色と透明性の変化から自由です. 広い 色 の 選択ピンクやピンクオレンジのような柔らかい色も提供しています. 緑色からオリーブ色まで,特定の顧客要求に応えるように調整されたこの色と色調の柔軟性により デザインや産業用途に最適です 安価 な 価格: 実験室で栽培されたサファイアは,視覚的魅力や構造的整合性を犠牲にせずに,より予算に優しい代替品です.天然石のコストのほんの一部で高品質の宝石を必要とする顧客に優れた価値を提供します贅沢品と実用的な用途の両方に最適です 環境 と 倫理 に 配慮 する: 合成宝石を選択することで,顧客は,伝統的な宝石採掘とよく関連する環境被害と倫理上の懸念を回避できます.ZMSHの合成サファイアは 環境に配慮した方法で作られています持続可能で責任ある選択を提供します 強さ と 柔軟性: 合成 ザファイア は,天然 の ザファイア と 同じ 硬さ を 持っ ており,高級 宝石 から 工業 級 の 宝石 まで の 様々な 用法 に 最適 です.硬さ 9 モーススケールこの宝石はあらゆる環境で長持ちします   結論ZMSHは最高級の合成色のサファイアを提供することに専念し,顧客にカスタマイズ可能でコスト効率の良い持続可能な宝石ソリューションを提供しています.エレガントなアクセサリーのために王室ブルーを探しているかどうか工業用部品のエメラルド緑色,または他の目立つ色,ZMSHは美しさ,一貫性,強さを組み合わせる宝石を提供します.合成サファイアを生産する専門知識により,様々な産業のニーズを満たすことができます信頼性の高い品質と倫理的慣行を保証します.
ケーススタディ:新しい4H/6H-P 3C-N SiC 基板でZMSHの突破
紹介 ZMSHは一貫して,高性能を提供することで知られるシリコンカービッド (SiC) ウェーバーと基板の革新の最前線に立っています6H-SiCそして4H-SiC高性能および高周波アプリケーションにおける より優れた材料に対する需要の増大に対応するためZMSHは,製品提供を拡大し,4H/6H-P 3C-N SiCこの新しい製品は,従来の材料を組み合わせることで重要な技術的飛躍を遂げています.4H/6Hポリタイプ SiC革新的な基板3C-N SiC次の世代機器の性能と効率の新たなレベルを提供します. 既存の製品概要: 6H-SiCと4H-SiC基板 主要 な 特徴 結晶構造: 6H-SiCと4H-SiCの両方が六角形結晶構造を有する. 6H-SiCは電子移動性がわずかに低く,帯域が狭い.4H-SiCは,より高い電子移動性と,より広いバンドギャップを誇っています..2 eVで,高周波,高電力用途に適している. 電気伝導性: N型と半絶縁のオプションの両方で利用可能で,さまざまなデバイスニーズに柔軟性があります. 熱伝導性: これらの基板は,高温環境における熱を散布するために不可欠な3.2〜4.9W/cm·Kの熱伝導性を示しています. メカニカル 強さ: 基板はモース硬度9を持っています.2要求の高いアプリケーションで使用するための強さと耐久性を提供します. 典型的な用途: パワーエレクトロニクス,高周波装置,高温や放射線に耐える環境で使用される. 課題その間6H-SiCそして4H-SiC高性能,高温,高周波のシナリオでは 特定の制限に直面します 欠陥率,電子移動性の制限,次の世代のアプリケーションの有効性を制限します市場では,より高い運用効率を確保するために,性能が向上し,欠陥が少なくなる材料がますます必要になっています. 新しい製品革新: 4H/6H-P 3C-N SiC基板 ZMSHは,以前のSiC基板の限界を克服するために,4H/6H-P 3C-N SiCこの新しい製品はエピタキシアル成長3C-N SiCフィルム4H/6Hポリタイプ基板電子と機械の性能を向上させる. 重要な 技術 的 改善 ポリタイプとフィルム統合について3C-SiCフィルムは,表頭軸で栽培されます.化学蒸気堆積 (CVD)について4H/6H基質, 格子不一致と欠陥密度を大幅に削減し,材料の整合性を改善します. 電子 の 移動 性 を 強化 するについて3C-SiCフィルムは従来のフィルムと比較して優れた電子移動性を有します4H/6H基質高周波アプリケーションに最適です 改善された断断電電圧: 試験により,新しい基板はかなり高い断熱電圧を提供しており,電力密度の高いアプリケーションに適しています. 欠陥の減少:最適化された成長技術により,結晶の欠陥と外位を最小限に抑え,困難な環境で長期にわたる安定性を保証します. 