中国 SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD 会社のニュース

炭化ケイ素とは 炭化ケイ素 (SiC) は、第 3 世代の化合物半導体材料です。半導体産業の根幹はチップですが、そのチップを作るための核となる材料は、その歴史的過程に応じて、第一世代半導体材料（現在広く使われている主に高純度シリコン）、第二世代化合物半導体材料（ガリウムヒ素、インジウムリン）、第三世代化合物半導体材料（炭化ケイ素、窒化ガリウム）。 炭化ケイ素は、高いバンドギャップ（高絶縁破壊電界および高電力密度に相当）、高い電気伝導率、および高い熱伝導率といった優れた物性により、将来的には半導体チップの基本材料として最も広く使用されることになるでしょう。 炭化ケイ素の機能は次のとおりです。まず、摩擦を効果的に低減し、車両のトラクションとエンジンの効率を向上させ、それによって車両の加速と全体的なパフォーマンスを向上させることができます。第二に、エンジンの騒音を効果的に低減し、金属部品の耐摩耗性を向上させ、潤滑油の消費量を削減します。また、炭化ケイ素には一定の防火効果もあり、火災発生時の車両への被害を軽減します。   炭化ケイ素は新エネルギー車に重要な影響を与えます。まず第一に、新エネルギー車のエンジン効率を向上させ、新エネルギー車の燃費向上を支援します。第二に、新エネルギー車の耐用年数を延ばし、付属品の損傷率を減らすことができます。最後に、新エネルギー車がより静かな動作環境を提供し、騒音の放出を低減することにより、運転環境を改善することにも役立ちます。  

1.まず最初に、サファイアは青石ではない。宝石用原石はサファイアおよびルビーに分けられ、ルビーは赤い宝石である。赤い宝石に加えて、サファイアはサファイアとして一まとめに知られている。すなわち、完全で青いシリーズに加えて、無色、オレンジ、緑、黒い茶色が、ピンク、オレンジ、花火の日没のように黄色い紫色、等ある。これらの着色された石はサファイアとして一まとめに知られている。青い鋼玉石に加えて直接サファイアを、鋼玉石の他の色必要とするサファイアの名前の前の色の形容詞を、黄色いサファイアのような、緑のサファイア示した。   2.Sapphireおよびルビーは姉妹の石である。それらは両方とも鋼玉石の鉱物、ダイヤモンドの後の地球上で最も堅く自然な鉱物である。両方ともアルミナに基づいている。従って鋼玉石は何ミネラルであるか。名前がインドから来る鋼玉石は鉱物学的な名前である。ミネラル分野では、このミネラル含んでいる酸化アルミニウムは鋼玉石の鉱物と呼ばれる。鋼玉石はまた宝石の等級、産業等級2に分けられる。宝石等級の鋼玉石はルビーおよびサファイアを含んでいる。産業等級工業が主に処理し難い材料を作るのに使用されている。鋼玉石Al2O3、即ちα-Al2O3、β-Al2O3およびγ-Al2O3の3つの変形がある。鋼玉石は硬度のダイヤモンドそして立方窒化ホウ素にだけ二番目にある。ルビーおよびサファイアは鋼玉石の石と呼ばれる。   3.Myanmar、スリランカ、タイ、ベトナムおよびカンボジアは世界の良質のルビーおよびサファイアの最も重要な製造者である。他の生産者は中国、オーストラリア、米国およびタンザニアを含んでいる。   4.Verneuil、別名Verneuilプロセス。これは「ジュネーブ世界的に有名なルビー」がいかに生じたかである。簡単な言葉では、製造業の方法および耕作は宝石の粉を高温ででしたり、溶かし、冷却し、溶けることの後でそれを強化し、水晶、水晶棒、広い肩幅（受け入れ区域を拡大するため）、および等しい直径の成長に次第に育つこと落とす。 Kyropoulosの泡方法、周囲の鉄を吸う磁石のような水晶解決のそれらの、ちょうど回転によって育つ使用種結晶。これはまた主流の耕作方法の1つである。 持ち上げ3つの持ち上がる方法Czochralskiの連続的な供給に持ち上がることはまた現在の主流の耕作方法の1つである持ち上がる方法に、microlifting冷たい中心の肩完全に属する。泡方法、種結晶に類似した解決で持ち上げられ、回され、そして耕される。 熱交換方法ヘム、横の成長方法HDCは、モード方法EFGのるつぼの下向き方法VGFを導いた、これらの方法は原則的には類似している、すべて種結晶を使用する、プロセスに相違がある、従って彼らは一つずつ論議されない。   