調査の結果

家プロダクト silicon carbide substrate オンライン製造業者

全カテゴリー

ガリウム窒化物のウエファー

サファイアのウエファー

SiCの基質

サファイア光学Windows

ICのシリコンの薄片

ワイヤーは機械を見た

総合的なサファイア棒

石英ガラスの版

サファイアの部品

総合的な宝石用原石

半導体装置

LiNbO3ウエファー

リン化インジウムのウエファー

陶磁器の基質

実験室のラッパー

GaAsのウエファー

私達に連絡しなさい

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

今連絡してください

あなたの探求

[silicon carbide substrate ]

マッチ

224

プロダクト

2/4/6/8インチ Sic シリコンカービッド基板 4H 6H 3C タイプサポート半導体産業複数のサイズ

最もよい価格を得なさい

12インチシックシングルクリスタルシリコンカービッド基板大サイズ高純度直径 300mm 製品グレード 5G通信用

最もよい価格を得なさい

2インチ / 4インチ / 6インチ Sic シリコンカービッド基板 4H-P 型オフ軸 2.0° 生産グレード

最もよい価格を得なさい

2インチ 4インチ 6インチシリコンカービッド基板 6H 高Pドーピング型軸外4.0°向前プライムグレードダミーグレード

最もよい価格を得なさい

2インチ/4インチ/6インチ/5.05.0 mm/10.010.0 mm Sic シリコンカービッド基板型 3C-N 軸: < 111 > ± 0.5° 製造グレードダミーグレード

最もよい価格を得なさい

Sic シリコンカルビッド基板 6H-P型 0°軸モース硬さ 9.2レーザー装置用

最もよい価格を得なさい

実験のための8inch DSP 4H SiCのウエファーの炭化ケイ素の基質の生産の等級Nのタイプ

最もよい価格を得なさい

6インチシックシリコンカービッド基板 4H-P 直径150mm 厚さ350μm MPD生産ゼロ,標準生産グレード

最もよい価格を得なさい

6インチシークリシウムカービッド基板 6H-P型通信用・レーダー用径150mm プライムグレード

最もよい価格を得なさい

高純度半絶縁性炭化ケイ素基板 - マルチ直径ウェーハソリューション (2インチ～8インチ)

最もよい価格を得なさい

シリコンカービッド基板 5.0*5.0mm 方形 6H-P型厚さ 350μm ゼログレードダミーグレード

最もよい価格を得なさい

シリコンカービッド基板 4' Sic 3C-N 直径 100mm 導電性タイプゼロ MPD 生産グレード

最もよい価格を得なさい

2インチシークリシウムカービッド基板 6H 低耐性高Pドーピング型直径 50.8mm

最もよい価格を得なさい

高い純度のun-doped炭化ケイ素sicのウエファー、6Inch 4H-Semi Sicの炭化ケイ素の基質

最もよい価格を得なさい

2インチシックシリコンカービッド基板 3C-N型 50.8mm直径生産グレード研究グレードダミーグレード

最もよい価格を得なさい

カスタマイズされたサイズの炭化ケイ素の基質の硬度装置のための9.4 Sicの部品

最もよい価格を得なさい

1 2 3 4 5 6 7 8

の検索結果

家プロダクト silicon carbide substrate オンライン製造業者

全カテゴリー

ガリウム窒化物のウエファー

サファイアのウエファー

SiCの基質

サファイア光学Windows

ICのシリコンの薄片

ワイヤーは機械を見た

総合的なサファイア棒

石英ガラスの版

サファイアの部品

総合的な宝石用原石

半導体装置

LiNbO3ウエファー

リン化インジウムのウエファー

陶磁器の基質

実験室のラッパー

GaAsのウエファー

あなたの探求 [ silicon carbide substrate ] マッチ 224 プロダクト

2/4/6/8インチ Sic シリコンカービッド基板 4H 6H 3C タイプサポート半導体産業複数のサイズ

最もよい価格を得なさい

12インチシックシングルクリスタルシリコンカービッド基板大サイズ高純度直径 300mm 製品グレード 5G通信用

最もよい価格を得なさい

2インチ / 4インチ / 6インチ Sic シリコンカービッド基板 4H-P 型オフ軸 2.0° 生産グレード

最もよい価格を得なさい

2インチ 4インチ 6インチシリコンカービッド基板 6H 高Pドーピング型軸外4.0°向前プライムグレードダミーグレード

最もよい価格を得なさい

2インチ/4インチ/6インチ/5.05.0 mm/10.010.0 mm Sic シリコンカービッド基板型 3C-N 軸: < 111 > ± 0.5° 製造グレードダミーグレード

最もよい価格を得なさい

Sic シリコンカルビッド基板 6H-P型 0°軸モース硬さ 9.2レーザー装置用

最もよい価格を得なさい

実験のための8inch DSP 4H SiCのウエファーの炭化ケイ素の基質の生産の等級Nのタイプ

最もよい価格を得なさい

6インチシックシリコンカービッド基板 4H-P 直径150mm 厚さ350μm MPD生産ゼロ,標準生産グレード

最もよい価格を得なさい

6インチシークリシウムカービッド基板 6H-P型通信用・レーダー用径150mm プライムグレード

最もよい価格を得なさい

高純度半絶縁性炭化ケイ素基板 - マルチ直径ウェーハソリューション (2インチ～8インチ)

