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半導体製造におけるエピタキシー堆積技術への導入 半導体加工においてフォトリトグラフィーそしてエッチングしかし,そのすぐ隣には別の重要なカテゴリーがあります.エピタキシ 堆積. なぜこれらの堆積プロセスがチップ製造において不可欠なのか? 想像してみてください.平凡で四角形の平面パンです. toppingがないので,それは淡くて気軽です. 表面にピーナッツを置く方が良い.他の人は甘くてシロップを散らかして食べるのが好きこの比喩では,平面パンの味と性質は劇的に変化します.フラットパン代表する基板, そしてコーティングこれは,機能層異なるトッピングが異なる味を作り出すように,異なる堆積フィルムがベース... 続きを読む
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GaN ベースの LED エピタキシアル層の基本構造 01 紹介 ガリウムナイトリド (GaN) ベースのLEDの上軸層構造は,デバイスの性能の主要な決定要因であり,材料の質,キャリア注射効率,発光効率効率,出力,流量向上の市場需要が 進化するにつれて,エピタキシアル技術が 進歩し続けています.主流の製造業者は同様の基礎構造を採用している一方で鍵となる違いは,研究開発能力を反映する微妙な最適化にあります.下記は最も一般的なGaN LEDの表軸構造の概要です. 02 エピタキシア構造概要 基板に順序的に生長し,上軸層には,通常以下が含まれます. 1バッファー層 2. 無ドーピングされたGaN層 ... 続きを読む
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半導体製造装置の"コアストレンス" - 炭化ケイ素部品 炭化ケイ素（SiC）は優れた構造セラミック材料です。炭化ケイ素部品は、主に炭化ケイ素とその複合材料で作られた装置部品であり、高密度、高熱伝導率、高曲げ強度、大きな弾性率などの特性を備えています。ウェーハエピタキシー、エッチングなどの製造プロセスにおける強い腐食性と超高温の過酷な反応環境に適応できます。したがって、エピタキシャル成長装置、エッチング装置、酸化/拡散/アニーリング装置などの主要な半導体製造装置に広く使用されています。 結晶構造によると、炭化ケイ素には多くの結晶形があります。現在、一般的なSiCの種類は主に3C、4H、6Hです... 続きを読む
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ザファイア は 誤り の 名前 で は ない! "サファイア結晶"という言葉を 知っているでしょうヴィンテージの腕時計を除いて ほとんどの有名な腕時計モデルが この素材を備えているのでこれは3つの重要な疑問を提起します 1サファイアって貴重なの? 2"サファイア結晶"の時計ガラスは本当にサファイアでできているのか? 3なぜサファイアを使うの? 実際,時計製作に用いられるサファイアとは,伝統的な意味での天然宝石とは違います.正しい用語は"サファイア結晶" (時には"サファイアガラス"とも呼ばれます),主にアルミオキシド (Al2O3) で構成される合成サファイア染料 が 加え られ ない の ... 続きを読む
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レーザー切断は,未来に8インチシリコンカービッドを切るための主流技術になります. Q: シリコンカービッド切断加工の主要な技術は何ですか? A: シリコン カービッド の 硬さ は ダイヤモンド の 硬さ に 次ぐ もの で,硬さ が 高く 脆い 材料 です.成長した結晶をシートに切る過程は,時間がかかり,裂けやすいシリコンカービッド単結晶の加工における最初のプロセスとして,スライスする性能は,後の磨き,磨き,薄め,その他の加工レベルを決定します.切断処理は,ウエフルの表面と地下に亀裂を引き起こす傾向があります.ワッファの破裂率と製造コストを増加させるため,表面裂け損を制御する ワッフル切断... 続きを読む
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第5世代半導体材料の予測と課題 半導体は 情報時代の礎であり その材料の繰り返しは 人間の技術の限界を直接決定しますシリコンベースの半導体の第一世代から 現在の超広帯域材料の第4世代までコミュニケーション,エネルギー,コンピューティングなどの分野での飛躍的な発展を促しています4代目の半導体材料の特性と代々の代替の論理を分析することで半導体の第5世代の可能性を推測し,同時に,この分野における中国の突破路線を調査する. I. 第4世代半導体材料の特徴と世代代替代の論理 半導体 の 第 一 世代:シリコン と ゲルマニウム の"基礎 時代" 特徴:シリコン (Si) とゲルマニウム (Ge) で表さ... 続きを読む
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SiC 変位検出方法 高品質のSiC結晶を育てるためには,高品質の結晶をスクリーニングするために,種子結晶の流動密度と分布を決定する必要があります.結晶の成長過程中の脱位の変化を研究することは,成長過程の最適化にも役立ちます基板の脱位密度と分布を把握することは,上軸層の欠陥の研究にも非常に重要です.したがって, it is necessary to characterize and analyze the crystallization quality and defects of SiC crystals through reasonable techniques to accelerate ... 続きを読む
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SiC の もう"つの 熱い 応用 ― 全色 光波導体 3世代半導体の典型的な材料として SiCとその産業開発は 近年 春の雨の後 竹の芽のように成長していますSiC基質は,電気自動車と産業用アプリケーションで足場を確立しましたSiCは,優れた性能と継続的に進化するサプライチェーンにより,この開発の主要な推進力となっています.SiCは熱伝導性が優れている軽いパッケージでも同様の名乗電力を得ることができます. さらに,私たちはホログラム光波導体に SiC材料の応用も観察しています.多くの主要なAR企業は,シリコンカービッド光波導体に注意を向け始めていると報告されています. シミコン展でのSiCフ... 続きを読む
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地質科学 知識 ザファイア: "上級品"の衣装には 青色 だけ ではありません コーランデム族の"主要人物"であるサファイアは "深青のスーツ"を着た優雅な紳士に似ている"青"や"濃い青"以上のものがあります"コーンフラワーブルー" から "ロイヤルブルー" まで の 色 は それぞれ 輝く もの です.青色 は 単調 な よう に 見え て も,緑色,灰色,黄色,オレンジ色,紫色,ピンク色,茶色 の 色 の 色 が 明らか に なり ます. 異なる色のサファイア サファイア化学組成:Al2O3色: サファイア の 色差 は,その 結晶 格子 の 中 に ある 元素 の 置き換え に よっ て ... 続きを読む
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ニオベートリチウム結晶、単結晶薄膜、光学チップ産業における将来のレイアウト 記事の要約 5G/6G通信技術、ビッグデータ、人工知能などのアプリケーション分野の急速な発展により、新世代のフォトニックチップの需要は日々増加しています。優れた電気光学的、非線形光学的、圧電特性を備えたニオベート結晶は、フォトニックチップのコア材料となり、フォトニック時代の「光学シリコン」材料として知られています。近年、ニオベートリチウム単結晶薄膜とデバイス処理技術の調製においてブレークスルーが行われており、より小さなサイズ、より高い統合、超高速電気光学効果、広い帯域幅、低消費電力などの利点を示しています。高速電気光学... 続きを読む
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