光電子能力: 3C-SiCフィルムはまた,紫外線検出器や他の様々な光電子アプリケーションに特に有用なユニークな光電子特性を導入します. 新しい4H/6H-P 3C-N SiC基板の利点 電子の移動性と分解強度が高くなるについて3C-N SiCフィルムは高性能高周波装置で優れた安定性と効率性を保証し,より長い使用寿命とより高い性能をもたらします. 熱伝導性 と 安定性 を 向上 さ せる: 熱を散らす能力が向上し,高温 (1000°C以上) の安定性により,基板は高温用途に適しています. 拡張された光電子アプリケーション: 基板の光電子特性により,その応用範囲が拡大し,紫外線センサーやその他の先進光電子装置に最適化されています. 化学 的 に 耐久 性 を 高める: 新しい基板は化学腐食と酸化に強い耐性を有し,厳しい産業環境での使用には不可欠です. 応用分野 について4H/6H-P 3C-N SiCこの基板は,高度な電気,熱,光電子特性により,幅広い最先端アプリケーションに最適です. 電力電子機器超高断熱電圧と熱管理により,MOSFET,IGBTそしてスコットキーダイオード. RF とマイクロ波装置: 高い電子移動性は,高周波での卓越した性能を保証しますRFそしてマイクロ波装置. 紫外線検出器と光電子機器■ 光電子特性は3C-SiC特別に適しているように紫外線検出そして様々な光電子センサー 結論と製品推奨 ZMSHは4H/6H-P 3C-N SiCこの革新的な製品は,電子移動性が向上し,欠陥密度が低下し,改善された断熱電圧電力,周波数,光電子市場の需要を満たすのに適しています.極端な条件下での長期間の安定性も,さまざまなアプリケーションのための非常に信頼性の高い選択になります. ZMSHは顧客に4H/6H-P 3C-N SiCその最先端の性能能力を活用する基板ですこの製品は,次世代のデバイスの厳しい要求を満たすだけでなく,迅速に進化する市場で顧客に競争優位性を得るのに役立ちます.   製品推奨   4インチ 3C N型 SiC基板 シリコンカービッド基板 厚さ 350um プライムグレード ダミーグレード       - デザインアートワークでカスタマイズされたものをサポートします   - 3C SiC の立方結晶で,SiC モノ結晶で作られています.   - 高硬度 モース硬度9まで2ダイヤモンドに次ぐ   - 高温環境に適した優れた熱伝導性   - 高周波,高電力電子機器に適した広い帯域特性が有する.
GaN ベースの LED エピタキシアル層の基本構造
GaN ベースの LED エピタキシアル層の基本構造 01 紹介 ガリウムナイトリド (GaN) ベースのLEDの上軸層構造は,デバイスの性能の主要な決定要因であり,材料の質,キャリア注射効率,発光効率効率,出力,流量向上の市場需要が 進化するにつれて,エピタキシアル技術が 進歩し続けています.主流の製造業者は同様の基礎構造を採用している一方で鍵となる違いは,研究開発能力を反映する微妙な最適化にあります.下記は最も一般的なGaN LEDの表軸構造の概要です.       02 エピタキシア構造概要 基板に順序的に生長し,上軸層には,通常以下が含まれます. 1バッファー層 2. 無ドーピングされたGaN層 ((オプションのn型AlGaN層) 3N型ガナシウム層 4軽くドーピングされたn型GaN層 5ストレスを軽減する層 6複数の量子井戸 (MQW) 層 7アルガン電子ブロック層 (EBL) 8低温 p型ガナ層 9高温 p 型 GaN 層 10表面接触層       一般的なGaN LED エピタキシアル構造       層の詳細な機能   1) バッファー層 500~800°Cで二次 (GaN/AlN) または三次 (AlGaN) 材料を用いて栽培する. 目的:欠陥を減らすために基板 (例えば,サファイア) とエピレイヤー間の格子不一致を軽減する. 産業動向:ほとんどの製造業者は,生産量を向上させるために,MOCVDの成長前にPVDスプッタリングによってAlNを事前貯蔵しています.   2) 塩基化されていないガノ酸層 2段階の成長:初期3DGaN島が続いて高温2DGaN平面化. 結果: 原子的に滑らかな表面を 次の層に提供します   (3) N型ガナ層 電子供給のためにSiドーピング (8×1018 ∼2×1019 cm−3) 先進オプション:一部の設計では,スレッドリングの外れをフィルターするためにn-AlGaNインターレイヤーを挿入する.             