5.Sapphireは忠誠、安定度、愛および正直者を象徴する。別名「運命の石は」、星明かりのサファイア携帯者の金庫を保ち、幸運を持って来る。サファイアは高級な宝石、である5個の宝石の1つ、ルビー三番目の後にダイヤモンドに置かれてである。サファイアは9月および秋のbirthstoneであり、それはルビーが付いている「姉妹石」のとして知られている。 サファイアは、美しく、透明な色と神秘的で、超自然的な色の古代人によって幸運と、みなされた。古代エジプトに、古代ギリシアおよびローマ遡っての儀式の捧げ物としてモスク、教会および修道院を、および飾ることを使用した。ダイヤモンドおよび真珠と共に、それはイギリス帝国の王およびロシアの皇帝の王冠そしてガウンへ不可欠な付属品になった。サファイアは宝石用原石が過去の百年の人々の社会に導入されてから世界のずっと5つの宝石の1つである。 世界のgemologyは9月のbirthstoneとサファイアを定義する。日本人は第23結婚記念日（サファイア）および第26結婚記念日（星明かりのサファイア）の貴重な記念品としてそれを選んだ。

私] GaN力装置の開発のために、市場の需要の牽引は重大である。電源そしてPFC （力率訂正） （2020年に市場を支配する）の分野から、UPS （無停電電源装置）およびモーター ドライブへ、多くの適用分野はGaN Si力装置の特徴から寄与する。 これらの適用、純粋な電気自動車（EVに加えて）ことをYole Developpementの市場研究の会社は、信じるおよびハイブリッドカー（HEVs）はまた2020年後にこれらの新しい材料および装置を採用し始める。市場規模の点では2020年に約$600，000,000に達するために、GaN装置市場の全面的なサイズは本当らしい。その当時、6インチのウエファーは約580,000 GaNsを処理できる。2018年か2019年からのGaNを採用するEVおよびHEVの概念に従ってGaN装置の数は2016年からかなり増加し、2020年までの80% （CAGR）の平均年間成長率で育つ。 5G技術の漸進的な成熟およびRFの前部分の破片の市場に持って来られて機会がRFの電力増幅器（RF PA）のための要求は酸化物の半導体（LDMOSを含んで、従来の金属によって酸化させた半導体（横に拡散させた金属将来育ち続ける;LDMOSに低価格があり、強力な性能の利点）プロセスはより多くの部品およびより高い頻度を要求する5G技術のガリウム窒化物（GaN）と次第に、特に取替えられる。さらに、ガリウム砒素（GaAs）は比較的着実に育つ。新しいRFの技術をもたらすことによって、RF PAはGaNのRF PAが3Wより多くの出力電力の主流の加工技術になる、LDMOSの市場占有率は次第に減る新しいプロセスの技術と実現され。 5G無線統合および建築進歩を達成するために5G技術がミリメートル波の頻度および大規模なMIMO （Multi-Input Multi-Output）のアンテナ塗布をカバーするので大きいMIMOおよびミリメートル波（mmWavを採用する方法を大規模に将来か。e）帰りシステムは開発へキーである。、ガリウム窒化物（GaN）が条件、すなわち、GaNの市場を持っているより潜在的な商機を満たす強力な、高性能高密度無線周波数の部品のための要求が高い5G頻度原因で増加した。     ガリウム窒化物（ GAN）はである何【3の】か。 GaNの文書の研究そして適用は全体的な半導体の研究の最前線そしてホットスポットである。それはマイクロエレクトロニック装置および光電子工学装置の開発のための新しい半導体材料である。SICとともに、ダイヤモンドおよび他の半導体材料のそれはGaAsのGEおよびSiの半導体の第一世代として材料、第二世代およびINP知られている。合成の半導体材料の後の第三世代の半導体材料。それに広い直接bandgaps、強い原子結束、高い熱伝導性、よい化学安定性（ほとんどあらゆる酸によって腐食しない）および強い放射抵抗がある。それに光電子、高温および強力な装置および高周波マイクロウェーブ装置の適用のための広い見通しがある。 ガリウム窒化物（GAN）は第三世代の半導体材料の典型的な代表である。T=300Kで、それは半導体の照明の発光ダイオードの中心の部品である。ガリウム窒化物は人工的な材料である。ガリウム窒化物の自然な形成のための条件は非常に粗い。