メッセージを送る
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
郵便: eric_wang@zmsh-materials.com 電話番号: 86-1580-1942596

家

>

プロダクト >

silicon carbide substrate オンライン製造業者

すべてのプロダクト

熱いプロダクト

ビデオ 購入 極めて薄い厚さ0.1mm 0.2mmの2inchサファイアの倍の側面の磨かれたウエファー オンライン製造業者

極めて薄い厚さ0.1mm 0.2mmの2inchサファイアの倍の側面の磨かれたウエファー

購入 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SICのウエファーの炭化ケイ素sicの基質の主な模造の等級 オンライン製造業者

4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SICのウエファーの炭化ケイ素sicの基質の主な模造の等級

購入 2-4inch HVPE GaNのウエファーによってカスタマイズされるサイズの支えがないGaNの単結晶材料 オンライン製造業者

2-4inch HVPE GaNのウエファーによってカスタマイズされるサイズの支えがないGaNの単結晶材料

ビデオ 購入 Al2O3 9.0硬度は磨かれた総合的なルビーを添加した オンライン製造業者

Al2O3 9.0硬度は磨かれた総合的なルビーを添加した

ビデオ 購入 時計ガラスのための光学サファイア ガラスの総合的なルビー オンライン製造業者

時計ガラスのための光学サファイア ガラスの総合的なルビー

購入 熱管理区域のためのMPCVD方法GaNのダイヤモンド脱熱器ウエファー オンライン製造業者

熱管理区域のためのMPCVD方法GaNのダイヤモンド脱熱器ウエファー

購入 マイクロLED EPIのウエファーの自由な立つGaNの基質GaN GaN 2インチ オンライン製造業者

マイクロLED EPIのウエファーの自由な立つGaNの基質GaN GaN 2インチ

購入 2インチDSPの単結晶ガリウム窒化物のウエファーの自由な立つGaNの基質 オンライン製造業者

2インチDSPの単結晶ガリウム窒化物のウエファーの自由な立つGaNの基質

silicon carbide substrate (75) オンライン製造業者

質 実験のための8inch DSP 4H SiCのウエファーの炭化ケイ素の基質の生産の等級Nのタイプ 工場

実験のための8inch DSP 4H SiCのウエファーの炭化ケイ素の基質の生産の等級Nのタイプ

質 高い純度のun-doped炭化ケイ素sicのウエファー、6Inch 4H-Semi Sicの炭化ケイ素の基質 工場

高い純度のun-doped炭化ケイ素sicのウエファー、6Inch 4H-Semi Sicの炭化ケイ素の基質

質 カスタマイズされたサイズの炭化ケイ素の基質の硬度装置のための9.4 Sicの部品 工場

カスタマイズされたサイズの炭化ケイ素の基質の硬度装置のための9.4 Sicの部品

質 模造の生産の研究の等級の炭化ケイ素高い純度4h-semiは透明なsicのウエファーを非添加しました 工場

模造の生産の研究の等級の炭化ケイ素高い純度4h-semiは透明なsicのウエファーを非添加しました

質 半導体デバイスのための2inch 3inch Dia100m 4H-Nのタイプ炭化ケイ素のウエファーの生産の等級 工場

半導体デバイスのための2inch 3inch Dia100m 4H-Nのタイプ炭化ケイ素のウエファーの生産の等級

質 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SICのウエファーの炭化ケイ素sicの基質の主な模造の等級 工場

4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SICのウエファーの炭化ケイ素sicの基質の主な模造の等級

質 4H-Nパワー エレクトロニクスのためのようにカットの炭化ケイ素のウエファー0.5mmの厚さ 工場

4H-Nパワー エレクトロニクスのためのようにカットの炭化ケイ素のウエファー0.5mmの厚さ

ビデオ 質 10x10x0.5mm HPSI 1sp 2sp 4H-SEMI SICの炭化ケイ素Wafersubstrate 工場

10x10x0.5mm HPSI 1sp 2sp 4H-SEMI SICの炭化ケイ素Wafersubstrate

質 模造の主な等級6inchの炭化ケイ素sicのウエファー0.5mm 0.35mm DSP 4H-N/semiの厚さの基質 工場

模造の主な等級6inchの炭化ケイ素sicのウエファー0.5mm 0.35mm DSP 4H-N/semiの厚さの基質

質 4inch Sicのインゴット炭化ケイ素半導体のための5 - 15mmの厚さ 工場

4inch Sicのインゴット炭化ケイ素半導体のための5 - 15mmの厚さ

質 3inch 4inch 2inch 0.35mm DSPの表面4h-N炭化ケイ素Sicのウエファー 工場

3inch 4inch 2inch 0.35mm DSPの表面4h-N炭化ケイ素Sicのウエファー

質 2Inch炭化ケイ素のウエファー6Hまたは4HのNタイプかSemi-Insulating SiCの基質 工場

2Inch炭化ケイ素のウエファー6Hまたは4HのNタイプかSemi-Insulating SiCの基質

質 太陽光起電のための4H-N 8inchの半導体の基質SICの炭化ケイ素のウエファー 工場

太陽光起電のための4H-N 8inchの半導体の基質SICの炭化ケイ素のウエファー

質 無線周波数装置のための8inch 6inch 4H-NのタイプSicの基質のウエファーの生産の等級 工場

無線周波数装置のための8inch 6inch 4H-NのタイプSicの基質のウエファーの生産の等級

質 カスタマイズされた4H-NはSemi-Insulating SiCの基質4inch 6inchの炭化ケイ素のウエファーをタイプする 工場

カスタマイズされた4H-NはSemi-Insulating SiCの基質4inch 6inchの炭化ケイ素のウエファーをタイプする

1 2 3 4 5