4) 軽くドーピングされたn-GaN層 低ドーピング (1×1018 ∼2×1018 cm−3) は,電流を拡散する高抵抗領域を作り出します. 利点:電圧特性と発光均一性を向上させる.   5) ストレンスリレーフ層 InGaNベースの移行層で,In組成が分別されている (GaNとMQWレベルの間). 設計変形: 格子圧縮を徐々に収納するための超格子または浅井構造.   6)MQW (複数量子井戸)   InGaN/GaN周期スタック (例えば,515ペア) を放射性再結合のために用いる. 最適化:SiドーピングされたGaNバリアは,動作電圧を軽減し,明るさを向上させる. GaNベースのLEDエピタキシアル層2の基本構造に関する最新企業ニュース   7)AlGaN電子遮断層 (EBL) MQW内に電子を閉じ込め,再結合効率を高めます             8) 低温 p-GaN 層 MQW温度よりわずかに高くなって: 穴の注入を強化する MQW を高温による損傷から保護する   9) 高温 p-GaN 層 温度は~950°Cで: 供給穴 MQWから繁殖する平面化V穴 漏れ電流を減らす   10) 表面接触層 金属電極とのオム接触形成のために重量MgドーピングされたGaN,動作電圧を最小限に抑える.   03 結論 GaN LEDの表軸構造は,材料科学とデバイス物理学との間の相乗効果を例示しており,各層が電光性能に重大な影響を与える.将来の進歩は,欠陥工学に焦点を当てます効率の限界を押し広げ,新たな応用を可能にします.     ガリウムナイトリド (GaN) LED上位軸技術における先駆者として,ZMSHは先駆的なGaN-on-サファイアとGaN-on-SiC上位軸ソリューションを開発しました. leveraging proprietary MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) systems and precision thermal management to deliver high-performance LED wafers with defect densities below 10⁶ cm⁻² and uniform thickness control within ±1.5% 超高明るさのLED,マイクロLEDディスプレイのためのカスタマイズ可能なソリューションを可能にする,AI駆動のプロセス最適化と超高速パルスレーザー焼却を統合することで 95%の信頼性を達成します自動車級認証 (AEC-Q101) と5Gバックライトの大量生産拡張性によってサポートされていますAR/VR光学や産業用IoTデバイス     以下は,ZMSHのGaN基板とサファイア・ウェーバーです.             * 著作権に関する懸念については,お問い合わせください.            

2025

06/06

半導体機器の"核強度" - シリコンカービッド部品
半導体製造装置の"コアストレンス" - 炭化ケイ素部品       炭化ケイ素(SiC)は優れた構造セラミック材料です。炭化ケイ素部品は、主に炭化ケイ素とその複合材料で作られた装置部品であり、高密度、高熱伝導率、高曲げ強度、大きな弾性率などの特性を備えています。ウェーハエピタキシー、エッチングなどの製造プロセスにおける強い腐食性と超高温の過酷な反応環境に適応できます。したがって、エピタキシャル成長装置、エッチング装置、酸化/拡散/アニーリング装置などの主要な半導体製造装置に広く使用されています。   結晶構造によると、炭化ケイ素には多くの結晶形があります。現在、一般的なSiCの種類は主に3C、4H、6Hです。SiCの異なる結晶形は、異なる用途があります。その中で、3C-SiCは、一般的にβ-SiCとも呼ばれます。β-SiCの重要な用途の1つは、フィルムおよびコーティング材料としてです。したがって、現在、β-SiCはグラファイトベースコーティングに使用される主な材料です。             製造プロセスによると、炭化ケイ素部品は、化学気相成長炭化ケイ素(CVD SiC)、反応焼結炭化ケイ素、再結晶焼結炭化ケイ素、大気圧焼結炭化ケイ素、熱間圧焼結炭化ケイ素、熱間静水圧焼結炭化ケイ素などに分類できます。             炭化ケイ素材料の製造方法の中で、化学気相成長法は、高い均一性と純度を持つ製品を製造し、この方法はまた、強力なプロセス制御性も備えています。