それは高温およびほぼ10,000大気圧の2,000度以上実際のところ達成してが不可能である金属ガリウムおよび窒素が付いているガリウム窒化物を総合する取る。 言うまでもなく、一世の半導体材料は主にデータ計算および貯蔵の問題を解決するケイ素である、;第二世代の半導体はによって光ファイバーコミュニケーションに加えられる解決するガリウム砒素、主にデータ伝送の問題を表される;第三世代の半導体は電気および光学転換で突然の性能があるガリウム窒化物によって表される。それはマイクロウェーブ信号伝達でより有効である、従って照明、表示、コミュニケーションおよび他の分野で広く利用される。1998年に、アメリカの科学者は最初のガリウム窒化物のトランジスターを発達させた。 ガリウム窒化物（ GAN）の高性能の【4の 】の特性:主に高出力力、高い発電密度、高い働く帯域幅、高性能、小型、軽量を、等現在含んでいる、第1の出力電力のおよび第二世代の半導体材料は限界に達し、GaNの半導体は容易に10回までにアンテナ単位のレベルの伝達力を高める熱安定性の性能の利点による高い働く脈拍幅および高い働く比率を達成できる。 高い信頼性:力装置の生命は温度と密接に関連している。より高い温度の接続点、より低い生命。GaNの文書に高温接続点および異なった温度で装置の適応性そして信頼性を非常に改善する高い熱伝導性の特徴がある。GaN装置は650°C.の上の軍装置で使用することができる。 安価:GaNの半導体の適用は効果的に送信のアンテナの設計を改善し、アンプ、等の放出部品そして一連の数を減らし、効果的にコストを削減できる。現在、GaNは新しいレーダーおよび妨害機のためのT/R （受信機/）モジュールの電子デバイス材料としてGaAsを取り替え始めた。米国の軍隊のAMDR （段階的に行なわれるソリッド ステート活動的-配列のレーダー）の次世代はGaNの半導体を使用する。高い帯域幅、高い絶縁破壊電圧、高い熱伝導性、高い電子飽和漂流の速度、強い放射抵抗およびよい化学安定性のガリウム窒化物の優秀な特性はそれに理論の最も高い電気光学および光電変換効率の物質的なシステムをこれまでのところし、広分光、強力なおよび高性能のマイクロエレクトロニックになることができる。、パワー エレクトロニクスの主基本原料、光電子工学および他の装置。 GaNの広い帯域幅（3.4eV）およびサファイア材料は高い発電の条件の下で装置の操作を促す、よい熱放散の性能がある基質として使用される。グループIIIの窒化物材料および装置の連続的な深まる研究開発によって、GaInNの超高度の青いライトおよび緑LEDの技術は商業化された。世界中の今主要な会社そして研究所はBlu-ray LEDsの開発のための競争に重く投資した。 ガリウム窒化物の 【Vの】の塗布

第三世代の半導体材料にケイ素材料と比較することができない物質的な性能の利点がある。装置の性能を定める帯域幅、熱伝導性、故障の電界および他の特徴の特徴から判断して、第三世代の半導体はケイ素材料のそれよりよい。従って、第三世代の半導体の導入はよくケイ素材料の欠点を今日解決し、装置を改良できる。熱放散、伝導の損失、高温を、高周波および他の特徴は光電子工学およびマイクロエレクトロニクスの企業の新しいエンジンとして知られている。 その中で、GaNに広い適用があり、ケイ素の後に最も重要な半導体材料の1つであると考慮される。広く利用されたケイ素 ベースの力装置によって現在比較されて、GaN力装置により高く重大な電界強さがあったり、オープン州の抵抗および高温でより高いシステム効率および仕事を達成できるより速い転換の頻度を下げる。   同質なエピタクシーの難しさ       GaNの半導体の企業の鎖のリンクは次のとおりである:基質の→のGaN物質的な延長→装置設計→装置製造。その中で、基質は全体の産業鎖の基礎である。   基質として、GaNはGaNのエピタキシアル フィルムとして自然に成長のための最も適した基質材料である。同質なエピタキシアル成長は基本的に異質基質材料の使用によって見つけられる格子不適当な組み合わせおよび熱不適当な組み合わせの問題を解決でき成長プロセスの間に材料間の特性で相違によって引き起こされる圧力を最小にしそして異質基質と比較することができない良質のGaNのエピタキシアル層を育てることができる。