最もよい価格を得なさい

シリコンカービッド基板 5.0*5.0mm 方形 6H-P型厚さ 350μm ゼログレードダミーグレード

最もよい価格を得なさい

シリコンカービッド基板 4' Sic 3C-N 直径 100mm 導電性タイプゼロ MPD 生産グレード

最もよい価格を得なさい

1 2 3 4 5 6 7 8

ガリウム窒化物のウエファー

サファイアのウエファー

SiCの基質

サファイア光学Windows

ICのシリコンの薄片

ワイヤーは機械を見た

総合的なサファイア棒

石英ガラスの版

サファイアの部品

総合的な宝石用原石

半導体装置

LiNbO3ウエファー

リン化インジウムのウエファー

陶磁器の基質

実験室のラッパー

GaAsのウエファー

ガリウム窒化物のウエファー

サファイアのウエファー

SiCの基質

サファイア光学Windows

ICのシリコンの薄片

ワイヤーは機械を見た

総合的なサファイア棒

石英ガラスの版

サファイアの部品

総合的な宝石用原石

半導体装置

LiNbO3ウエファー

リン化インジウムのウエファー

陶磁器の基質

実験室のラッパー

GaAsのウエファー

ガリウム窒化物のウエファー

サファイアのウエファー

SiCの基質

サファイア光学Windows

ICのシリコンの薄片

ワイヤーは機械を見た

総合的なサファイア棒

石英ガラスの版

サファイアの部品

総合的な宝石用原石

半導体装置

LiNbO3ウエファー

リン化インジウムのウエファー

陶磁器の基質

実験室のラッパー

GaAsのウエファー

[silicon carbide substrate ]

ガリウム窒化物のウエファー

サファイアのウエファー

SiCの基質

サファイア光学Windows

ICのシリコンの薄片

ワイヤーは機械を見た

総合的なサファイア棒

石英ガラスの版

サファイアの部品

総合的な宝石用原石

半導体装置

LiNbO3ウエファー

リン化インジウムのウエファー

陶磁器の基質

実験室のラッパー

GaAsのウエファー

2/4/6/8インチ Sic シリコンカービッド基板 4H 6H 3C タイプ サポート 半導体産業 複数のサイズ

12インチ シック シングルクリスタル シリコンカービッド基板 大サイズ 高純度直径 300mm 製品グレード 5G通信用

2インチ / 4インチ / 6インチ Sic シリコンカービッド基板 4H-P 型オフ軸 2.0° 生産グレード

2インチ 4インチ 6インチ シリコンカービッド基板 6H 高Pドーピング型 軸外4.0°向前 プライムグレード ダミーグレード

2インチ/4インチ/6インチ/5.0*5.0 mm/10.0*10.0 mm Sic シリコンカービッド基板型 3C-N 軸: < 111 > ± 0.5° 製造グレード ダミーグレード

Sic シリコンカルビッド基板 6H-P型 0°軸 モース硬さ 9.2レーザー装置用

実験のための8inch DSP 4H SiCのウエファーの炭化ケイ素の基質の生産の等級Nのタイプ

6インチシック シリコンカービッド基板 4H-P 直径150mm 厚さ350μm MPD生産ゼロ,標準生産グレード

6インチシークリシウムカービッド基板 6H-P型通信用・レーダー用 径150mm プライムグレード

高純度半絶縁性炭化ケイ素基板 - マルチ直径ウェーハソリューション (2インチ～8インチ)

シリコンカービッド基板 5.0*5.0mm 方形 6H-P型 厚さ 350μm ゼログレード ダミーグレード

シリコンカービッド基板 4' Sic 3C-N 直径 100mm 導電性タイプゼロ MPD 生産グレード

2/4/6/8インチ Sic シリコンカービッド基板 4H 6H 3C タイプサポート半導体産業複数のサイズ

12インチシックシングルクリスタルシリコンカービッド基板大サイズ高純度直径 300mm 製品グレード 5G通信用

2インチ 4インチ 6インチシリコンカービッド基板 6H 高Pドーピング型軸外4.0°向前プライムグレードダミーグレード

2インチ/4インチ/6インチ/5.05.0 mm/10.010.0 mm Sic シリコンカービッド基板型 3C-N 軸: < 111 > ± 0.5° 製造グレードダミーグレード

Sic シリコンカルビッド基板 6H-P型 0°軸モース硬さ 9.2レーザー装置用

6インチシックシリコンカービッド基板 4H-P 直径150mm 厚さ350μm MPD生産ゼロ,標準生産グレード

6インチシークリシウムカービッド基板 6H-P型通信用・レーダー用径150mm プライムグレード

シリコンカービッド基板 5.0*5.0mm 方形 6H-P型厚さ 350μm ゼログレードダミーグレード