CVD炭化ケイ素材料は、優れた熱的、電気的、化学的特性の独自の組み合わせにより、半導体産業での使用に特に適しています。       炭化ケイ素部品の市場規模   01 CVD炭化ケイ素部品   CVD炭化ケイ素部品は、エッチング装置、MOCVD装置、SiCエピタキシャル装置、急速熱処理装置などに広く使用されています。   エッチング装置:CVD炭化ケイ素部品の最大の市場セグメントは、エッチング装置です。エッチング装置のCVD炭化ケイ素部品には、フォーカスリング、ガススプレーヘッド、トレイ、エッジリングなどがあります。CVD炭化ケイ素は、塩素やフッ素を含むエッチングガスに対する反応性と導電性が低いため、プラズマエッチング装置のフォーカスリングなどの部品に理想的な材料です。       炭化ケイ素フォーカスリング       グラファイトベースコーティング:低圧化学気相成長(CVD)は、現在、高密度SiCコーティングを製造するための最も効果的なプロセスです。CVD-SiCコーティングは、厚さと均一性を制御できるという利点があります。SiCコーティングされたグラファイト基板は、金属有機化学気相成長(MOCVD)装置で単結晶基板を支持および加熱するために使用されることが多く、MOCVD装置の主要なキーコンポーネントです。       02 炭化ケイ素部品の反応焼結   反応焼結(反応溶融浸透または反応接合)されたSiC材料は、焼結線の収縮率を1%以下に制御できます。同時に、焼結温度が比較的低く、変形制御と焼結装置の要件を大幅に削減します。したがって、この技術は、部品の大規模製造を容易にするという利点があり、光学および精密構造製造の分野で広く適用されています。   集積回路の主要な製造装置における特定の高性能光学部品には、材料製造に関する厳格な要件があります。炭化ケイ素基板の反応焼結と化学気相成長炭化ケイ素(CVDSiC)フィルム層を組み合わせて高性能反射鏡を製造することにより前駆体タイプ、堆積温度、堆積圧力、反応ガス比、ガス流場、温度場などの主要なプロセスパラメータを最適化することにより、大面積で均一なCVD SiCフィルム層を製造でき、鏡面精度を海外の類似製品の性能指標に近づけることができます。       リソグラフィーマシン用炭化ケイ素光学ミラー       中国建築材料科学技術アカデミーの専門家は、独自の製造技術を開発することに成功し、大型、複雑な形状、高軽量、完全密閉型のリソグラフィーマシン用炭化ケイ素セラミック正方形ミラーおよびその他の構造および機能光学部品の製造を可能にしました。       中国建築材料科学技術アカデミーが開発した反応焼結炭化ケイ素の性能は、海外企業の類似製品と同等です。         現在、集積回路のコア装置用の精密セラミック部品の研究と応用をリードしている企業には、日本の京セラ、米国のCoorsTek、ドイツのBERLINER GLASなどがあります。その中で、京セラとCoorsTekは、集積回路コア装置で使用されるハイエンド精密セラミック部品の市場シェアの70%を占めています。中国には、中国国家建築研究機関、寧波Volkerkunstなどがあります。我が国は、集積回路装置用の精密炭化ケイ素部品の製造技術と応用促進に関する研究が比較的遅れており、国際的なリーディングカンパニーと比較してまだギャップがあります。       高度な炭化ケイ素部品製造のパイオニアとして、ZMSHは、カスタムSiC機械部品から高性能基板およびセラミック部品まで、精密SiC製品の総合的なソリューションプロバイダーとしての地位を確立しています。独自の無加圧焼結およびCNC機械加工技術を活用して、優れた熱伝導率(170〜230 W/m·K)と機械的強度(曲げ強度≥400MPa)を備えたテーラーメイドのSiCソリューションを提供し、半導体製造装置、電気自動車の電力システム、航空宇宙熱管理など、要求の厳しい用途に対応しています。当社の垂直統合された生産は、高純度SiC粉末合成から複雑なニアネットシェイプセラミック部品製造まで、バリューチェーン全体をカバーし、標準およびアプリケーション固有の設計の両方について、寸法公差(最大±5μm)と表面仕上げ(Ra≤0.1μm)の正確なカスタマイズを可能にします。同社の自動車グレードの6インチ/8インチSiC基板は、クラス最高のマイクロパイプ密度(

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06/06

ザファイア 時計 は 間違え ない!
