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オプトエレクトロニクス半導体材料に使用されるSiC基板4H-N厚さ350um

SiCの基質
2024-06-26
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#sicのウエファー #sicの基質 #炭化ケイ素の基質
オプトエレクトロニクス半導体材料に使用されるSiC基板4H-N厚さ350um 製品説明 SiC基質は半導体技術の分野における重要な材料であり,ユニークな特性と有望な応用を提供しています.シリコンカービッド (SiC) は,優れた電気性能で知られる広い帯域半導体材料です.熱性や機械性がある 4H-N SiC基質は,通常,n型半導体で,窒素 (N) 補給剤が余分な電子を結晶格子に導入する.電子伝導を必... もっと眺め
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