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2inch 4inch 6inch 8Inchの炭化ケイ素のウエファーSicのウエファーの模造の研究の主な等級2024-09-13 15:00:39 |
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半導体のキャリアのための8inch Dia100mm 0001のサファイアのウエファー1spか2sp2023-07-19 17:09:53 |
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シリコン・カービッド・ウェーファー 6H P型 標準生産グレード ディア:145.5 mm~150.0 mm 厚さ 350 μm ± 25 μm2024-09-24 17:30:38 |
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高純度SiCコーティング付きのベリープレート2025-05-26 11:36:35 |
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ゲルマニウムの単結晶INPウエファーの半導体の基質2021-07-28 16:29:00 |
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オートマティックダブルホイブ半導体 快熱焼却炉 6インチ 8インチ 12インチウエファー熱処理装置と互換性 200-1300°C2025-04-14 17:42:08 |
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4H-N 5x5mm SicのウエファーDSPの陶磁器の触媒の基質2024-09-13 15:22:41 |
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モノクリスタル2inch平面の単結晶のサファイアのウエファーの基質Al2O32024-09-13 14:57:13 |
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N-GaAs 基板 VCSEL エピワファー 6 インチ ガリウムアルセニード ワファー 2 インチ <100> <110> 光電子機器用2024-09-10 15:33:00 |
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マイクロジェットレーザー技術機器 ワイファースライス金属 シリコンカービッド材料2025-04-14 17:40:13 |