   ザファイア は 誤り の 名前 で は ない!         "サファイア結晶"という言葉を 知っているでしょうヴィンテージの腕時計を除いて ほとんどの有名な腕時計モデルが この素材を備えているのでこれは3つの重要な疑問を提起します     1サファイアって貴重なの? 2"サファイア結晶"の時計ガラスは本当にサファイアでできているのか? 3なぜサファイアを使うの?       実際,時計製作に用いられるサファイアとは,伝統的な意味での天然宝石とは違います.正しい用語は"サファイア結晶" (時には"サファイアガラス"とも呼ばれます),主にアルミオキシド (Al2O3) で構成される合成サファイア染料 が 加え られ ない の で,合成 ザファイア は 色 が ない.         化学 的,構造 的 な 観点 から は,天然 石 と 人工 石 の 間 に は 差 が あり ませ ん.しかし,天然 石 と 比べ て,合成 石 は 特別 に 価値 の ある もの で は あり ませ ん.   主要な時計ブランドが サファイア結晶を時計用眼鏡に一致的に好む理由は プレミアムに聞こえるからだけではなく 主に特異な特性によるものです       - 硬さ: 合成 サファイア は モース スケール で 自然 サファイア と 9 に 匹敵 し,ダイヤモンド に しか 劣らず, 摩擦 に 強く 耐える もの です (アクリル と 違って は,簡単に 摩擦 する こと が でき ます).   - 耐久性: 耐腐食性,耐熱性,高熱伝導性   - 光学的な透明性:サファイア結晶は例外的な透明性を提供し,現代時計製造のための完璧な材料です.         サファイア水晶は,1960年代から時計製造に用いられ,急速に普及しました.その後数十年に渡って,それは現代の時計の標準となり,今日,高級時計業界では 唯一の選択肢です.       2011年 リチャード・ミールがRM 056を公開した時 サファイアが再び豪華時計業界で話題になりました高級時計製造における前例のない革新です多くのブランドはすぐに,サファイアが時計の結晶に限ったものではなく ケースにも使えることを理解し,見事に見えました.           数年以内に ザファイアケースが流行り 透明性から鮮やかな色へと進化し より多様なデザインを生み出しました 技術が進歩するにつれて限定版から正規生産モデルへの移行そして,コアコレクションも   今日は ザファイア結晶の表を見ていきましょう     アートヤ     純度タービヨン スイスの独立時計メーカーArtyAの この純度タービヨンは 高度に骨格化されたデザインと透明なサファイアケースを備えていますタービヨンの視覚的効果を最大化します純粋なタービヨン     ベル&ロス     BR-X1 クロノグラフ トゥルビヨン サファイア 2016年,Bell & Rossは最初のサファイア時計,BR-X1 Chronograph Tourbillon Sapphireをデビューさせた.わずか5枚で限定され,価格は40万ユーロ以上.さらに透明性のある 骨格化されたバージョンをリリースしましたBR-X1 スケルトン・トゥルビヨン・サファイア.その後,2021年にBR 01サイバー・スカール・サファイアを導入し,その特徴的なスカルのモチーフは大胆な正方形ケースに飾られている.         ブランクペイン   L-進化 厳密に言うと ブランパインのL-エボリューション・分鐘リピーター キャリヨン・サファイアには 完全にサファイアケースがない透明なサファイア製の橋と 横の窓は 驚くような透明性を生み出します.     シャネル           J12 X線 J12の20周年記念に Chanelは J12 X-RAYを公開しました この腕時計の特徴は ケースとダイヤルだけでなく 腕時計全体がサファイアでできています完全に透明な外観を手に入れる 視覚的に息を呑む.             ショパード     L.U.C フルストライク サファイア 2022年に発売されたショパード・ロウズ・ユース・フル・ストライク・サファイアーは,サファイアケースを搭載した最初のリピッターでした.透明性を最大化するために,ゴンでさえもサファイアで作られています.世界初の革新です.この 時計 は ジュネーブ の 印 を も 獲得 し まし た5枚に限定された     ゲラルド・ペレガックス     クエーサー 2019年,ジラード・ペルゴは最初のサファイアケース時計"クエーザール"を発表した.ローレアト・アボスルートコレクションは2020年に最初のサファイアモデルをデビューしました紅色透明のケースと並べていますが,サファイアではなく,YAG (イットリウムアルミニウムガーネット) と呼ばれる新しいポリ結晶材料です.         グレイベル・フォルシー     30° ダブル・トゥービヨン・サファイア グルーベル・フォルセイの 30° ダブル・トゥルビヨン・サファイアは ケースと冠の両方がサファイア結晶でできていて ケースを通して見える 手動で回転する動きは120時間の電源備蓄を備える4つのシリアルカップされた樽を誇る値段は100万ドル以上 8枚限定で     JACOB & CO について     天文学 完璧 JCAM24の手動巻き機を完全に展示するために,Jacob & Co.はAstronomia Flawlessを完全にサファイアケースで作成しました.あらゆる角度から,複雑な動きは空中に浮いているように見える.     リチャード・ミール     サファイアケースのトレンドセッターとして リチャード・ミルは この素材をマスターしています. 男女時計でも,複雑な時計でも,サファイアケースは特徴です.炭素繊維のように,リチャード・ミールも色違いを強調していますサファイア時計を超ファッションにしています       この 素材 は,サファイア 水晶 から サファイア ケース まで,高級 時計 製造 革新 の 象徴 に なり まし た.どの サファイア 時計 が お気に入りの もの です か.

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