例えば、良質ガリウム窒化物のエピタキシアル シートは基質としてガリウム窒化物と育てることができる。内部欠陥密度は効果的にLEDsの接合部温度を減らし、10回以上までに単位面積ごとの明るさを高めることができるサファイアの基質が付いているエピタキシアル シートの1第1000に減らすことができる。   但し、現在、GaN装置で一般的な基質材料はGaNの単結晶ではない。主な理由はそれが単語であることである:困難!慣習的な半導体材料と比較されて、GaNのモノクリスタルの成長は遅く、水晶は育ちにくく高価。   GaNは1932年に最初にガリウム窒化物がNH3および純粋な金属Gaから総合されたときに、総合された。それ以来GaNが大気圧で溶かすことができないので高温のGaおよびN2、および融点の分解圧力にガリウム窒化物のモノクリスタル材料に多くの肯定的な調査が、それ分解するずっとあるが、（2300°C）は6GPa高い。現在の成長装置がGaNの融点でそのような高圧に抗することは困難である。従って、従来の溶解方法は他の基質でGaNのモノクリスタルの成長にそう異質エピタクシーしか選ぶことができない使用することができない。現在、GaNベースの装置はGaNの単結晶の基質の開発をする異質基質（ケイ素、炭化ケイ素、サファイア、等）に主に基づき、同質なエピタキシアル装置は適用異質エピタキシアル装置の後ろ遅れる。   複数の基質材料       サファイア サファイア（α Al2O3）、別名鋼玉石は、LEDの基質の市場の大きい分け前を占める最も商業的に使用されたLEDの基質材料である。早い使用では、サファイアの基質は独特な利点を反映する。育つGaNのフィルムはSiCの基質で育つフィルムの転位密度と対等でありサファイアは溶解の技術によって育つ。プロセスはより成長している。それは産業発展のために適している低価格の、大型および良質の単結晶を得ることができる。従って、それはLED工業の最も早く、最も広く利用された基質材料である。   炭化ケイ素   炭化ケイ素は現在市場占有率の第2唯一のサファイアLEDの基質材料のグループIV-IVの半導体材料である。SiCに3つの部門に分けることができるいろいろ水晶タイプがある、:（3C SiCのような）立方、（4H SiCのような）六角形およびダイヤモンド（15R SiCのような）。ほとんどの水晶は4Hおよび6H SiCがGaNの基質として主に使用される3C、4Hおよび6Hである。   炭化ケイ素はLEDの基質であることのために非常に適している。但し、良質の成長が原因で、大型SiCの単結晶は困難であり、SiCはcleateに容易の、機械化の性能は粗末である層状構造であり。エピタキシアル層の質に影響を与える基質の表面のステップ欠陥をもたらすことは容易である。同じサイズのSiCの基質の価格は何十回もサファイアの基質のそれであり、高い値段は大規模な適用を限る。   モノクリスタル ケイ素   ケイ素材料は現在最も広く利用された、最も成長した半導体材料である。モノクリスタル ケイ素材料の成長の技術、の高い成熟が原因でLEDsのコストを非常に削減できる低価格の、大型の（6-12インチ）そして良質の基質を得ることは容易である。さらに、モノクリスタル ケイ素がずっとマイクロエレクトロニクスの分野で広く利用されているので、LEDの破片および集積回路の直接統合はLED装置の小型化を促すモノクリスタル シリコン基板の使用によって実現することができる。さらに、サファイアに最も広く利用されたLEDの基質と比較されて性能で、モノクリスタル ケイ素ある利点がある:高い熱伝導性、よい電気伝導率は、縦の構造準備することができ強力なLEDの準備のためにより適している。 概要       近年、市場はhigh-current密度装置（レーザーのような）および強力な、高電圧電圧抵抗力がある電子デバイスのためのGaN装置の性能のための増加する条件を、特に提言した。例えば、長命の強力なレーザーの転位密度は105cm-2順序を超過できない。、格子不適当な組み合わせ、熱拡張係数の不適当な組み合わせによって、歪むモザイク結晶の構造引き起こされる、高い転位密度二軸圧力およびウエファーのような異質エピタクシーの有名な欠点が原因で装置の性能は基質の構造の質によってかなり限られている。明らかに、この問題への理想的な解決は今でもモノクリスタル ガリウム窒化物の準備の技術の進歩である。